蘋果13pormax內(nèi)存
蘋果iPhone13系列新機已經(jīng)正式發(fā)布，此次iPhone13帶來了超大存儲容量，下面具體來說一下蘋果13pormax的內(nèi)存。
蘋果13pormax提供128GB、256GB、512GB、1TB四個版本選擇，售價方面，iPhone13pormax的128G售價8999元；256G售價9799元；512G售價11399元；1TB售價12999元。
蘋果13pormax采用6.7英寸（對角線）OLED全面屏，像素分辨率可達2778x1284，支持120hz刷新率。續(xù)航方面，iphone13pormax視頻播放：最長可達 28 小時，流媒體視頻播放：最長可達 25 小時
iphone13pormax使用的是A15仿生芯片，全新6核中央處理器，全新5核圖形處理器和全新16核神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)引擎加持。
編輯：YYX
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
蘋果
+關(guān)注
關(guān)注
61文章
24547瀏覽量
204117 -
iphone13
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
614瀏覽量
11341
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
拋棄8GB內(nèi)存，端側(cè)AI大模型加速內(nèi)存升級
的運行以及相關(guān)應(yīng)用的激增都比較吃內(nèi)存和閃存。就在最近，連蘋果也開始淘汰8GB版本，逐步走向12GB、16GB內(nèi)存。智能終端對存儲容量的需求有增無減，同時也加速更先進存儲規(guī)格的采用。 ? 蘋果
2025年Q1 DRAM內(nèi)存市場步入淡季，價格預(yù)計下滑
入HBM)的合約價格將整體下滑8%至13%，與本季度相比，降幅擴大了5個百分點。 在PC DRAM領(lǐng)域，DDR4內(nèi)存的合約價格預(yù)計將下降10%至15%，而DDR5內(nèi)存的降幅則相對較小，為5%至10
虛擬內(nèi)存不足如何解決 虛擬內(nèi)存和物理內(nèi)存的區(qū)別
虛擬內(nèi)存不足的解決方案 虛擬內(nèi)存不足是計算機用戶經(jīng)常遇到的問題，尤其是在運行大型軟件或多任務(wù)處理時。以下是一些解決虛擬內(nèi)存不足問題的方法： 增加物理內(nèi)存（RAM） ： 這是最直接的解決
虛擬內(nèi)存的作用和原理 如何調(diào)整虛擬內(nèi)存設(shè)置
虛擬內(nèi)存，也稱為虛擬內(nèi)存管理或頁面文件，是計算機操作系統(tǒng)中的一種內(nèi)存管理技術(shù)。它允許系統(tǒng)使用硬盤空間作為額外的RAM（隨機存取存儲器），以彌補物理內(nèi)存（RAM）的不足。虛擬
DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異
DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展，內(nèi)存技術(shù)也在不斷進步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù)，相較于DDR4
DDR內(nèi)存的工作原理與結(jié)構(gòu)
DDR內(nèi)存，全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存），是一種用于計算機和其他
如何檢測DDR內(nèi)存性能
檢測DDR內(nèi)存性能是一個涉及硬件和軟件的綜合過程，可以通過以下幾個步驟來進行： 1. 硬件檢查 1.1 確認內(nèi)存規(guī)格 查看內(nèi)存條標(biāo)簽 ：檢查內(nèi)存條上的標(biāo)簽，確認其規(guī)格，包括DDR類型（
Linux內(nèi)存泄露案例分析和內(nèi)存管理分享
作者：京東科技 李遵舉 一、問題 近期我們運維同事接到線上LB（負載均衡）服務(wù)內(nèi)存報警，運維同事反饋說LB集群有部分機器的內(nèi)存使用率超過80%，有的甚至超過90%，而且內(nèi)存使用率還再不停的增長。接到
內(nèi)存模組n/a怎么解決?
一、內(nèi)存模組n/a問題概述 1.1 內(nèi)存模組的定義 內(nèi)存模組，又稱為RAM（Random Access Memory），是計算機系統(tǒng)中用于存儲數(shù)據(jù)的硬件設(shè)備。它允許處理器快速訪問和處理數(shù)據(jù)，從而
邏輯內(nèi)存和物理內(nèi)存的區(qū)別
邏輯內(nèi)存和物理內(nèi)存是計算機系統(tǒng)中兩個重要的概念，它們在計算機的運行和數(shù)據(jù)處理中起著至關(guān)重要的作用。 1. 物理內(nèi)存（Physical Memory） 物理內(nèi)存，也稱為RAM（Rando
【新品】“億”點震撼！Linux嵌入式STM32MP13工業(yè)核心板
、低功耗、高性價比、高可靠性的嵌入式核心板。ECK10-13xA系列核心板以STM32MP13系列處理器為中心，在板設(shè)計了電源電路、DDR3L內(nèi)存電路、NANDFLA
內(nèi)存緩沖區(qū)和內(nèi)存的關(guān)系
內(nèi)存緩沖區(qū)和內(nèi)存之間的關(guān)系是計算機體系結(jié)構(gòu)中一個至關(guān)重要的方面，它們共同協(xié)作以提高數(shù)據(jù)處理的效率和系統(tǒng)的整體性能。
影響內(nèi)存延遲的因素有哪些
內(nèi)存延遲是指等待對系統(tǒng)內(nèi)存中存儲數(shù)據(jù)的訪問完成時引起的延期，它是衡量內(nèi)存響應(yīng)速度的重要指標(biāo)。影響內(nèi)存延遲的因素眾多，主要包括硬件因素和軟件因素兩大方面。
內(nèi)存時鐘是什么意思
內(nèi)存時鐘是內(nèi)存模塊中一個至關(guān)重要的參數(shù)，它直接關(guān)聯(lián)到內(nèi)存模塊能夠工作的最高頻率。以下是對內(nèi)存時鐘的詳細解析，包括其定義、作用、與內(nèi)存頻率的關(guān)
內(nèi)存與主板接觸不良,怎么解決
內(nèi)存與主板接觸不良是計算機常見的故障之一，可能導(dǎo)致計算機無法啟動、頻繁死機、藍屏等問題。 一、內(nèi)存與主板接觸不良的原因 內(nèi)存條質(zhì)量問題 內(nèi)存條質(zhì)量不佳，可能導(dǎo)致
工商網(wǎng)監(jiān)
評論