東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。

自動駕駛系統(tǒng)等高安全級別的應用可通過冗余設計確?？煽啃?，因此與標準系統(tǒng)相比，它們集成了更多的器件，需要更多的表貼空間。所以，要進一步縮小汽車設備的尺寸，需要能夠在高電流密度下表貼的功率MOSFET。

XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用東芝的新型S-TOGL封裝（7.0mm×8.44mm[1]），其特點是采用無接線柱結構，將源極連接件和外部引腳一體化。源級引腳的多針結構降低了封裝電阻。

與具有相同熱阻特性的東芝TO-220SM（W）封裝產(chǎn)品[2]相比，S-TOGL封裝與東芝U-MOS IX-H工藝相結合，可實現(xiàn)導通電阻顯著降低11%。與TO-220SM（W）封裝相比，新型封裝還將所需的表貼面積減少了大約55%。此外，采用新型封裝的產(chǎn)品可提供200A漏極額定電流，高于東芝類似尺寸的DPAK＋封裝（6.5mm×9.5mm[1]）產(chǎn)品，從而實現(xiàn)了大電流。總體而言，S-TOGL封裝可實現(xiàn)高密度和緊湊布局，縮小汽車設備的尺寸，并有助于實現(xiàn)高散熱。

由于汽車設備可能在極端溫度環(huán)境下工作，因此表面貼裝焊點的可靠性是一個關鍵考慮因素。S-TOGL封裝采用鷗翼式引腳，可降低表貼應力，提高焊點的可靠性。

當需要并聯(lián)多個器件為應用提供更大工作電流時，東芝支持這兩款新產(chǎn)品按柵極閾值電壓分組出貨[3]。這樣可以確保設計使用同一組別的產(chǎn)品，從而減小特性偏差。

東芝將繼續(xù)擴展其功率半導體產(chǎn)品線，并通過用戶友好型、高性能功率器件為實現(xiàn)碳中和做出貢獻。

應用

汽車設備：逆變器、半導體繼電器、負載開關、電機驅動等

特性

新型S-TOGL封裝：7.0mm×8.44mm（典型值）

高額定漏極電流：

XPJR6604PB：ID＝200A

XPJ1R004PB：ID＝160A

AEC-Q101認證

提供IATF 16949/PPAP[4]

低導通電阻：

XPJR6604PB：RDS(ON)＝0.53m?（典型值）（VGS＝10V）

XPJ1R004PB：RDS(ON)＝0.8m?（典型值）（VGS＝10V）

主要規(guī)格

審核編輯：湯梓紅