女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

什么是SiC boat?SiC boat有幾種不同的制作工藝?

中科院半導體所 ? 來源:Tom聊芯片智造 ? 2024-04-18 15:44 ? 次閱讀

本文簡單介紹了碳化硅舟的概念、制作工藝以及不能用干法清洗的原因。

爐管中的SiC boat為什么不能dry clean?

什么是SiC boat?

SiC boat,即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中,裝載載晶圓進行高溫處理的耐高溫配件。由于碳化硅材料具有耐高溫、抗化學腐蝕和良好的熱穩定性等特性,它被廣泛用于各種熱處理過程,如擴散、氧化、CVD、退火等。

SiC boat有幾種不同的制作工藝?

1,在石墨晶舟表面CVD一層SiC薄膜。

該種類型的舟主體是石墨,一體加工成型。但是石墨多孔,容易產生顆粒,必須在石墨晶舟表面涂敷一層SiC薄膜,由于石墨體和SiC薄膜之間的 CTE(熱膨脹系數)不匹配,SiC薄膜通常在多次升降溫使用后容易剝落,導致顆粒的產生。這種舟最便宜,使用壽命在一年左右。

2,在重結晶的SiC晶舟上CVD一層SiC薄膜。

重結晶的SiC晶舟是多孔的,也易產生顆粒,因此需要將重結晶的SiC晶舟的幾個單元部件先預先成型、燒結,然后分別加工,之后將各個單元部件在高溫下以Si膏粘合,粘合成一晶舟之后再CVD涂覆SiC薄膜。 這種重結晶SiC晶舟制造流程最長,成本高,但是表面的CVD涂層也會損壞,壽命在3年左右。

3,一體成型的SiC晶舟

該晶舟整體都是由SiC材料構成。需要將SiC從粉末成形并燒結成一體式晶舟的相應形狀。成本極高但是很耐用,不易產生顆粒。但是這種晶舟含有10~15%的游離硅,容易被F,Cl侵蝕,從而導致微粒。

為什么不能干法清洗?

綜上,用CVD鍍一層SiC薄膜的晶舟,在干法清洗時表面SiC涂層易脫落,造成顆粒;一體成型的SiC晶舟里有少量的游離硅,容易被含F,含Cl氣體侵蝕而產生顆粒,造成污染。



審核編輯:劉清

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    31

    文章

    3155

    瀏覽量

    64437
  • 熱處理
    +關注

    關注

    0

    文章

    117

    瀏覽量

    18537
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    3015

    瀏覽量

    50054

原文標題:爐管碳化硅舟為什么不能干法清洗?

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導體所】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    電力電子新未來:珠聯璧合,基本半導體SiC模塊及SiC驅動雙龍出擊

    珠聯璧合,SiC模塊及SiC驅動雙龍出擊 ——BASiC基本股份賦能電力電子新未來 珠聯璧合,雙龍出擊 ——BASIC Semiconductor SiC功率模塊與SiC驅動板重塑電力
    的頭像 發表于 05-03 15:29 ?163次閱讀
    電力電子新未來:珠聯璧合,基本半導體<b class='flag-5'>SiC</b>模塊及<b class='flag-5'>SiC</b>驅動雙龍出擊

    SiC MOSFET 開關模塊RC緩沖吸收電路的參數優化設計

    0? 引言SiC-MOSFET 開關模塊(簡稱“SiC 模塊”)由于其高開關速度、高耐壓、低損耗的特點特別適合于高頻、大功率的應用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關速度更快
    發表于 04-23 11:25

    TSSG法生長SiC單晶的原理

    SiC的物理特性決定了其生長難度。在常壓環境下,SiC并無熔點,一旦溫度攀升至2000℃以上,便會直接發生氣化分解現象。從理論層面預測,只有在壓強高達109Pa且溫度超過3200℃的極端條件下,才有
    的頭像 發表于 04-18 11:28 ?248次閱讀
    TSSG法生長<b class='flag-5'>SiC</b>單晶的原理

    麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態測試中的應用

    碳化硅(SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管,相較于傳統硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導通電阻、更快的開關速度以及更優
    發表于 04-08 16:00

    溝槽型SiC MOSFET的結構和應用

    MOSFET(U-MOSFET)作為新一代功率器件,近年來備受關注。本文將詳細解析溝槽型SiC MOSFET的結構、特性、制造工藝、應用及其技術挑戰。
    的頭像 發表于 02-02 13:49 ?743次閱讀

    銅排制作工藝詳解 銅排的導電性能分析

    一、銅排制作工藝詳解 銅排,又稱銅母排或銅匯流排,是由銅材質制作的截面為矩形或倒角矩形的長導體,在電路中起輸送電流和連接電氣設備的作用。銅排的制作工藝是一個復雜而精細的過程,包括多個步驟和嚴格的技術
    的頭像 發表于 01-31 15:23 ?1313次閱讀

    SiC MOSFET分立器件及工業模塊介紹

    BASiC國產SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
    發表于 01-16 14:32 ?1次下載

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統半導體對比

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導體材料,其制造工藝涉及多個復雜步驟,以下是對SiC制造
    的頭像 發表于 11-25 16:32 ?4049次閱讀

    一文詳解SiC柵極絕緣層加工工藝

    柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關注點。本節介紹SiC柵極絕緣層加工工藝,重點介紹其與Si的不同之處。
    的頭像 發表于 11-20 17:38 ?847次閱讀
    一文詳解<b class='flag-5'>SiC</b>柵極絕緣層加工<b class='flag-5'>工藝</b>

    一文詳解SiC的晶體缺陷

    SiC晶體中存在各種缺陷,對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。
    的頭像 發表于 11-14 14:53 ?1869次閱讀
    一文詳解<b class='flag-5'>SiC</b>的晶體缺陷

    一文詳解SiC單晶生長技術

    高質量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關鍵,目前比較主流的生長方法PVT法、液相法以及高溫CVD法等,本文帶你了解以上三種SiC晶體生長方法及其優缺點。
    的頭像 發表于 11-14 14:51 ?1464次閱讀
    一文詳解<b class='flag-5'>SiC</b>單晶生長技術

    SiC單晶襯底加工技術的工藝流程

    SiC單晶是一種硬而脆的材料,切片加工難度大,磨削精度要求高,因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術以及近年來新出現的晶圓制備方法。
    的頭像 發表于 11-14 14:49 ?1084次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>單晶襯底加工技術的<b class='flag-5'>工藝</b>流程

    SiC的離子注入工藝及其注意事項

    離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。
    的頭像 發表于 11-09 11:09 ?945次閱讀

    SiC MOSFET和SiC SBD的區別

    SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導體器件,它們在電力電子領域具有廣泛的應用。盡管它們都屬于
    的頭像 發表于 09-10 15:19 ?3162次閱讀

    源漏嵌入SiC應變技術簡介

    源漏區嵌入SiC 應變技術被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度,它是通過外延生長技術在源漏嵌入 SiC 應變材料,利用硅和碳晶格常數不同,從而對溝道和襯底硅產生應力,改變硅導帶的能帶結構,從而降低電子的電導有
    的頭像 發表于 07-25 10:30 ?1335次閱讀
    源漏嵌入<b class='flag-5'>SiC</b>應變技術簡介