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探析LED光學(xué)特性以及熱學(xué)特性

電子工程師 ? 來源:電子工程世界 ? 作者:電子工程世界 ? 2021-05-05 08:25 ? 次閱讀

LED是利用化合物材料制成pn結(jié)的光電器件。它具備pn結(jié)結(jié)型器件的電學(xué)特性:I-V特性、C-V特性和光學(xué)特性:光譜回應(yīng)特性、發(fā)光光強指向特性、時間特性以及熱學(xué)特性。

LED光學(xué)特性

發(fā)光二極體有紅外(非可見)與可見光兩個系列,前者可用輻射度,后者可用光度學(xué)來量度其光學(xué)特性。

發(fā)光法向光強及其角分布Iθ

發(fā)光強度(法向光強)是表征發(fā)光器件發(fā)光強弱的重要性能。LED大量應(yīng)用要求是圓柱、圓球封裝,由于凸透鏡的作用,故都具有很強指向性:位于法向方向光強最大,其與水平面交角為90°。當(dāng)偏離正法向不同θ角度,光強也隨之變化。發(fā)光強度隨著不同封裝形狀而強度依賴角方向。發(fā)光強度的角分布Iθ是描述LED發(fā)光在空間各個方向上光強分布。它主要取決于封裝的工藝(包括支架、模粒頭、環(huán)氧樹脂中添加散射劑與否)

發(fā)光峰值波長及其光譜分布

LED發(fā)光強度或光功率輸出隨著波長變化而不同,繪成一條分布曲線——光譜分布曲線。當(dāng)此曲線確定之后,器件的有關(guān)主波長、純度等相關(guān)色度學(xué)參數(shù)亦隨之而定。

LED的光譜分布與制備所用化合物半導(dǎo)體種類、性質(zhì)及pn結(jié)結(jié)構(gòu)(外延層厚度、摻雜雜質(zhì))等有關(guān),而與器件的幾何形狀、封裝方式無關(guān)。

無論什么材料制成的LED,都有一個相對光強度最強處(光輸出最大),與之相對應(yīng)有一個波長,此波長叫峰值波長,用λp表示。只有單色光才有λp波長。

譜線寬度

在LED譜線的峰值兩側(cè)±△λ處,存在兩個光強等于峰值(最大光強度)一半的點,此兩點分別對應(yīng)λp-△λ,λp+△λ之間寬度叫譜線寬度,也稱半功率寬度或半高寬度。半高寬度反映譜線寬窄,即LED單色性的參數(shù),LED半寬小于40 nm。

主波長

有的LED發(fā)光不單是單一色,即不僅有一個峰值波長;甚至有多個峰值,并非單色光。為此描述LED色度特性而引入主波長。主波長就是人眼所能觀察到的,由LED發(fā)出主要單色光的波長。單色性越好,則λp也就是主波長。如GaP材料可發(fā)出多個峰值波長,而主波長只有一個,它會隨著LED長期工作,結(jié)溫升高而主波長偏向長波。

光通量

光通量F是表征LED總光輸出的輻射能量,它標(biāo)志器件的性能優(yōu)劣。F為LED向各個方向發(fā)光的能量之和,它與工作電流直接有關(guān)。隨著電流增加,LED光通量隨之增大。可見光LED的光通量單位為流明(lm)。

LED向外輻射的功率——光通量與芯片材料、封裝工藝水準(zhǔn)及外加恒流源大小有關(guān)。目前單色LED的光通量最大約1 lm,白光LED的F≈1.5~1.8 lm(小芯片),對于1mm×1mm的功率級芯片制成白光LED,其F=18 lm。

發(fā)光效率和視覺靈敏度

1 LED效率有內(nèi)部效率(pn結(jié)附近由電能轉(zhuǎn)化成光能的效率)與外部效率(輻射到外部的效率)。前者只是用來分析和評價芯片優(yōu)劣的特性。LED光電最重要的特性是用輻射出光能量(發(fā)光量)與輸入電能之比,即發(fā)光效率。

2 視覺靈敏度是使用照明與光度學(xué)中一些參量。人的視覺靈敏度在λ = 555nm處有一個最大值680 lm/w。若視覺靈敏度記為Kλ,則發(fā)光能量P與可見光通量F之間關(guān)系為 P=∫Pλdλ ; F=∫KλPλdλ

3 發(fā)光效率——量子效率η=發(fā)射的光子數(shù)/pn結(jié)載流子數(shù)=(e/hcI)∫λPλdλ若輸入能量為W=UI,則發(fā)光能量效率ηP=P/W若光子能量hc=ev,則η≈ηP ,則總光通F=(F/P)P=KηPW 式中K= F/P

4 流明效率:LED的光通量F/外加耗電功率W=KηP它是評價具有外封裝LED特性,LED的流明效率高指在同樣外加電流下輻射可見光的能量較大,故也叫可見光發(fā)光效率。品質(zhì)優(yōu)良的LED要求向外輻射的光能量大,向外發(fā)出的光盡可能多,即外部效率要高。事實上,LED向外發(fā)光僅是內(nèi)部發(fā)光的一部分,總的發(fā)光效率應(yīng)為η=ηiηcηe ,式中ηi向為p、n結(jié)區(qū)少子注入效率,ηc為在勢壘區(qū)少子與多子復(fù)合效率,ηe為外部出光(光取出效率)效率。

由于LED材料折射率很高ηi≈3.6。當(dāng)芯片發(fā)出光在晶體材料與空氣接口時(無環(huán)氧封裝)若垂直入射,被空氣反射,反射率為(n1-1)2/(n1+1)2=0.32,反射出的占32%,鑒于晶體本身對光有相當(dāng)一部分的吸收,于是大大降低了外部出光效率。

為了進一步提高外部出光效率ηe可采取以下措施:

1 用折射率較高的透明材料(環(huán)氧樹脂n=1.55并不理想)覆蓋在芯片表面;

2 把芯片晶體表面加工成半球形;

3 用Eg大的化合物半導(dǎo)體作襯底以減少晶體內(nèi)光吸收。有人曾經(jīng)用n=2.4~2.6的低熔點玻璃[成分As-S(Se)-Br(I)]且熱塑性大的作封帽,可使紅外GaAs、GaAsP、GaAlAs的LED效率提高4~6倍。

發(fā)光亮度

亮度是LED發(fā)光性能又一重要參數(shù),具有很強方向性。其正法線方向的亮度BO=IO/A,指定某方向上發(fā)光體表面亮度等于發(fā)光體表面上單位投射面積在單位立體角內(nèi)所輻射的光通量,單位為cd/m2 或Nit。

若光源表面是理想漫反射面,亮度BO與方向無關(guān)為常數(shù)。晴朗的藍天和螢光燈的表面亮度約為7000Nit(尼特),從地面看太陽表面亮度約為14×108Nit。
LED亮度與外加電流密度有關(guān),一般的LED,JO(電流密度)增加BO也近似增大。另外,亮度還與環(huán)境溫度有關(guān),環(huán)境溫度升高,ηc(復(fù)合效率)下降,BO減小。當(dāng)環(huán)境溫度不變,電流增大足以引起pn結(jié)結(jié)溫升高,溫升后,亮度呈飽和狀態(tài)。

壽命

LED發(fā)光亮度隨著長時間工作而出現(xiàn)光強或光亮度衰減現(xiàn)象。器件老化程度與外加恒流源的大小有關(guān),可描述為Bt=BO e-t/τ,Bt為t時間后的亮度,BO為初始亮度。

通常把亮度降到Bt=1/2BO所經(jīng)歷的時間t稱為二極體的壽命。測定t要花很長的時間,通常以推算求得壽命。測量方法:給LED通以一定恒流源,點燃103 ~104 小時后,先后測得BO,Bt=1000~10000,代入Bt=BO e-t/τ求出τ;再把Bt=1/2BO代入,可求出壽命t。

長期以來總認為LED壽命為106小時,這是指單個LED在IF=20mA下。隨著功率型LED開發(fā)應(yīng)用,國外學(xué)者認為以LED的光衰減百分比數(shù)值作為壽命的依據(jù)。如LED的光衰減為原來35%,壽命>6000 h。

熱學(xué)特性

LED的光學(xué)參數(shù)與pn結(jié)結(jié)溫有很大的關(guān)系。一般工作在小電流IF<10mA,或者10~20 mA長時間連續(xù)點亮LED溫升不明顯。若環(huán)境溫度較高,LED的主波長或λp 就會向長波長漂移,BO也會下降,尤其是點陣、大顯示幕的溫升對LED的穩(wěn)定性影響應(yīng)專門設(shè)計散射通風(fēng)裝置。

LED的主波長隨溫度關(guān)系可表示為λp( T′)=λ0(T0+△Tg×0.1nm/℃由式可知,每當(dāng)結(jié)溫升高10 ℃,則波長向長波漂移1nm,且發(fā)光的均勻性、一致性變差。這對于作為照明用的燈具光源要求小型化、密集排列以提高單位面積上的光強、光亮度的設(shè)計尤其應(yīng)注意用散熱好的燈具外殼或?qū)iT通用設(shè)備、確保LED長期工作。

編輯:jq

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