眾所周知，華為是全球備受矚目的“專利大戶”，從5G/6G到通信設(shè)備，再到手機(jī)芯片、操作系統(tǒng)、自動(dòng)駕駛、EVS等均有涉及。而最近，華為又新增了多條專利信息，其中一項(xiàng)便是關(guān)于芯片封裝和制備方法的，這將有利于提高芯片的性能。

根據(jù)企查查公開的信息顯示，這項(xiàng)新專利的名稱為“一種芯片封裝以及芯片封裝的制備方法”，申請(qǐng)日期為2020年12月16日，申請(qǐng)公布日為2023年8月4日，申請(qǐng)公開號(hào)為CN116547791A。

▲圖片來源：企查查

據(jù)悉，這是一種用于簡化芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其形成方法的制造技術(shù)。

根據(jù)專利摘要顯示，該芯片封裝包括基板、裸芯片、第一保護(hù)結(jié)構(gòu)和阻隔結(jié)構(gòu)；該裸芯片、該第一保護(hù)結(jié)構(gòu)和該阻隔結(jié)構(gòu)均被設(shè)置在該基板的第一表面上；該第一保護(hù)結(jié)構(gòu)包裹該裸芯片的側(cè)面，該阻隔結(jié)構(gòu)包裹該第一保護(hù)結(jié)構(gòu)背離該裸芯片的表面，且該裸芯片的第一表面、該第一保護(hù)結(jié)構(gòu)的第一表面和該阻隔結(jié)構(gòu)的第一表面齊平。

其中，該裸芯片的第一表面為該裸芯片背離該基板的表面，該第一保護(hù)結(jié)構(gòu)的第一表面為該第一保護(hù)結(jié)構(gòu)背離該基板的表面，該阻隔結(jié)構(gòu)的第一表面為該阻隔結(jié)構(gòu)背離該基板的表面。

通過這種芯片堆疊結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，旨在簡化芯片堆疊結(jié)構(gòu)的制備工藝，并有利于提高生產(chǎn)效率。該專利對(duì)于芯片封裝行業(yè)具有重要意義，可以加快芯片制造的速度、降低生產(chǎn)成本，并提高芯片的性能和可靠性。

▲專利原理示意圖

該專利一經(jīng)曝光，立即引起了網(wǎng)友的廣泛關(guān)注和討論，例如“華為可以將兩塊14nm制程芯片堆疊在一起，實(shí)現(xiàn)與7nm制程芯片相似的性能和功耗”的說法也隨之流傳開來。

不過，華為官方已經(jīng)多次證實(shí)這是謠傳。因?yàn)椤巴ㄟ^芯片疊加工藝讓兩塊14nm芯片達(dá)到7nm水平”這樣的說法本身就是錯(cuò)誤的，芯片堆疊技術(shù)方案難題包含了熱管理、電氣互聯(lián)、封裝和測試、制造技術(shù)等多個(gè)方面，要想完成這些并非易事。

此外，兩塊14nm芯片堆疊在一起，還要功耗跟7nm相當(dāng)，暫且說可以組合，但這樣實(shí)現(xiàn)后也是通過降頻。要知道，14nm芯片達(dá)到7nm的性能水平就必須功耗翻倍，同時(shí)還得進(jìn)一步擴(kuò)大芯片面積才能塞下更多的晶體管，這顯然脫離了芯片發(fā)展規(guī)律。

雖然這項(xiàng)新專利實(shí)現(xiàn)不了7nm工藝，但卻展現(xiàn)了華為在芯片領(lǐng)域的研發(fā)實(shí)力和創(chuàng)新能力，也為全球芯片行業(yè)的發(fā)展提供了更多新的可能。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，截至2022年，華為持有超過12萬項(xiàng)有效授權(quán)專利，是中國國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局和歐洲專利局2021/2022年度專利授權(quán)量排名第一的公司，也是2022年中國PCT國際專利申請(qǐng)量全球第一的公司。在研發(fā)方面，華為2022年研發(fā)支出超過1600億元，近十年研發(fā)支持超過9700億元。正是這些大手筆研發(fā)投入，讓華為在各領(lǐng)域都能遙遙領(lǐng)先，為消費(fèi)者帶來不斷迭代的新功能、新技術(shù)。

未來，隨著研發(fā)投入的持續(xù)積淀，以及最新芯片堆疊封裝專利技術(shù)的普及與應(yīng)用，我們可以期待華為將在芯片領(lǐng)域取得更多的技術(shù)突破，為中國芯片的發(fā)展注入更多新的動(dòng)力。