一般情況下，晶振不起振的原因歸納如下：

一、晶片斷裂

分析：晶片的化學(xué)成分為二氧化硅，與玻璃相同，屬于清脆易碎品，在承受較大沖撞、跌落、強(qiáng)震動、溫度環(huán)境極速變化等外力作用的情況下有可能產(chǎn)生破裂、破碎等現(xiàn)象。

解決方案：

1） 晶片破裂是不可逆的物理現(xiàn)象，所以此不良是穩(wěn)定且永恒的不良現(xiàn)象，雖然可造成晶振不起振，但卻較易挑選。晶諾威晶振在出庫前已通過全檢淘汰該類晶振不良品。

2）建議客戶在晶振轉(zhuǎn)運(yùn)過程中，嚴(yán)格遵循“跌落勿用”原則。在運(yùn)輸過程中，應(yīng)對產(chǎn)品加強(qiáng)包裝防護(hù)，避免產(chǎn)品遭受過強(qiáng)沖擊而損壞。

二、 導(dǎo)電膠斷裂

分析：因斷路導(dǎo)致晶振不起振或時(shí)振時(shí)不振。判定為導(dǎo)電膠品質(zhì)NG。

解決方案：晶諾威晶振采用進(jìn)口穩(wěn)定高品質(zhì)膠，可避免該問題發(fā)生。

三、電阻值過大

分析：導(dǎo)致電流強(qiáng)度不足于驅(qū)動晶片正常振動。晶振存放時(shí)間過長，或內(nèi)部空間不夠潔凈，小水滴或雜質(zhì)容易附于晶片表面，會造成晶振工作不穩(wěn)定或停止工作。例如：49U密閉空間較其它封裝更大，晶片長時(shí)間工作，更容易受到污染，發(fā)生頻偏及電阻增大， 造成穩(wěn)定性不夠。

解決方案：建議客戶選取體積較小晶振，避免晶振長時(shí)間存儲。選擇晶諾威晶振，產(chǎn)品內(nèi)部真空，已充氮?dú)猓_保內(nèi)部空間潔凈。

四、 產(chǎn)品電極面存在隱性污染，導(dǎo)致上線后出現(xiàn)電氣參數(shù)變異。

解決方案：建議客戶各工序下班前進(jìn)行衛(wèi)生清潔，清潔方式：使用無塵布蘸酒精對機(jī)臺和工作臺進(jìn)行衛(wèi)生清潔，值班長監(jiān)督檢查。

五、 基座斷裂

分析：晶振基座破裂，晶振遭受破壞性物理外力從而導(dǎo)致內(nèi)部晶片因拉伸或扭曲而斷裂，造成晶振停振。

解決方案：
1） 建議客戶在晶振貼片之前，增加對板子的預(yù)熱動作，避免板子瞬間受熱變形而造成對晶振基座破壞性的物理外力沖擊的可能性發(fā)生。

2）建議客戶在晶振運(yùn)轉(zhuǎn)中，包括倉庫及產(chǎn)線， 嚴(yán)格遵循“跌落勿用”原則。

如出現(xiàn)跌落，踩壓等情形，嚴(yán)禁使用。

六、因焊接操作不規(guī)范造成晶振損壞導(dǎo)致晶振不起振。

分析：解剖發(fā)現(xiàn)，晶片已經(jīng)破損，造成晶振停振

解決方案：針對圓柱晶體停振問題，建議客戶針對晶振導(dǎo)腳焊接工序時(shí)，焊接部位僅局限于導(dǎo)腳到玻璃纖部位1.0mm以上的部位，并且請不要對外殼進(jìn)行焊接。另外，假如利用高溫或長時(shí)間對導(dǎo)腳部位進(jìn)行加熱，會導(dǎo)致晶振內(nèi)部晶片鍍銀層破壞，電阻超差等問題。因此，請留意對導(dǎo)腳部位的加熱溫度要控制在300°C以下，且加熱時(shí)間要控制在5秒以內(nèi)(外殼的部位的加熱溫度要掌握在150°C以下)。另外，焊接中，嚴(yán)禁用力拉扯晶振導(dǎo)腳，以防破壞基座的玻璃纖部位，造成內(nèi)部晶片碰殼受損。

來源：電子匯

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