一、寫(xiě)在前面的幾個(gè)概念：

MOS管輸出特性曲線(xiàn)

①輸出特性曲線(xiàn)：固定VGS值，且數(shù)值大于閾值電壓時(shí)，MOS晶體管的源漏電流IDS隨VDS的變化曲線(xiàn)。

②閾值電壓Vth：當(dāng)半導(dǎo)體層處于臨界反型時(shí)，施加在MOS管柵電容兩端的電壓值。

③輸出電流電壓關(guān)系表達(dá)式：

二、特性曲線(xiàn)各區(qū)詳解

MOS管三種狀態(tài)下示意圖：線(xiàn)性區(qū)；臨界飽和區(qū)；飽和區(qū)

線(xiàn)性區(qū)：當(dāng)源漏電壓VDS較小，柵源電壓VGS和柵漏電壓VGD的值均遠(yuǎn)大于Vth，此時(shí)整個(gè)溝道中的各處電子均勻的分布，在溝道中各點(diǎn)電位是從漏端到源端逐漸降低，柵極與溝道層各點(diǎn)的壓差始終大于Vth，因此溝道層始終處于反型狀態(tài)。

同時(shí)溝道層與襯底形成的耗盡層寬度是逐漸減小的（PN結(jié)兩端反偏電壓越大，耗盡層寬度越大，圖中粉色斜杠部分為耗盡層）。隨著VD的增大，

飽和區(qū)：繼續(xù)增大VD，當(dāng)其增大到與柵極電壓VG的壓差VGD=Vth時(shí)，漏端和襯底的接觸點(diǎn)正好處于反型為N+溝道的臨界點(diǎn)A。繼續(xù)增大VD，會(huì)導(dǎo)致VGD

即使VD的值一直增大，增大的電壓部分會(huì)落到耗盡層上，即漏端-臨界點(diǎn)位的電壓差VDA會(huì)一直增大，那么耗盡層的寬度會(huì)逐漸變寬，臨界點(diǎn)A點(diǎn)會(huì)逐漸向源端移位，但是VA和VS之間的電壓是恒定的，那么流過(guò)溝道中的電流基本是不變的。