1、 輸入特性曲線

在三極管共發射極聯接的狀況下，當集電極與發射極之間的電壓UCE 堅持紛歧樣的定值時，uBE和iB之間的一簇聯絡曲線，稱為共射極輸入特性曲線。一般狀況下，當UCE≥1V時，集電結就處于反向偏置，此刻再增大UCE對iB的影響很小，也即UCE＞1V往后的輸入特性與UCE＝1V的一條特性曲線重合，所以，半導體器材手冊中一般只給出一條UCE≥1V時的輸入特性曲線，如圖所示。輸入特性曲線的數學表達式為：iB＝f（uBE）| UCE = 常數

三極管的輸入特性曲線與二極管的伏安特性曲線很類似，也存在一段死區，硅管的死區電壓約為0.5V，鍺管的死區電壓約為0.2V。導通后，硅管的UBE約為0.7V，鍺管的UBE約為0.3V。

2、輸出特性曲線

輸出特性是指以基極電流IB為常數，輸出電壓uCE和輸出電流iC之間的聯絡，即：iC＝f（uCE）|IB =常數。關于紛歧樣的IB，所得到的輸出特性曲線也紛歧樣，所以，三極管的輸出特性曲線是一簇曲線。依據三極管的作業狀況紛歧樣，能夠將輸出特性分為三個區域，如圖所示。

硅管的管壓降為0.7V；鍺管的管壓降為0.3V。

（1）截止區：指IB=0的那條特性曲線以下的區域。在此區域里，三極管的發射結和集電結都處于反向偏置狀況，三極管失掉了拓寬效果，集電極只需纖細的穿透電流ICEO。

（2）飽滿區：指紫色區域。在此區域內，對應紛歧樣IB值的輸出特性曲線族簡直重合在一同。也便是說，UCE較小時，IC盡管添加，但IC添加不大，即IB失掉了對IC的操控才調。這種狀況，稱為三極管的飽滿。飽滿時，三極管的發射結和集電結都處于正向偏置狀況。三極管集電極與發射極間的電壓稱為集－射飽滿壓降，用UCES標明。UCES很小，一般中小功率硅管UCES＜0.5V。

紫色區域右邊沿線稱為臨界飽滿線，在此曲線上的每一點應有|UCE| = |UBE|。它是各特性曲線急劇拐彎點的連線。在臨界飽滿狀況下的三極管，其集電極電流稱為臨界集電極電流，用Ics標明；其基極電流稱為臨界基極電流，用IBS標明。這時ICS＝βIBS 的聯絡依然樹立。

（3）拓寬區：在截止區以上，介于飽滿區與擊穿區之間的區域為拓寬區。在此區域內，特性曲線近似于一簇平行等距的水平線，iC的改動量與iB的變量根柢堅持線性聯絡，即ΔiC=βΔiB，且ΔiC》》ΔiB ，便是說在此區域內，三極管具有電流拓寬效果。此外集電極電壓對集電極電流的操控效果也很弱，當uCE＞1 V后，即便再添加uCE，iC簡直不再添加，此刻，若IB不變，則三極管能夠當作是一個恒流源。在拓寬區，三極管的發射結處于正向偏置，集電結處于反向偏置狀況。