在這篇文章中，小編將對(duì)半導(dǎo)體封裝測(cè)評(píng)設(shè)備中的兩款設(shè)備加以闡述，以增進(jìn)大家對(duì)半導(dǎo)體封裝測(cè)評(píng)的理解。如果你對(duì)本文內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、半導(dǎo)體封裝測(cè)評(píng)引言

半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體生產(chǎn)流程如下：由晶圓制造、晶圓測(cè)試、芯片封裝和封裝后測(cè)試組成。半導(dǎo)體封裝測(cè)試是指將通過測(cè)試的晶圓按照產(chǎn)品型號(hào)及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過程。

隨著技術(shù)發(fā)展，半導(dǎo)體芯片晶體管密度越來越高，相關(guān)產(chǎn)品復(fù)雜度及集成度呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，這對(duì)于芯片設(shè)計(jì)及開發(fā)而言是前所未有的挑戰(zhàn)。另一方面，隨著芯片開發(fā)周期的縮短，對(duì)于流片的成功率要求非常高，任何一次失敗，對(duì)企業(yè)而言都是無法承受的。為此，在芯片設(shè)計(jì)及開發(fā)過程中，需要進(jìn)行充分的驗(yàn)證和測(cè)試。除此之外，半導(dǎo)體制程工藝不斷提升，需要面臨大量的技術(shù)挑戰(zhàn)，測(cè)試變得更加重要。那么，半導(dǎo)體封裝測(cè)評(píng)中會(huì)用到哪些設(shè)備呢？

二、半導(dǎo)體封裝測(cè)評(píng)設(shè)備

（一）減薄機(jī)

由于制造工藝的要求，對(duì)晶片的尺寸精度、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶格結(jié)構(gòu)提出很高要求。因此在幾百道工藝流程中只能采用一定厚度的晶片在工藝過程中傳遞、流片。通常在集成電路封裝前，需要對(duì)晶片背面多余的基體材料去除一定的厚度。這一工藝過程稱之為晶片背面減薄工藝，對(duì)應(yīng)裝備就是晶片減薄機(jī)。減薄機(jī)是通過減薄/研磨的方式對(duì)晶片襯底進(jìn)行減薄，改善芯片散熱效果，減薄到一定厚度有利于后期封裝工藝。

（二）四探針

測(cè)量不透明薄膜厚度。由于不透明薄膜無法利用光學(xué)原理進(jìn)行測(cè)量，因此會(huì)利用四探針儀器測(cè)量方塊電阻，根據(jù)膜厚與方塊電阻之間的關(guān)系間接測(cè)量膜厚。方塊電阻可以理解為硅片上正方形薄膜兩端之間的電阻，它與薄膜的電阻率和厚度相關(guān)，與正方形薄層的尺寸無關(guān)。四探針將四個(gè)在一條直線上等距離放置的探針依次與硅片進(jìn)行接觸，在外面的兩根探針之間施加已知的電流，同時(shí)測(cè)得內(nèi)側(cè)兩根探針之間的電勢(shì)差，由此便可得到方塊電阻值。