三星半導體近日宣布，已經開始試產第二代3納米工藝SF3。這一里程碑式的事件，突顯了三星與臺積電在先進工藝節點上的激烈競爭。

SF3工藝的獨特之處在于其實現了在同一單元內調整不同環柵（GAA）晶體管納米片溝道寬度。這一創新為芯片設計提供了更大的自由度，從而降低功耗、提升性能，并優化晶體管密度。

三星計劃在未來六個月內將SF3工藝的良率提升至60%以上。目前，該公司正在對使用此工藝制造的芯片進行性能和可靠性測試。首款采用SF3工藝的芯片將是一款專為可穿戴設備設計的應用處理器，預計將在今年晚些時候發布的Galaxy Watch 7等產品中亮相。

三星表示，他們計劃從2024年下半年開始大規模量產SF3芯片。在2023年至2024年期間，三星將以3納米工藝為主，包括SF3（3GAP）和改進版本SF3P（3GAP+）。此外，該公司還計劃在2025年至2026年推出2納米工藝節點。

三星在晶圓代工領域的突破為全球芯片產業帶來了新的技術革新和競爭格局。這一進展無疑將進一步推動半導體技術的進步，并有望為未來的電子產品帶來更強大的性能和更低的功耗。

審核編輯：黃飛