起步于2007年，專注于功率半導體器件及功率IC的研發、設計、銷售的瑞森半導體（REASUNOS），將于7月11日-13日亮相2023慕尼黑上海電子展（展位號：7.2H館D320展位）。與眾多行業伙伴，共同聚焦新能源汽車、自動駕駛、智能座艙 、充電樁、綠色能源等新興科技領域，深入探討功率半導體技術在領域的應用及未來發展趨勢。

electronica China慕尼黑上海電子展是電子行業內極具影響力的大規模專業展，也是行業內重要的盛事。瑞森半導體已連續多年參展，本屆展會面積規模計劃擴大至10萬平米,參展企業將達到1600+,預計吸引觀眾7萬人次，將會是電子行業同胞的一場盛會。

瑞森半導體本次展會主打三條產品線，硅基功率器件，碳化硅基功率器件以及功率IC，其中硅基功率器件包括平面高壓MOS，超結MOS，Trench低壓MOS和SGT低壓MOS,產品涵蓋20V-1500V全耐壓段，可以滿足各種不同應用場景；以平面高壓MOS為例，目前國內產品在技術指標上存在的問題主要是高溫（150℃）漏電大以及電磁輻射EMI難解決；產品質量上存在的問題主要是老化考核后產品擊穿電壓（BV）跌落，可靠性難以符合工業要求等問題。瑞森半導體高壓MOS系列采用新型的橫向變摻雜技術，以專有的功率MOS結構，高溫特性優良，同時極大提升了產品的雪崩能量和抗浪涌能力；

碳化硅基功率器件包括碳化硅SBD和碳化硅MOSFET，產品涵蓋650V-1200V-1700V，3300V產品系列在開發中；已實現全球銷售，SiC產品系列完全可實現國產替代。

瑞森半導體超結MOS產品系列，均采用多層外延工藝制作，與傳統的trench工藝相比，具有優異的抗EMI及抗浪涌能力，性能可媲美國際一線品牌。

電源管理IC采用的是1um600VHVIC高壓浮柵工藝，整個系統電源采用CS-CPPPFC+LLC(電流源電荷泵+串聯諧振)技術，是國內唯一一家可以單級方案做到400W以上的大功率并涵蓋高PF、低THD、無頻閃、高效率等優勢的產品系列，其中效率超過94%，PF（功率因數）大于0.96，THD（總諧波失真）在5%以內，頻閃系數<0.03（遠遠優于國標1.15的標準），產品可廣泛應用于教育照明、家居照明、商業照明、學生書房燈、戶外路燈、植物照明、投光燈、景觀照明、體育場館等。

瑞森半導體核心研發第三代寬禁帶半導體技術，研發人員占比40%，具備強大的自主研發能力 。并與湖南大學半導體學院（集成電路學院）深度合作，進行第三代半導體技術的創新研發突破。未來，產品體系發展及完善速度將會加快步伐，將就更高耐壓、更大電流，模塊化等方向以及GaNHEMTs的驅動芯片投入研發。

瑞森半導體服務全球半導體行業市場16年，產品性能、穩定性、一致性均得到市場的認可，本次展會現場除了產品展示外，瑞森半導體功率器件FAE總監及驅動方案研發總監也將坐鎮展會現場，專業解答各類技術問題。更有電源網、芯查查等專訪，同時展會活動現場還有各類福利，誠邀全球客戶觀展。

關于瑞森半導體 （REASUNOS）

瑞森半導體（REASUNOS）起步于2007年，是一家專注于功率半導體器件及功率IC的研發、設計、銷售的國家級高新技術企業， 致力于為全球客戶提供功率半導體整體解決方案。

公司專注于高質、高性能的產品研發，核心研發第三代寬禁帶半導體技術，是國內碳化硅（SiC）產品系列較早實現量產并全球銷售的企業。品質、性能對標國際品牌，成功替代眾多進口系列，助力芯片國產化。在集成芯片領域， 國內首創單級大功率400W高PF無頻閃LED驅動IC，是具備較強競爭力、自主創新的產品。在功率器件領域，就更高耐壓、更大電流，模塊化等發展方向以及GaN HEMTs系列持續投入研發中。

公司產品涵蓋碳化硅MOS、碳化硅二極管、硅基平面MOS、超結MOS、中低壓MOS、LED驅動IC、電機驅動IC和系列ESD&TVS靜電保護器件等，憑借產品可靠性高、參數一致性好等特點，廣泛應用于新能源汽車 、充電樁、光伏、逆變、儲能、白色家電、工業控制和消費類電子等領域。

瑞森半導體始終關注客戶需求，將產品研發放在首要位置，公司于2022年成立瑞森半導體科技（湖南）有限公司，并與湖南大學創建“湖南大學半導體學院產教融合基地”，進行半導體技術與應用創新的深度研發合作。