ST 推出超小型5x6 包裝E-mode PowerGaN SGT65R65AL
SGT65R65AL簡介
SGT65R65AL 是一款 第三代半導體650 V、25 A 增強型 PowerGaN ，結合了完善的封裝技術。由此產生的 G-HEMT 器件提供極低的傳導損耗、高電流能力和超快速開關操作，以實現高功率密度和無與倫比的效率性能。該產品適用于消費性電源和工業用電源，例如：電源適配器、USB-PD充電器、家電、空調、LED照明設備和智慧電表的電源。
關鍵特性:
增強型常關晶體管
非常高的開關速度
高電源管理能力
極低的電容
用于最佳柵極驅動焊盤
零反向恢復電荷
應用領域:
交流-直流轉換器
LED 照明
不間斷電源 (UPS)
Pin腳連接說明:
外型包裝圖片:
極限參數和操作條件:
ST與X廠參數比較:
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
ST
+關注
關注
32文章
1170瀏覽量
130154 -
GaN
+關注
關注
19文章
2176瀏覽量
76152 -
第三代半導體
+關注
關注
3文章
164瀏覽量
7397
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
從型號看實力！仁懋GaN器件命名規則全解析
（E-mode）氮化鎵-GD：耗盡型（D-mode）氮化鎵技術差異：E-mode器件無需負壓關斷，驅動電路更簡化；D-mode需搭配驅動IC實現常閉特性。2.耐壓等級標識-
Nexperia擴展E-mode GaN FET產品組合
市場，包括消費電子、工業、服務器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業內少有、同時提供級聯型或D-mode和
快充電源芯片U876X的主要特性
快充電源芯片U876X產品型號有U8765/U8766，推薦最大輸出功率分別為65W/100W，集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓
Diodes推出65V、2A汽車級同步降壓LED驅動器AL8891Q
近日，Diodes公司宣布推出其最新的AL8891Q LED驅動器，進一步豐富了其符合汽車標準的產品線。這款同步降壓LED驅動器專為車用照明應用而設計，以其出色的性能和全面的保護功能，為行業樹立
TMDSCNCD28P65X controlCARD信息指南
電子發燒友網站提供《TMDSCNCD28P65X controlCARD信息指南.pdf》資料免費下載
發表于 11-12 15:44
?0次下載
釋放TK49N65W5 MOSFET的潛力
TK49N65W5是由東芝設計的一款強大的N溝道MOSFET，專門為尋求高效能和可靠性電子設計的工程師量身定制。這款元件屬于東芝的DTMOS系列，采用超級結結構，在開關電壓調節器中表現出色。在本文
功率GaN加速普及，E-Mode和D-Mode如何選擇？
，全球功率GaN市場規模將會從2022年的1.8億美元增長至13.3億美元，年均復合增長率高達65%。 ? 而功率GaN器件從柵極技術路線上，目前有兩種主流的方向，包括增強型E-Mode和耗盡型D-Mode。那么這兩種技術路線有
SN65HVDA54x-Q1 SN65HVDA54x-5-Q1 具有I/O電平自適應和低功耗模式電源優化的5V Can收發器數據表
電子發燒友網站提供《SN65HVDA54x-Q1 SN65HVDA54x-5-Q1 具有I/O電平自適應和低功耗模式電源優化的5V Can收發器數據表.pdf》資料免費下載
發表于 06-26 10:42
?0次下載
SN65LVDS33.SN65LVDT33.SN65LVDS34.SN65LVDT34高速差分接收器數據表
電子發燒友網站提供《SN65LVDS33.SN65LVDT33.SN65LVDS34.SN65LVDT34高速差分接收器數據表.pdf》資料免費下載
發表于 06-24 10:28
?0次下載
工商網監
評論