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意法半導(dǎo)體發(fā)布50W GaN功率變換器,面向高能效消費(fèi)及工業(yè)級(jí)電源設(shè)計(jì)

21克888 ? 來源:廠商供稿 ? 作者:意法半導(dǎo)體 ? 2022-04-07 13:53 ? 次閱讀

2022 年 4 月 7 日,中國(guó)——意法半導(dǎo)體 VIPerGaN50能夠簡(jiǎn)化最高50 W的單開關(guān)反激式功率變換器設(shè)計(jì),并集成一個(gè) 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管,使電源的能效和小型化達(dá)到更高水平。

VIPerGaN50 采用單開關(guān)拓?fù)洌珊芏喙δ埽▋?nèi)置電流采樣保護(hù)電路,采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內(nèi)部集成的GaN 晶體管可應(yīng)用于高開關(guān)頻率,從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產(chǎn)品設(shè)計(jì)先進(jìn)的高能效開關(guān)電源 (SMPS),可顯著減少外圍元器件的數(shù)量。

VIPerGaN50 可幫助設(shè)計(jì)人員利用 GaN 寬禁帶技術(shù)來滿足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)范,在全球?qū)崿F(xiàn)節(jié)能降耗和凈零碳排放。目標(biāo)應(yīng)用包括消費(fèi)電源和工業(yè)電源,例如,電源適配器、USB-PD 充電器,以及家用電器、空調(diào)、LED 照明設(shè)備和智能儀表的電源。

該變換器有多種不同的工作模式,在所有輸入電壓和負(fù)載條件下,可最大限度提高電源能效。在高負(fù)載下,準(zhǔn)諧振 (QR) 模式配合零壓開關(guān)可最大限度地減少導(dǎo)通損耗和電磁輻射 (EMI)。在輕負(fù)載下,跳谷底模式可以控制開關(guān)損耗,并利用意法半導(dǎo)體專有的谷底鎖定技術(shù)防止產(chǎn)生人耳可以聽到的噪聲。頻率折返模式配合零壓開關(guān)可確保在輕負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)盡可能高的能效。自適應(yīng)間歇工作模式可以在極低負(fù)載條件下最大程度降低功率損耗。此外,先進(jìn)的電源管理功能可將待機(jī)功率降至 30mW 以下。

芯片內(nèi)置功能確保電源的安全性和可靠性,包括輸出過壓保護(hù)、brown-in/brown-out,以及輸入過壓保護(hù)。還提供輸入電壓前饋補(bǔ)償,以最大限度地減少輸出峰值功率變化。其他安全功能包括嵌入式過溫保護(hù)和最大限度地減少 EMI的頻率抖動(dòng)功能。

VIPerGaN50 現(xiàn)已投產(chǎn),采用 5mm x 6mm QFN 封裝。該器件有免費(fèi)樣片,可在意法半導(dǎo)體的網(wǎng)上商城eSTore 上申購。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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