根據施敏教授的拆分理論，器件由4個基本單元組成。

根據該理論，IGBT用到了3個基本單元：（a）金屬-半導體界面，（b）pn結（d）金屬-氧化層-半導體結構。

以下僅對（b）pn結進行展開。

pn結最重要的參數為 內建電勢 （built-in potential）Vbi，公式如下：

其中，KT/q=0.0259（300K），NA/ND分別為P/N型摻雜濃度，ni為本征摻雜濃度。

耗盡層寬度公式如下（當NA＞＞ND時）：

當增加電壓偏執V后，耗盡層寬度公式如下：

PN處最高場強公式如下：

全文完，客官們輕拍！

并沒有達到想到的目的，待后續更新；

pn結作為基本單元，是玩器件的基礎。花點功夫，費點心思在上面是很值得的！！！