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國產器件突破1700V,功率GaN拓展更多應用

Hobby觀察 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:梁浩斌 ? 2024-02-04 00:01 ? 次閱讀
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)GaN器件已經在消費電子領域站穩腳跟,而在消費電子之外,電源產品還有很多較大的應用市場,包括光伏逆變器、服務器電源、汽車領域等。而新能源汽車作為目前規模增長最快的市場之一,SiC已經成功導入電動汽車產品,并實現大批量落地。

與SiC同為第三代半導體的GaN,在材料特性,器件的特性上都有很多相同之處,甚至在成本以及高頻應用中,GaN功率器件相比SiC還有一定優勢,所以各大功率GaN廠商都在積極布局汽車應用。

不過目前功率SiC主要被用于800V高壓平臺的車型中,包括牽引逆變器、空調壓縮機等要用到耐壓值1200V的器件。但此前GaN在消費電子領域大多產品在650V或以下,如果想要在汽車領域得到更廣泛的應用,就需要更高耐壓值的GaN器件。

GaN HEMT器件突破1700V,拓展高壓應用

在目前電動汽車高壓系統的趨勢下,一般母線電壓為800V的系統中,需要用到1200V耐壓的功率器件。而隨著電池包技術發展,以及快充、低能耗的需求,一些車型的電池包電壓已經高達900V,出現1000V電壓級別的車型也只是時間問題。

而1000V電壓的電路中,可能會產生1300V或以上的瞬時電壓,所以這個時候就需要1700V耐壓的器件。而目前市面上SiC功率器件已經有很多耐壓1700V的產品,還有一些超高壓產品耐壓達到3300V以上。

最近,國內GaN領域也出現了一款1700V GaN HEMTs器件。致能科技團隊與西安電子科技大學廣州研究院/廣州第三代半導體創新中心郝躍院士、張進成教授團隊等合作攻關,采用致能科技的薄緩沖層AlGaN/GaN外延片,基于廣州第三代半導體創新中心中試平臺,成功在6英寸藍寶石襯底上實現了1700V GaN HEMTs器件。相關研究成果于2024年1月發表于IEEE Electron Device Letters期刊。
來源:IEEE Electron Device Letters
廣東致能團隊通過MOCVD方法在6英寸藍寶石襯底上外延出包括1.5μm薄層緩沖層和AlGaN/GaN異質結結構,這種技術可以顯著減低外延和加工的難度。使用其外延片制備的GaN HEMTs器件具有超過3000 V的高阻斷電壓和17Ω·mm的低導通電阻,并通過1700 V的長期HTRB應力初步驗證了其魯棒性。

而從目前市面上主流的650V GaN器件發展到1700V ,能夠令GaN拓展到更多領域,除了電動汽車之外,在工業、光伏、儲能等領域都會有更大的應用空間。

目前多家廠商已經推出900V及以上功率GaN

近幾年,為了滿足更多市場的需求,拓展應用領域,功率GaN產品的規格也越來越豐富,眾多廠商在高壓應用上推出量產產品。

剛剛被瑞薩收購的GaN廠商Transphorm,在2017年推出了第一款900V GaN產品,并且在2022年的國際功率半導體器件和集成電路研討會(ISPSD)上展示了1200V GaN器件。Transphorm當時表示,市場上可買到的高功率GaN晶體管的電壓范圍通常為600V至650V,只有Transphorm能夠提供900V GaN器件。

而在2023年,Transphorm公布了其1200V功率GaN器件的仿真模型和初步數據,這款產品基于藍寶石基氮化鎵外延片制造,擁有70mΩ的導通電阻、±20 Vmax柵極穩健性、低 4V柵極驅動噪聲抗擾度、零QRR和3引腳TO-247封裝。

PI(Power Integrations)去年也推出了900V PowiGaN器件,并在不久之后又推出了1250V的PowiGaN器件。據測試,1250V的PowiGaN開關方案,其效率要比650V的硅開關方案高出1%,其損耗也比傳統的硅開關方案減少近一半左右。同時還具有同步整流和FluxLink安全隔離反饋功能,可以穩定輸出電壓和電流,能夠用于1000V峰值工作電壓的應用中。

國內鎵未來也已經推出了900V的GaN器件,并已經實現量產,支持TO-252-3L、TO-252、TO-220三種封裝,有RDS(ON)990mΩ/450mΩ/270mΩ等規格。

鎵宏半導體官網顯示目前已推出了GSR900D035系列 900V、50mΩGaN FET,能夠用于工業、光伏逆變器、伺服電機等應用。

華潤微旗下專注三代半的廠商潤新微(前為芯冠科技)早在2022年就推出了900V的硅基氮化鎵系列產品,目前公司官網顯示提供TO-220封裝,RDS(ON)540mΩ/270mΩ/220mΩ/150mΩ規格的900V GaN功率器件。

去年國內900V GaN產業鏈也有不少新的廠商取得突破,比如聚能晶源研制出了高柵壓GaN增強型外延技術和900V高耐壓GaN-on-Si外延技術;長平時代發布用于車載電子的6英寸900V硅基GaN外延片;湖南三安完成了900V 硅基氮化鎵功率器件的開發,并已導入到客戶產品設計和系統驗證。

小結:

隨著更多高壓GaN器件的出現,也將會大大拓展GaN的應用領域。未來GaN功率器件將會出現在更多比如工業、光伏、儲能、電動汽車主驅等應用場景中。
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