Nexperia的銅夾技術(shù)改變了電源封裝的游戲規(guī)則，并繼續(xù)引領(lǐng)性能和效率的步伐。現(xiàn)在，我們大約 90% 的產(chǎn)品系列使用 LFPAK 無(wú)損耗封裝，該封裝早在 2002 年就引入了銅夾，該技術(shù)在裝有我們最新 GaN FET 的新型 CCPAK1212 中占有突出地位。

我們開發(fā)了LFPAK，以滿足計(jì)算行業(yè)在為最新處理器供電時(shí)對(duì)極高電流的需求。隨著每個(gè)新的硅技術(shù)節(jié)點(diǎn)在片上帶來(lái)指數(shù)級(jí)的晶體管，同時(shí)降低電源電壓，峰值電流開始向200 A甚至更高。這擴(kuò)展了業(yè)界參考SO-8晶體管封裝的功能，推動(dòng)電源設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)向更大的封裝，如DPAK甚至D2PAK，以處理這一切。

我們開發(fā)了LFPAK56，以從流行的SO-8封裝尺寸中提供更多功率，因此LFPAK56可以代替DPAK或D2PAK。我們的第一代 25 V MOSFET（以其尺寸 – 56 mm x 5 mm 命名）具有 RDS（開啟）最大漏極電流可與 DPAK 中的類似器件相媲美，盡管占位面積不到尺寸的一半：30 mm2，而 DPAK 的 70 毫米2.銅夾附件取代了芯片和引線框架之間的傳統(tǒng)鍵合線連接，具有巨大的橫截面積，因此大大提高了電氣和熱性能。

起初，業(yè)界持懷疑態(tài)度：這款不到DPAK一半的LFPAK56如何實(shí)現(xiàn)同等的熱性能？有些人懷疑夾子附件的可靠性，盡管物理學(xué)是毋庸置疑的：將夾子直接焊接到芯片上的源極連接上，消除了通常在連接鍵合線的地方出現(xiàn)的高電流密度區(qū)域。因此，銅夾可防止在這些位置形成溫度“熱點(diǎn)”，從而保護(hù)晶體管。

可靠性和熱性能測(cè)試充分表明，LFPAK可以像聲稱的那樣運(yùn)行。LFPAK56還通過(guò)了嚴(yán)格的AEC-Q101汽車認(rèn)證，事實(shí)上，它大大超過(guò)了所有要求。

銅夾還降低了封裝電感，比傳統(tǒng)的引線鍵合封裝低三倍，從而實(shí)現(xiàn)更好的開關(guān)效率和更低的EMI。在當(dāng)今的電源設(shè)計(jì)中，提高開關(guān)效率變得越來(lái)越重要，這些設(shè)計(jì)針對(duì)更高的頻率以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更快的動(dòng)態(tài)響應(yīng)。這就是為什么我們最新的銅夾封裝CCPAK1212是我們新型GaN功率晶體管的絕佳選擇。其寬帶隙技術(shù)在快速開關(guān)設(shè)計(jì)中提供了出色的效率，使GaN和銅夾成為完美的配對(duì)。

審核編輯：郭