硅晶棒的生產(chǎn)一般主要包括幾個(gè)工序：晶棒成長、晶棒裁切與檢測、外徑研磨。以下是一種生產(chǎn)方式所涉及到的工序細(xì)節(jié)：

一、晶棒成長工序

1）融化

將塊狀的高純度復(fù)晶硅置于石英坩鍋內(nèi)，加熱到其熔點(diǎn)1420°C以上，使其完全融化。

2）頸部成長

待硅融漿的溫度穩(wěn)定之后，將晶種慢慢插入其中，接著將晶種慢慢往上提升，使其直徑縮小到一定尺寸，維持此直徑并拉長100至200毫米，以消除晶種內(nèi)的晶粒排列取向差異。

3）晶冠成長

頸部成長完成后，慢慢降低提升速度和溫度，使頸部直徑逐漸加大到所需尺寸（如5、6、8、12吋等）。

4）晶體成長

不斷調(diào)整提升速度和融煉溫度，維持固定的晶棒直徑，只到晶棒長度達(dá)到預(yù)定值。

5）尾部成長

當(dāng)晶棒長度達(dá)到預(yù)定值后再逐漸加快提升速度并提高融煉溫度，使晶棒直徑逐漸變小，以避免因熱應(yīng)力造成排差和滑移等現(xiàn)象產(chǎn)生，最終使晶棒與液面完全分離。到此即得到一根完整的晶棒。

二、晶棒裁切與檢測

將長成的晶棒去掉直徑偏小的頭、尾部分，并對尺寸進(jìn)行檢測，以決定下步加工的工藝參數(shù)。

三、外徑研磨

由于在晶棒成長過程中，其外徑尺寸和圓度均有一定偏差，其外園柱面也凹凸不平，所以必須對外徑進(jìn)行修整、研磨，使其尺寸、形狀誤差均小于允許偏差。

硅晶棒的五種工藝詳解

硅晶棒的切斷，滾磨，腐蝕工藝介紹。

1、切斷

切斷的目的：沿著垂直于晶體生長的方向，切除硅棒的頭（硅單晶的籽晶和放肩部分），尾部以及外形尺寸小于規(guī)格要求的無用部分，將硅晶棒切成數(shù)段，同時(shí)，對硅棒切取樣片，檢測其電阻率，氧碳含量，晶體缺陷等相關(guān)質(zhì)量參數(shù)。

2、滾磨

無論是采用直拉法或是區(qū)熔法生長的硅單晶棒，一般是按＜100 ＞或＜111 ＞晶向生長的。通過滾磨加工，使其表面整形達(dá)到基本的直徑和直徑公差要求，并確定其定位面的位置及其基本尺寸。

3、腐蝕

為了去除磨削加工過程中的表面機(jī)械損傷和沾污，有利于后道工序的加工，就要對其表面進(jìn)行化學(xué)腐蝕處理。

一份來自瓦克化學(xué)的、申請?zhí)枮镃N201110424941．4（授權(quán)公告號(hào)：CN102555087B）的發(fā)明專利，介紹了一種細(xì)硅棒的方法。

截圖自瓦克化學(xué)在中國國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局網(wǎng)站上的專利文件

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審核編輯：符乾江