三星1nm時代光刻機體積將增加
近日，在日本東京舉辦的ITF論壇上，與ASML合作研發光刻機的比利時半導體研究機構IMEC公布了3nm及以下制程在微縮層面技術細節。
目前，ASML在3nm、2nm、1nm甚至Sub?1nm都已經做出了清晰的路徑規劃，據了解，1nm時代的光刻機在體積方面將會增加不少。
體積增加的主要原因是光學器件增大所致，潔凈室指數也達到天花板。
據悉，在臺積電、三星的7nm、5nm制造中已經引入了NA=0.33的EUV曝光設備，而在2nm后就需要更高分辨率的曝光設備，也就是NA=0.55。
現在，ASML已經完成了0.55NA曝光設備的基本設計（NXE：5000系列），預計將會在2022年實現商業化。
ASML目前在售的兩款極紫外光刻機分別是TWINSCAN?NXE：3400B和TWINSCAN?NXE：3400C，預計3600D計劃在明年年中出貨，其生產效率將會提升18%。
責任編輯:pj
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關注
關注
34文章
15885瀏覽量
182103 -
光刻機
+關注
關注
31文章
1163瀏覽量
48030 -
ASML
+關注
關注
7文章
723瀏覽量
41989
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
電子直寫光刻機駐極體圓筒聚焦電極
電子直寫光刻機駐極體圓筒聚焦電極
隨著科技進步，對電子顯微鏡的精度要求越來越高。電子直寫光刻機的精度與電子波長和電子束聚焦后的焦點直徑有關，電子波長可通過增加加速電極電壓來減小波長，而電子束聚焦后
發表于 05-07 06:03
光刻圖形轉化軟件免費試用
，或者MDP軟件。
現有可免費試用的光刻圖形轉化軟件，可實現最高1nm精度的大型圖形轉換，同時只需要的少量的電腦內存就可以運行。如需要請聯系我，謝謝！
發表于 05-02 12:42
三星在4nm邏輯芯片上實現40%以上的測試良率
似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當地時間17日報道稱，自 1z nm 時期開始出現的電容漏電問題正對三星 1c nm
發表于 04-18 10:52
三星貼片電容封裝與體積大小對照詳解
不同應用場景的需求。本文將詳細介紹三星貼片電容的封裝類型及其對應的體積大小，幫助讀者更好地理解和選擇適合自身需求的電容產品。 一、三星貼片電容封裝類型
三星電子否認1b DRAM重新設計報道
據報道，三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發了業界對三星電子內存產品策略的新
三星否認重新設計1b DRAM
據DigiTimes報道，三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認。 此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內部為解決12
三星電子1c nm內存開發良率里程碑推遲
據韓媒報道，三星電子已將其1c nm DRAM內存開發的良率里程碑時間推遲了半年。原本，三星計劃在2024年底將
三星1c nm DRAM開發良率里程碑延期
(High Bandwidth Memory 4)內存規劃方面產生影響。 原本，三星電子計劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，這是結束開發工作并進入量產階
三星重啟1b nm DRAM設計，應對良率與性能挑戰
近日，據韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內存產品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現狀，三星決定在優化現有1b
光刻機的分類與原理
本文主要介紹光刻機的分類與原理。 ? 光刻機分類 光刻機的分類方式很多。按半導體制造工序分類，光刻設備有前道和后道之分。前道光刻機包括芯片
三星減少NAND生產光刻膠使用量
近日，據相關報道，三星電子在3D NAND閃存生產領域取得了重要技術突破，成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據悉，三星已經制定了未來NAND閃存的生產路線圖，并計劃在這一生產過
用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術介紹
? 本文介紹了用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術。 芯片制造：光刻技術的演進 過去半個多世紀，摩爾定律一直推動著半導體技術的發展，但當光刻機的光源波長卡在193
光刻機的工作原理和分類
，是半導體產業皇冠上的明珠。芯片的加工過程對精度要求極高，光刻機通過一系列復雜的技術手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上，然后使用化學方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖
今日看點丨 2011億元!比亞迪單季營收首次超過特斯拉；三星將于2025年初引進High NA EUV光刻機
1. 三星將于2025 年初引進High NA EUV 光刻機，加快開發1nm 芯片 ? 據報道，三星電子正準備在2025年初引入其首款Hi
發表于 10-31 10:56
?974次閱讀
俄羅斯首臺光刻機問世
的一部分，目前正在對其進行測試，該設備可確保生產350nm的芯片。什帕克還指出，到2026年將獲得130nm的國產光刻機，下一步將是開發90nm
工商網監
評論