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pmos管防反接簡(jiǎn)單電路介紹

科技綠洲 ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-10-07 16:57 ? 次閱讀

PMOS管防反接電路是一種用于防止電源反接的電路設(shè)計(jì),它利用PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體)管的特性來(lái)實(shí)現(xiàn)電路的保護(hù)功能。

一、PMOS管防反接電路的工作原理

PMOS管防反接電路的核心在于利用PMOS管的柵極(G)、源極(S)和漏極(D)之間的電壓關(guān)系來(lái)控制PMOS管的導(dǎo)通與截止,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電源反接的保護(hù)。

  1. 電源正常接入時(shí)
    • 當(dāng)電源正常接入時(shí),電壓從PMOS管的漏極(D)經(jīng)過其內(nèi)部的體二極管到達(dá)源極(S),由于體二極管存在壓降,源極電壓會(huì)略低于漏極電壓。
    • 此時(shí),柵極(G)通過某種方式接地(或通過電阻分壓等方式保持低電位),使得柵源電壓(Vgs)為負(fù)值(小于PMOS管的閾值電壓Vth),從而PMOS管導(dǎo)通。
    • PMOS管導(dǎo)通后,其漏源之間的導(dǎo)通壓降很小,幾乎可以忽略不計(jì),因此輸出電壓接近輸入電壓,電路正常工作。
  2. 電源反接時(shí)
    • 當(dāng)電源反接時(shí),原本應(yīng)該接在漏極的電壓現(xiàn)在接在了源極,而柵極仍然保持低電位(或相對(duì)于源極為高電位)。
    • 此時(shí),柵源電壓(Vgs)變?yōu)檎担ù笥赑MOS管的閾值電壓Vth),PMOS管處于截止?fàn)顟B(tài),不會(huì)導(dǎo)通。
    • 因此,反接的電源無(wú)法通過后級(jí)電路,從而保護(hù)了后端設(shè)備免受損壞。

如下電路圖所示,此種應(yīng)用,由PMOS來(lái)進(jìn)行電壓的選擇,當(dāng)VIO9V電壓存在時(shí),此時(shí)電壓全部由VIO9V提供,將PMOS關(guān)閉,VBAT4.2V不提供電壓給VBAT_OUT。而當(dāng)VIO9V為低時(shí),VBAT_OUT由VBAT4.2V供電。注意R120的接地,該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低,確保PMOS的正常開啟。D1和D2的作用在于防止電壓的倒灌,D2可以省略。這里要注意到實(shí)際上該電路的DS接反,這樣由體二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開關(guān)管的功能不能達(dá)到,實(shí)際應(yīng)用要注意。

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下圖這個(gè)電路,控制信號(hào)G_CTRL控制VB4.2+是否給VCC_OUT供電。此電路中,源漏兩端沒有接反,R2與R3存在的意義在于R2控制柵極電流不至于過大,R3控制柵極的常態(tài),將R3上拉為高,截止PMOS。同時(shí)也可以看作是對(duì)控制信號(hào)的上拉,當(dāng)MCU內(nèi)部管腳并沒有上拉時(shí),即輸出為開漏時(shí),并不能驅(qū)動(dòng)PMOS關(guān)閉,此時(shí),就需要外部電壓給予的上拉,所以電阻R3起到了兩個(gè)作用。R2可以更小,到100歐姆也可。
8C81F933-7AF8-441f-A0F5-EAA900052BFE.png

二、PMOS管防反接電路的設(shè)計(jì)

PMOS管防反接電路的設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單,但需要注意選擇合適的PMOS管和相關(guān)的電路設(shè)計(jì)。

  1. PMOS管的選擇
    • 需要選擇具有足夠耐壓能力的PMOS管,以確保在電源電壓范圍內(nèi)能夠正常工作。
    • 同時(shí),應(yīng)選擇導(dǎo)通內(nèi)阻較小的PMOS管,以減小導(dǎo)通時(shí)的壓降和損耗。
  2. 電路設(shè)計(jì)
    • 最基本的PMOS管防反接電路可以通過將PMOS管的柵極接地(或通過電阻分壓等方式)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
    • 為了提高電路的可靠性和穩(wěn)定性,可以在電路中加入一些保護(hù)元件,如限流電阻、穩(wěn)壓管等。
    • 限流電阻可以限制電流過大時(shí)對(duì)PMOS管的沖擊,穩(wěn)壓管可以保護(hù)柵源電壓不會(huì)過高而損壞PMOS管。

三、PMOS管防反接電路的應(yīng)用注意事項(xiàng)

  1. 適用場(chǎng)景
    • PMOS管防反接電路適用于低壓、小電流的應(yīng)用場(chǎng)景。對(duì)于高壓、大電流的應(yīng)用場(chǎng)景,可能需要采用其他更為復(fù)雜的防反接方案。
  2. 負(fù)載特性
    • 由于PMOS管開啟后電流可雙向流動(dòng),因此該電路的負(fù)載不能是電池等電壓源。否則,在電源反接時(shí),負(fù)載電池可能會(huì)通過PMOS管的體二極管導(dǎo)通,導(dǎo)致后端電路仍然受到損害。
  3. 電路設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)
    • 在設(shè)計(jì)電路時(shí),需要注意PMOS管的極性和引腳排列,確保正確連接。
    • 同時(shí),需要考慮電路中的濾波、去耦等措施,以提高電路的抗干擾能力和穩(wěn)定性。
  4. 測(cè)試與驗(yàn)證
    • 在電路設(shè)計(jì)完成后,需要進(jìn)行充分的測(cè)試和驗(yàn)證工作,以確保電路在電源正常接入和反接時(shí)都能正常工作并保護(hù)后端設(shè)備。

四、總結(jié)

PMOS管防反接電路是一種簡(jiǎn)單而有效的電源保護(hù)方案,它利用PMOS管的特性來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)電源反接的保護(hù)。通過合理設(shè)計(jì)電路和選擇合適的PMOS管,可以確保電路在電源正常接入和反接時(shí)都能正常工作并保護(hù)后端設(shè)備。然而,需要注意的是該電路適用于低壓、小電流的應(yīng)用場(chǎng)景,并且需要注意負(fù)載特性和電路設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)等方面的問題。

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