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東芝推新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET 可大幅提高電源效率

東芝半導體 ? 來源:東芝半導體 ? 作者:東芝半導體 ? 2022-04-01 09:12 ? 次閱讀

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝,適用于工業設備開關電源,其中包括數據中心電源通信基站電源。該產品于今日開始支持批量出貨。

與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產品TPH1500CNH相比,TPH9R00CQH的漏源導通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結構優化促進實現源漏導通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3],從而實現了優異的低損耗特性。此外,開關操作時漏極和源極之間的尖峰電壓降低,有助于減少開關電源的電磁干擾(EMI)。該產品提供SOP Advance和更為廣泛采用的SOP Advance(N)這兩種類型的表面貼裝封裝。

與此同時,東芝還提供各類工具,為開關電源的電路設計提供支持。除了能快速驗證電路功能的G0 SPICE模型,現在還提供能精確再現瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝將進一步擴大其MOSFET產品線,通過減少損耗提高設備電源效率,進而幫助其降低功耗。

應用

通信設備電源

開關電源(高效率DC-DC轉換器等)

特性

優異的低損耗特性(在導通電阻和柵開關電荷及輸出電荷間取得平衡)

卓越的導通電阻:RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)@VGS=10V

高額定結溫:Tch(最大值)=175℃

主要規格

(除非另有說明,@Ta=25℃)

63ebe38a-b125-11ec-aa7f-dac502259ad0.png

注:

[1] 截至2022年3月的東芝調查。

[2] 柵極開關電荷和輸出電荷。

[3] 與現有產品TPH1500CNH(U-MOSⅧ-H系列)相比,該產品將漏源導通電阻×柵開關電荷提高了大約20%,漏源導通電阻×輸出電荷提高了大約28%。

關于東芝電子元件及存儲裝置株式會社

東芝電子元件及存儲裝置株式會社是先進的半導體和存儲解決方案的領先供應商,公司累積了半個多世紀的經驗和創新,為客戶和合作伙伴提供分立半導體、系統LSI和HDD領域的杰出解決方案。

公司23,100名員工遍布世界各地,致力于實現產品價值的最大化,東芝電子元件及存儲裝置株式會社十分注重與客戶的密切協作,旨在促進價值共創,共同開拓新市場,公司現已擁有超過7,110億日元(62億美元)的年銷售額,期待為世界各地的人們建設更美好的未來并做出貢獻。

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原文標題:東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET,可大幅提高電源效率

文章出處:【微信號:toshiba_semicon,微信公眾號:東芝半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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