據天眼查披露，中芯國際集成電路制造（北京）有限公司近期獲得了一項名為“半導體器件及其形成方法”的專利用于2024年3月26日，授權公告碼為CN111900088B，申請日期為2019年5月5日。

該發明提出一種制備半導體器件的新方法，首先需要在基板上制備劃分明確且排列整齊的鰭部；之后在基板上構建覆于鰭部之上的偽柵結構；再制備并在偽柵結構上方安裝一層第一層間介電層，此層上表面比偽柵結構低；接著需確定切割開口的形狀和位置；最后用腐蝕的方式逐漸揭露襯底層，形成指定大小的切割口；然后制在第一層間介電層之上覆蓋上一層第二層間介電層，以填充剪切口，使其頂部與偽柵結構達到平整狀態；這項發明能顯著提高半導體器件的工作穩定性。