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DRAM需求看漲 南亞科投資3000億臺(tái)幣建立10nm制程的12 吋晶圓廠

章鷹觀察 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友整理 ? 作者:章鷹 ? 2021-04-20 14:14 ? 次閱讀

4月20日,DRAM大廠南亞科宣布,將在新北市泰山南林科技園區(qū)興建一座雙層無(wú)塵室的 12 吋先進(jìn)晶圓廠,采用自主研發(fā)的 10nm制程技術(shù),規(guī)劃建置 EUV 極紫外光微影生產(chǎn)技術(shù),月產(chǎn)能約 4.5 萬(wàn)片,計(jì)劃今年底動(dòng)工、2024 年開始第一階段 1.5 萬(wàn)片量產(chǎn),總投資額達(dá)新臺(tái)幣 3000 億元。


進(jìn)入2021年,全球存儲(chǔ)芯片出現(xiàn)了漲價(jià)、缺貨的情況。根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,目前正值DRAM原廠與各大PC OEMs議定2021年第二季合約價(jià)的關(guān)鍵時(shí)期。雖然合約價(jià)議定尚未完成,但根據(jù)現(xiàn)在已經(jīng)擬定的交易當(dāng)中,以主流模組DDR4 1G*8 2666Mbps均價(jià)來(lái)看,其季漲幅已接近25%。此外,TrendForce集邦咨詢研究表明,Server DRAM價(jià)格漲幅也同步擴(kuò)大,加上原先已預(yù)期第二季Specialty DRAM DDR3、DDR4、mobile DRAM與graphics DRAM價(jià)格都將高漲,預(yù)估第二季整體DRAM均價(jià)漲幅將自原先的13~18%;上調(diào)至18~23%,而實(shí)際漲幅依照DRAM原廠產(chǎn)品比重不同也有差異。

美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生對(duì)電子發(fā)燒友記者表示:”展望2021年,我們看到全球GDP增長(zhǎng)約5%,而根據(jù)不同分析師的預(yù)測(cè),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)可達(dá)12%,整個(gè)產(chǎn)業(yè)的金額將達(dá)5020億美元。整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)可達(dá)12%,而在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)當(dāng)中的內(nèi)存與存儲(chǔ)技術(shù)這一領(lǐng)域,預(yù)計(jì)增長(zhǎng)可達(dá)19%,在內(nèi)存與存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域,DRAM產(chǎn)值相比之下又會(huì)比NAND增長(zhǎng)的更快。”業(yè)界大佬一致看好5G基礎(chǔ)設(shè)施、手機(jī)、數(shù)據(jù)中心智能汽車帶來(lái)的DRAM在未來(lái)3-5年的持續(xù)增長(zhǎng)。

南亞科董事長(zhǎng)吳嘉昭表示,擬定新建的先進(jìn)晶圓廠將以 7 年分三階段投資,計(jì)劃 2021 年底動(dòng)工,2023 年底完工開始試產(chǎn),并于 2024 年開始第一階段量產(chǎn),產(chǎn)出顆粒數(shù)將較現(xiàn)有產(chǎn)能增加;新廠預(yù)計(jì)可提供 2000 個(gè)工作機(jī)會(huì),創(chuàng)造上中下游千億元以上產(chǎn)值,并間接創(chuàng)造產(chǎn)業(yè)鏈數(shù)千個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。

吳嘉昭強(qiáng)調(diào),此次投資興建的新廠,是臺(tái)灣首個(gè)自主研發(fā) 10納米的生產(chǎn)工廠,南亞科過(guò)去歷經(jīng)產(chǎn)業(yè)不景氣、同業(yè)整并等艱困挑戰(zhàn),目前為 DRAM 市場(chǎng)關(guān)鍵供貨商,現(xiàn)在并全力發(fā)展 LPDD5,盼透過(guò)先進(jìn)制程研發(fā)能力,為臺(tái)灣 DRAM 產(chǎn)業(yè)能更健康穩(wěn)固。

南亞科總經(jīng)理李培瑛表示,近年來(lái)更積極導(dǎo)入人工智能技術(shù),加速 10 納米級(jí)技術(shù)及產(chǎn)品的自主創(chuàng)新研發(fā),2020 年成功開發(fā)出 10 納米 DRAM技術(shù),并規(guī)劃今年導(dǎo)入量產(chǎn),未來(lái)可生產(chǎn) DDR5、LPDDR5 及 16Gb 高容量等 DRAM 產(chǎn)品,以因應(yīng)未來(lái) 5G 與智慧世代發(fā)展。

本文資料來(lái)自臺(tái)灣矩亨網(wǎng)和全球半導(dǎo)體觀察,本文編輯整理分享。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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