2021年1月3日，華懋科技（603306.SH）發布旗下產業基金東陽凱陽科技創新發展合伙企業（有限合伙）（以下簡稱“東陽凱陽”）對外投資公告稱，東陽凱陽于2020年12月30日，與傅志偉、上海博康、徐州博康簽署了《投資協議》及其附屬文件。

華懋科技通過東陽凱陽對徐州博康進行投資，將切入半導體關鍵材料光刻膠領域。此次交易分為首次增資、轉股權以及追加投資權三個部分。

具體來看，東陽凱陽出資3000萬元人民幣向徐州博康增資，增資完成后將持有徐州博康1.186%股權；東陽凱陽向標的公司實控人傅志偉提供共計人民幣5.5億元的可轉股借款，東陽凱陽獲得無條件的轉股權，有權（但無義務）按照協議約定的條件，向傅志偉購買其持有的徐州博康股權；東陽凱陽在行使轉股權的同時，有權（但無義務）按股權轉讓協議約定的條件，以2.2億元的投資款受讓傅志偉持有的徐州博康股權。

徐州博康全稱為徐州博康信息化學品有限公司，成立于2010年，實控人為傅志偉。公司主要從事光刻材料領域中的中高端化學品的研發、生產、銷售。目前主要產品包括高端光刻單體、樹脂系列產品，光刻膠系列產品、添加劑及電子級溶劑、醫藥中間體等，是國內領先的電子化學品高新技術企業。

光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一，特別是近年來大規模和超大規模集成電路的發展，更是大大促進了光刻膠的研究開發和應用。光刻膠已經成為半導體領域的關鍵材料之一。我國自主的光刻膠產業發展，也是我國芯片產業自強打破國外壟斷征程上的重要一環。目的費用對凈利潤造成的影響）孰低的原則計算。

什么是光刻膠？

光刻膠也叫光阻或光阻劑，顧名思義，是用來擋光的，它是一種對光敏感的物質，通過特定光源（如紫外光、離子束等）照射，會發生局部溶解度的變化。光刻膠分為負性膠和正性膠，光照過后變得不可溶的是負膠，反之叫正膠，正膠相對普及一些。

鑒于光刻膠的這種特性，可以用來在納米級的芯片上蝕刻線路圖。我們可以在硅晶圓片上布置一層僅幾納米厚的金屬層，然后在上面涂一層光刻膠。然后我們可以用光把掩膜板，也就是類似“底片”上的電路圖，照射到光刻膠上，讓需要蝕刻的部位受光，需要保留的部位不受光，這就是所謂的“光刻”工藝。

接著，用顯影液把受光的區域洗掉，掩膜板上設計好的線路圖就這么“復制”到硅晶圓片上了。那些暴露出來的金屬層就可以繼續用來加工處理，而未溶解的光刻膠則保護其他部分不受影響。

所以，要把納米級的精細電路圖“畫”到硅片上，就離不開光刻工藝，更離不開光刻膠材料。光刻工藝耗費的成本占總成本的35%，和硅片本身的成本比例（38%）差不多，耗費的時間更是達到總工藝的一半，是半導體生產的最關鍵環節。

其中，光刻膠及其輔助材料耗費的成本占比并不高，分別是5%和7%，但其中的關鍵性、重要性，不能用材料價值來衡量。其技術難點在于精密度，比如在晶圓片上涂膠時，誤差不能超過0.01微米（約10納米），膠體每升含有的金屬雜質必須少于0.1微克，顆粒個數更是幾乎不能有。

而且光刻膠的研究需要昂貴的曝光機，光刻過程需要***等設備，荷蘭ASML***一臺高達1億美元，1年僅能制作20幾臺。光刻膠的分類和技術趨勢光刻膠的分類很多，按照顯示效果，可分為前面提到的正性和負性光刻膠；按照化學結構分類，可分為光聚合型、光分解型、光交聯型和化學放大型。

但筆者認為，比較重要的是按曝光波長分類，因為這體現了加工的分辨率，也反映出未來光刻膠的技術趨勢。按照曝光波長分類，可分為：紫外光刻膠（300~450nm）深紫外光刻膠（160~280nm）極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）電子束光刻膠離子束光刻膠X射線光刻膠通常來說，波長越短，加工分辨率越佳，所以隨著芯片制程工藝的不斷進步，對光刻膠分辨率的要求也越來越高，從微米級到現在納米級的蝕刻，甚至將來可能到原子級的蝕刻。

總體上，光刻膠的技術發展趨勢是波長越來越短。因此，我們可以對光刻膠的分類做個總結。

從上圖可以看出，光刻膠的三大應用場景是PCB、面板和半導體。用于PCB、顯示面板的光刻膠，分辨率要求并不高，紫外全譜即可搞定。“卡脖子”的地方在半導體領域，g線、i線光刻膠用于350納米以上的波長，屬于紫外光刻膠；ArF、KrF光刻膠用于22-150納米波長；22納米以下要用到EUV，屬于極紫外光刻膠。

以上的g線、i線、ArF、KrF等，是光刻膠不同產品類型的名稱，無需對名稱意義做過多深究，只需記住它們的名字，即可對照各企業的產品線，了解它們的技術水平。接下來重點講一下半導體領域要用到的光刻膠產品類型。

（1）g線、i線光刻膠g線、i線光刻膠誕生于20世紀80年代，由近代德國科學家約瑟夫·弗勞恩霍夫命名。

當時的半導體制程還不那么先進，主流工藝在800-1200納米之間，波長436納米的光刻光源即夠用。到了90年代，制程進步到350-500納米，相應地要用到更短的波長，即365納米的光源。

剛好，436納米和365納米分別是高壓汞燈中能量最高、波長最短的兩個譜線，而高壓汞燈的技術已經成熟。

所以，用于500納米以上尺寸半導體工藝的g線，以及用于350-500納米之間工藝的i線光刻膠，被廣泛應用，因為分辨率要求不高，這兩種光刻膠都可用于6寸晶圓片，以及平板顯示等較大面積的電子產品的制作。

因為i線光刻膠還可以用于8寸晶圓片，所以目前市場需求依然旺盛。

（2）ArF、KrF光刻膠到了90年代末，半導體制程工藝發展到350納米以下，g線和i線光刻膠已經無法滿足這樣的需求，于是出現了適用于248納米波長光源的KrF光刻膠，和193納米波長光源的ArF光刻膠。

它們都屬于深紫外光刻膠，和g線、i線有質的區別。隨后的20年里，ArF光刻膠一直是半導體制程領域性能最可靠，使用最廣泛的光刻光源。在21世紀以后，在浸沒光刻、多重光刻等新技術的輔助下，ArF光刻系統突破了此前65nm分辨率的瓶頸，在45nm到10nm之間的半導體制程工藝中，ArF光刻技術仍然得到了最廣泛的應用。

目前，境外晶圓廠主流工藝是14納米，中國大陸晶圓代工龍頭中芯國際的制程是28納米，雖然三星和臺積電已有10納米以下工藝技術，但尚未大規模應用。

因為可以面向當前主流的制程工藝，可用于8寸和12寸晶圓片，ArF光刻膠是市場需求的主流，占比約45%。KrF則多用于8寸晶圓片。

（3）EUV也就是極紫外光刻膠，使用波長為13.5納米的紫外光，可以用于10納米以下的先進制程，但目前EUV***只有荷蘭ASML能制造。

在當下這個2020年，正處于EUV光刻技術誕生，已經流行20年之久的KrF、ArF光刻膠即將面臨技術變革的時期。當前，富士膠片、信越化學、住友化學3家日本龍頭公司合計申請了EUV光刻膠80%以上的專利，其中，JSR和東京TOK有向市場供貨的能力。

市場規模及未來前景2019年全球光刻膠市場規模預計近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%。預計該市場未來3年仍將以年均5%的速度增長，至2022年全球光刻膠市場規模將超過100億美元。

其中，按下游用途不同，可分為面板光刻膠、PCB光刻膠、半導體光刻膠和其他光刻膠，這4種分類的市場占比幾乎相同，平分各約25%的市場份額。

從中國大陸的角度看，本土光刻膠供應規模年化增長率11%，高于全球平均5%的增速。2019年中國光刻膠市場本土企業銷售規模約70億元，全球占比約10%，但仍然以低端的PCB光刻膠為主（占比94%），平板顯示、半導體用光刻膠占比極低（分別是3%、2%），供給需求失衡嚴重。

在以下3種動力的驅使下，光刻膠還會繼續保持高速增長：市場因素：5G、新能源汽車等新興產業本身的需求拉動。政治因素：***勢在必行。產業鏈因素：晶圓制造產能持續向中國大陸轉移，目前中國大陸是僅次于中國臺灣、韓國的第三大生產基地，但增長率遠超前兩者。

在以上3種力量的疊加下，國內光刻膠市場規模將于2020年達到176億元，增速在10-15%。

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