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日月光VIPack?平臺系列最新進展FOCoS技術

ASE日月光 ? 來源: ASE日月光 ? 作者: ASE日月光 ? 2022-11-07 17:15 ? 次閱讀
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日月光半導體宣布FOCoS(Fan Out Chip on Substrate)扇出型基板上芯片封裝技術的最新進展,FOCoS為業界創新的系統級封裝整合技術,是VIPack垂直互連整合封裝平臺的6大核心封裝技術之一員,包含兩種不同的工藝流程:Chip First (FOCoS-CF)和Chip Last(FOCoS-CL),提供卓越的板級可靠性(board level reliability)和電氣性能,可以滿足網絡和人工智能應用整合的需求,提供更快、更大的數據吞吐量以及更高效能的運算能力。FOCoS產品組合(FOCoS-CF和FOCoS-CL)這兩種解決方案都可將不同的芯片和覆晶組件封裝在高腳數BGA基板上,從而使系統和封裝架構設計師能夠為其產品戰略、價值和上市時間,設計出最佳的封裝整合解決方案,滿足市場需求。

隨著高密度、高速和低延遲芯片互連的需求不斷增長,FOCoS解決方案突破了傳統覆晶封裝的局限性,可將多芯片或多個異質小芯片(Chiplet)重組為扇出模塊(Fan Out Module)后,再置于基板上,實現封裝級的系統整合。其中FOCoS-CF解決方案利用封膠體(Encapsulant)整合多個小芯片再加上重布線層RDL(Redistribution Layer)的工藝流程,有效改善芯片封裝交互作用(Chip Package Interaction , CPI),在RDL制造階段降低芯片應力上的風險及提供更好的高頻信號完整性,還可改善高階芯片設計規則,通過減少焊墊間距提高到現有10倍的I/O密度,同時可整合來自不同節點和不同晶圓廠的芯片,把握異質整合的商機。FOCoS-CL方案則是先分開制造RDL,再整合多個小芯片的工藝流程,有助于解決傳統晶圓級工藝流程因為RDL的不良率所造成的額外芯片的損失問題,數據顯示FOCoS-CL對于整合高帶寬內存(High Bandwidth Memory, HBM)特別有效益,這也是極其重要的技術領域,能夠優化功率效率并節省空間,隨著 HPC、服務器和網絡市場對 HBM 的需求持續增長,FOCoS-CL提供的性能和空間優勢會越來越明顯。

值得強調的是FOCoS封裝技術的小芯片整合,可整合多達五層的重布線層(RDL)互連,具有L/S 為1.5/1.5μm的細線/距以及大尺寸的扇出模塊(34x50mm2)。還提供廣泛的產品整合方案,例如整合高帶寬內存(HBM)的專用集成電路(ASIC),以及整合串化器/解串化器(SerDes)的ASIC,可廣泛應用于HPC、網絡、人工智能/機器學習(AI/ML)和云端等不同領域。此外,由于不需要硅中介層(Si Interposer)并降低了寄生電容,FOCoS展現了比 2.5D硅通孔更好的電性性能和更低的成本。

日月光研發副總洪志斌博士表示:"FOCoS-CF/-CL的特殊處,在于能夠通過扇出技術擴展電性連接來優化多芯片互連整合,同時實現異質和同質整合,將多個獨立小芯片整合在一個扇出型封裝中。這是業界首創的創新技術,為我們的客戶在滿足嚴格的微型化、高帶寬、低延遲和陸續發展的設計和性能需求上,提供相當大的競爭優勢。"

日月光銷售與營銷資深副總Yin Chang說:"小芯片的架構是目前半導體產業發展趨勢,這種架構需要變革性的封裝技術創新來滿足關鍵的功率和性能要求。作為產業領導者,日月光通過VIPack平臺提供包括FOCoS-CF和FOCoS-CL在內的系統整合封裝技術組合,協助實現 HPC、人工智能、5G和汽車等重要應用。"

FOCoS-CF和FOCoS-CL是日月光在VIPack平臺提供的先進封裝解決方案系列之一, VIPack是一個根據產業藍圖協同合作的可擴展平臺。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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文章出處:【微信號:ASE_GROUP,微信公眾號:ASE日月光】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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