不久前,MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領先企業 memsstar 向《電子產品世界》介紹了 MEMS 與傳統 CMOS 刻蝕與沉積工藝的關系,對中國本土 MEMS 制造工廠和實驗室的建議等。
1 MEMS 比 CMOS 的復雜之處
MEMS 與 CMOS 的根本區別在于:MEMS 是帶活動部件的三維器件,CMOS 是二維器件。因此,雖然許多刻蝕和沉積工藝相似,但某些工藝是 MEMS 獨有的,例如失效機理。舉個例子,由于 CMOS 器件沒有活動部件,因此不需要釋放工藝。正因為如此,當活動部件“粘”在表面上,導致設備故障時,就會產生靜摩擦,CMOS 沒有這種問題。
CMOS 器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標準工藝,但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創建圖案。另一方面,MEMS 是采用體硅加工工藝嵌入到硅中,或通過表面微加工技術在硅的頂部形成。
體硅 MEMS 的深反應離子刻蝕(DRIE)也稱為 Bosch 工藝(因為該工藝在 20 世紀 90 年代由 Bosch 開發),是專為 MEMS 設計的一種最老的工藝解決方案。雖然它不是標準的半導體工藝,但現在已應用于三維裸片堆疊中,通過硅通孔(TSV)技術進行蝕刻。此外,表面微加工蝕刻的釋放蝕刻是另外一種需要釋放材料的受控化學蝕刻的特定 MEMS 工藝。
2 將舊 CMOS 轉換為 MEMS 生產線
盡管歐美國家多年來一直在推動 MEMS 創新,但直到現在,還沒有一家建立 MEMS 專用工廠。雖然有些公司有 MEMS 工藝生產線,但它們并不一定是最先進的。相反,是二次利用舊半導體工廠的方式,為它們注入新的活力。將舊 CMOS 半導體制造設備的富余生產能力轉換為 MEMS 生產線可能是中國可以考慮的一種方法。
MEMS 器件不太可能達到 CMOS 器件的產量,理解這一點非常重要。一種器件沒法讓 MEMS 生產線盈利,因為人們不需要 5 萬個初制晶圓。即使是 MEMS 麥克風這種相當高產量的應用,但生產卻分布在多個廠家。
3 中國 MEMS 制造廠和實驗設備的挑戰
總體來看,中國在 MEMS 應用的內部開發方面落后于世界其他先進國家。目前,中國面臨著與歐美國家多年前一樣的制造和設備挑戰,而且隨著歐美國家不斷推進發展,中國較難迎頭趕上。鑒于中國當前與其他國家之間的關系,中國正在加緊發展國內能力,以期獲得獨立供應鏈。
MEMS 產業發展速度快,創新力強。此外,大多數 MEMS 器件都是專用的,沒有像 CMOS 器件那樣大的體量。因此,正確合理的解決方案必須以技術為基礎。
尖端科技是需要成本的。為一家工廠配備已使用了 20 年工藝的傳統 MEMS 設備并非成功之道。重要的是,設備不僅要滿足今天的需要,還要滿足未來 5 ~ 10 年的需要。因此,為應對未來發展的需要,應盡可能選擇最高生產能力的設備是很重要的,以備援未來。
4 MEMS 制造需要外包嗎
要想成為一家成功的中國 MEMS 制造公司,是選擇外包還是建廠?這取決于您的商業模式。MEMS 集成器件制造商(IDM)并不是孤立存在的。成功的 MEMS 制造公司擁有多種 MEMS 產品,能夠處理不同尺寸的晶圓,以及各種材料和工藝。目前,對于中國企業來說,這種能力都在海外——在歐洲或美國。
MEMS 代工廠之所以存在并取得成功,是因為它們為許多不同的公司生產許多不同的 MEMS 產品。例如,ST Microelectronics 成功地使用了代工廠(foundry)模式。
總之,除非你是一個為多家 MEMS 服務的代工廠,否則建立自己的代工廠是沒有意義的。對于中國內部的 MEMS 市場來說,可以采取合作的方式來替代外包,即幾家 MEMS 公司共用一家工廠。歸根結底,選擇最終要帶來最佳的投資回報。
5 良率指標更為關鍵
memsstar 一直專注于技術、工藝和良率。memsstar 通過實現這些目標,來確保客戶在當前和未來都能以最低的成本制造最先進的 MEMS 器件。許多公司把“產量”作為控制成本的一種方法。而 memsstar 深信“良率”這一指標更為關鍵。因為無論你能生產多少器件,如果你的良率只有 50%,那么成本就是 2 倍。
memsstar 的第二個獨特之處在于,所提供的工藝流程貫穿在 MEMS 器件發展演變過程中,始終有效。從研發到大規模生產制造,MEMS 器件經歷了概念驗證、原型制作、試產和生產制造等多個階段。如果在概念設計和可行性階段使用不同的工藝工具,它們可能不會過渡到主流制造設備。memsstar 作為 MEMS 蝕刻和表面涂層方面的專家,提供了專業知識、經驗和專有技術,并且提供從研發到生產的全套設備。memsstar 的 MEMS 產品融合了下一代專有的釋放蝕刻和涂層技術,以及專有和再使用半導體設備。這一系列產品確保 memsstar 能夠提供全套蝕刻和沉積解決方案,以支持 MEMS 開發和生產準備制造。
審核編輯黃昊宇
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