想想幾年前的全球半導體芯片市場,真的可謂哀嚎一片,一時間摩爾定律失效的言論可謂此起彼伏。但是在今天,我們不僅看到5nm工藝如期而至,臺積電宣布2nm獲得重大進展,就連光刻機的老大ASML也傳來捷報,全球最先進的1nm EUV光刻機業已完成設計。
ASML已完成1nm光刻機設計
近日,與ASML(阿斯麥)合作研發光刻機的比利時半導體研究機構IMEC公布了3nm及以下制程的在微縮層面技術細節。具體來看,ASML對于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路線規劃,且1nm時代的光刻機體積將增大不少。
顯然,1nm光刻機需要更強大的物理極性,2nm之后需要更高分辨率的曝光設備。目前已經投入量產的7nm、5nm工藝已經引入了0.33NA的EUV曝光設備,而ASML已經完成了0.55NA曝光設備的基本設計,預計在2022年實現商業化。
很高興看到摩爾定律又起效了!
責任編輯:pj
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