在電子電路設(shè)計(jì)中,防反接保護(hù)是一個(gè)重要的考慮因素,它的目的是防止因電源接線錯(cuò)誤而損壞電路。使用MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)來(lái)實(shí)現(xiàn)這一功能是一個(gè)常見的做法,其中包括PMOS管(P型MOS管)和NMOS管(N型MOS管)。每種類型的MOS管都有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)合。
PMOS管防反接
在電源的正極線路中,將PMOS管的源極(S)和漏極(D)串聯(lián)連接時(shí),一旦晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài),源極和漏極間的電阻通常處于非常低的水平,大約只有幾百毫歐。由于這種低電阻,穿過(guò)PMOS管的電壓降并不顯著,導(dǎo)致其在導(dǎo)通狀態(tài)下消耗的功率相當(dāng)小。然而,相比之下,PMOS管的成本可能會(huì)稍高一些。對(duì)于那些大規(guī)模生產(chǎn)的產(chǎn)品,尤其是年產(chǎn)量達(dá)到KK級(jí)別(百萬(wàn)級(jí)別)的商品,成本效益就顯得尤為重要。在這種情況下,可能需要考慮使用成本更低的二極管或NMOS管作為替代方案。
NMOS管防反接
在電源的負(fù)極線路中,NMOS管的源極(S)和漏極(D)被串聯(lián)連接。由于NMOS管的種類繁多,它們通常具有較低的導(dǎo)通壓降,從而導(dǎo)致功耗也相對(duì)較小,這使得NMOS管具有較高的性價(jià)比。然而,使用NMOS管的一個(gè)不足之處在于,它會(huì)導(dǎo)致電源地線(GND)與后續(xù)電路的地線之間出現(xiàn)分隔。
優(yōu)點(diǎn):
體二極管方向:NMOS管內(nèi)置的體二極管從漏極到源極,這有助于防止反向電流,適合需要逆向保護(hù)的應(yīng)用。
多樣性:NMOS管的種類比PMOS管多,提供了更多的選擇。
成本效益:NMOS管通常比PMOS管便宜,特別是在大量生產(chǎn)時(shí)。
缺點(diǎn):
需要更高的柵極電壓:為了充分開啟NMOS管,其柵極電壓必須高于源極電壓,這可能需要額外的電路設(shè)計(jì)。
襯底效應(yīng):與PMOS管類似,NMOS管的襯底通常連接到最正的電源,這可能會(huì)在某些應(yīng)用中引起問(wèn)題。
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二極管
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幾種常見的電源防反接電路

基于MOS管的電源防反接電路設(shè)計(jì)

采用驅(qū)動(dòng)IC和NMOS的防反電路設(shè)計(jì)

用NMOS管搭建電源防反接電路
MOS管型防反接保護(hù)電路設(shè)計(jì)
MOS管型防反接保護(hù)電路圖
常用的電源防反接電路有哪幾種呢
場(chǎng)效應(yīng)管防反接電路原理

MOS管 電源防反接

常用電源防反接電路

評(píng)論