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芯片破壁者(4):兵戈未息的DRAM戰(zhàn)場(chǎng)

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:電子設(shè)計(jì) ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2020-10-30 11:13 ? 次閱讀
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在《芯片破壁者》系列的前三篇中,我們依次講述了晶體管、硅材料、光刻技術(shù)的時(shí)代變局。

至此,制造一塊集成電路(IC)芯片的前期準(zhǔn)備已經(jīng)就緒。接下來(lái)就是大家熟悉的劇情,半導(dǎo)體作為基石,成就了今天無(wú)處不在、繁花似錦的網(wǎng)絡(luò)世界。

而在眾多半導(dǎo)體芯片分支當(dāng)中,計(jì)算機(jī)必不可少的存儲(chǔ)器,就如同宇宙的暗物質(zhì)一樣隱秘,卻占據(jù)著非常重要的位置。

說(shuō)它隱秘,是因?yàn)樵?a href="http://www.asorrir.com/v/tag/1247/" target="_blank">電腦硬件的發(fā)展史中,存儲(chǔ)器所引發(fā)的市場(chǎng)輿論與處理器、顯卡等相比,用“默默無(wú)聞”形容也不過(guò)分。

然而,沉默并不代表不重要,事實(shí)上,作為市場(chǎng)容量最大的芯片存儲(chǔ)器, 圍繞 DRAM 所發(fā)生、你死我活的搏殺,絕對(duì)算得上“驚心動(dòng)魄”。舉個(gè)例子,開(kāi)創(chuàng) DRAM 產(chǎn)業(yè)的“三巨頭”:英特爾德州儀器和 IBM,最終都在 DRAM 市場(chǎng)慘淡收?qǐng)觥?/p>

DRAM 不僅對(duì)電子技術(shù)的發(fā)展起到了推動(dòng)作用,更在各國(guó)半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)中扮演著舉足輕重的角色。今天,我們不妨嗅著戰(zhàn)火硝煙的氣息,回歸那些令人唏噓的歷史現(xiàn)場(chǎng)。

星條旗的隕落:美日半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)的側(cè)影

當(dāng)我們回過(guò)頭去,分析一個(gè)締造了 DRAM 商業(yè)傳奇的國(guó)家產(chǎn)業(yè)區(qū)位是如何從興盛走向衰頹,可以找到許多重要的歷史節(jié)點(diǎn)。比如許多人都將 1970 年代看做是美國(guó) DRAM 產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)折點(diǎn),也是從此時(shí)起,美日進(jìn)入了曠日持久的半導(dǎo)體搶位賽。

但我更想將時(shí)間撥到 60 年代。在邁進(jìn)光輝的 70 年代之前,德州儀器用行動(dòng)證明了列寧的一句話——資本家為了利益,可以出賣(mài)絞死自己的繩子。

這根絞死美國(guó) DRAM 市場(chǎng)主導(dǎo)權(quán)的繩子,就是 DRAM 專(zhuān)利。

在此之前,美國(guó)企業(yè)之間固然有競(jìng)爭(zhēng),但都收獲頗豐。

不論是發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管來(lái)制作存儲(chǔ)器芯片的 IBM,還是制造出第一個(gè)商用 DRAM 芯片、磁芯存儲(chǔ)器殺手 C1103 的英特爾,緊隨其后進(jìn)行拆解仿制的德州儀器,亦或是由德州儀器出走的工程師成立的莫斯泰克……上世紀(jì) 70 年代,是這些美國(guó) DRAM 廠商的黃金時(shí)代,它們壟斷了全球的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器份額。

1974 年,英特爾占據(jù)了全球 82.9%的 DRAM 市場(chǎng)份額。70 年代后期,莫斯泰克 64K 容量的 MK4164 一度占據(jù)了全球 DRAM 市場(chǎng) 85%的份額。

(莫斯特克 4K DRAM)

但產(chǎn)業(yè)失敗轉(zhuǎn)移的伏筆,其實(shí)早在 1966 年就已經(jīng)埋下。

那一年,美國(guó)德州儀器為了打開(kāi)貿(mào)易保護(hù)的日本市場(chǎng),以自己擁有的 IC 制程核心專(zhuān)利進(jìn)行引誘。日本通產(chǎn)省在拿到技術(shù)與保護(hù)本國(guó)市場(chǎng)之間絞盡腦汁,最終在兩年后由日本索尼與德州儀器簽訂了協(xié)議,同意美方在日本設(shè)立合資公司,雙方各占股 50%,條件是三年內(nèi),德州儀器必須向日本公開(kāi)相關(guān)技術(shù)專(zhuān)利。

原本就在集成電路領(lǐng)域有所部署的日本半導(dǎo)體企業(yè),拿到了夢(mèng)寐以求的核心技術(shù),這下還猶豫什么?“搏一搏,單車(chē)變摩托”!

日本內(nèi)存行業(yè)龍頭的 NEC 公司,很快成為日本第一家研制出 DRAM 內(nèi)存的企業(yè)。1970 年,英特爾研制出 C1103 1K DRAM 內(nèi)存后,日本 NEC 在第二年就推出了采用 NMOS 工藝的 1K DRAM 內(nèi)存。

當(dāng)然,此時(shí)的美國(guó)在技術(shù)上依然擁有超強(qiáng)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。同期,美國(guó) DRAM 已經(jīng)用上了超大規(guī)模集成電路(VLSI),而日本還停留在上一代技術(shù)大規(guī)模集成電路(LSI)。

這樣下去當(dāng)然不行,于是日本政府大手一揮,1976 年 3 月啟動(dòng)了"DRAM 制法革新"國(guó)家項(xiàng)目。政府出資 320 億日元,日立、NEC、富士通、三菱、東芝五大企業(yè)聯(lián)合籌資 400 億日元,共計(jì) 2.36 億美元投入到國(guó)家性科研機(jī)構(gòu)——“VLSI 技術(shù)研究所”中。

項(xiàng)目成立后,800 多名技術(shù)精英加入,共同研制日本的高性能 DRAM 制程設(shè)備。短期目標(biāo)是突破 64K DRAM 和 256K DRAM 的實(shí)用化,長(zhǎng)期則計(jì)劃在 10-20 年內(nèi),實(shí)現(xiàn) 1M DRAM 的實(shí)用化。

“氪能改命”在半導(dǎo)體的世界也同樣適用。花足了錢(qián)的日本很快追上了美國(guó)的技術(shù)腳步,1978 年,美國(guó) IBM、莫斯泰克、德州儀器發(fā)布了 64K DRAM 大規(guī)模集成電路產(chǎn)品。同一時(shí)刻,日本的 64K DRAM 產(chǎn)品也問(wèn)世了。日本也借此順利打入國(guó)際市場(chǎng),集成電路的出口迅速增加。

也是由此時(shí)起,日本在 DRAM 市場(chǎng)的霸主地位逐步穩(wěn)固。

1985 年 10 月,英特爾宣布退出 DRAM 市場(chǎng),關(guān)閉了生產(chǎn) DRAM 的七座工廠,離開(kāi)舞臺(tái)。

1986 年,美日簽訂第一次《美日半導(dǎo)體協(xié)議》時(shí),美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)品在日本市場(chǎng)占有率被放寬到了 20%。但此時(shí)的日本早已非吳下阿蒙,憑借此前積累的技術(shù)研發(fā)優(yōu)勢(shì),順利抵抗住了美國(guó)制裁。

也是在這一年,日本 NEC 開(kāi)發(fā)出世界第一塊 4M DRAM。到了 1988 年,全球 20 大半導(dǎo)體廠商中,日本占據(jù)了 11 家,NEC、東芝、日立包攬了前三名,將摩托羅拉、德州儀器甩在了身。次年,IBM 也將合資工廠出售給東芝,退出了 DRAM 市場(chǎng)。

至此,星條旗降下 DRAM 的桅桿,武士刀正式稱(chēng)王,日本成為世界第一大半導(dǎo)體生產(chǎn)國(guó)。

有意思的是,NEC 率領(lǐng)的日本軍團(tuán)在 70 年代末殺入,擊碎了美國(guó)企業(yè)在 DRAM 領(lǐng)域的光環(huán)。但英特爾放棄 DRAM、轉(zhuǎn)入代表未來(lái)的微處理器領(lǐng)域,也是受日本企業(yè)的啟發(fā)。1970 年,在英特爾的高光時(shí)刻,一個(gè)日本電腦商 Busicom 前來(lái)下訂單,要定制一個(gè)包含 ROM、RAM 和 CPU 等 12 個(gè)芯片的處理系統(tǒng),并預(yù)付了 6 萬(wàn)美元。正是這份技術(shù)含量頗高的訂單,促使英特爾在當(dāng)年相繼拿出了 4001(動(dòng)態(tài)內(nèi)存 DRAM)、4002(只讀存儲(chǔ)器 ROM)、4003(寄存器)、4004(微處理器 CPU)等四顆芯片,為后來(lái)開(kāi)發(fā)出 8008 微處理器奠定了基礎(chǔ)。

生與死,協(xié)作與博弈,就這樣以沉默的姿態(tài),在時(shí)代的長(zhǎng)河中被反復(fù)沖刷。有的沉積為河床,有的繼續(xù)向前奔涌。

武士刀的夾擊:小紅靠捧,大紅靠命

向前奔涌的 DRAM 領(lǐng)域“后浪”日本,并沒(méi)能浪出多遠(yuǎn)。

短短兩年后,日本在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)份額就滑落到了 50%以下。這種令業(yè)界咋舌的速度,來(lái)自產(chǎn)業(yè)內(nèi)外的雙重夾擊。

在內(nèi)部,率先交付 4M DRAM 產(chǎn)品的日本企業(yè)并沒(méi)有像預(yù)期的那樣轉(zhuǎn)暖,市場(chǎng)價(jià)格花羅,日系廠商們不得不減產(chǎn)來(lái)穩(wěn)定物價(jià)。

這邊日本在減產(chǎn),而日本扶持的韓國(guó)廠商則抓住機(jī)會(huì),三星、現(xiàn)代、LG 和大宇全部安排資金,進(jìn)入了 DRAM 領(lǐng)域。它們的核心策略就是——價(jià)格戰(zhàn)!

1983 年,三星集團(tuán)出資 1000 億韓元(約 1.33 億美元),進(jìn)軍半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),并聚焦在 DRAM 領(lǐng)域。資金到位了,技術(shù)從哪里來(lái)呢?德州儀器、摩托羅拉等家大業(yè)大,當(dāng)然不需要賣(mài)技術(shù);日本 NEC、東芝、日立等公司也不可能自掘墳?zāi)埂W詈螅窃诒辉谌毡玖畠r(jià) DRAM 產(chǎn)品的擠壓中喘息的美光科技將 64K DRAM 的技術(shù)授權(quán)給了韓國(guó)三星。

“專(zhuān)利販子”三星又從夏普買(mǎi)來(lái)了量產(chǎn)制程設(shè)備,就此上位。

產(chǎn)品做了還要有出路。1986 年,受美日半導(dǎo)體協(xié)議的約束,日本企業(yè)被迫縮減對(duì)美國(guó)的出口,三星也在此時(shí)上位,在美國(guó)市場(chǎng)大獲成功。次年實(shí)現(xiàn)盈利后,三星又積極投入到 1M DRAM 的研發(fā),繼續(xù)追趕日本企業(yè)。

日本企業(yè)一想,價(jià)格戰(zhàn)誰(shuí)不會(huì)。果斷以低于韓國(guó)產(chǎn)品成本一半的價(jià)格大量拋售,打算以此勸退韓國(guó)企業(yè)。結(jié)果韓國(guó)最不缺的就是財(cái)團(tuán),它們懷抱著“傷敵一千、自損八百”的氣勢(shì),跟日本硬剛,不僅抗住了巨額的虧損,還繼續(xù)追加投資。

一通操作下來(lái),韓國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)沒(méi)有被逼退,反而具備了趕超日本的技術(shù)體系。1992 年的時(shí)候,韓國(guó)三星就率先推出了全球第一個(gè) 64M DRAM 產(chǎn)品,超越日本 NEC 成為世界第一大 DRAM 內(nèi)存制造商,從此就沒(méi)下來(lái)過(guò)。

1995 年,微軟即將發(fā)布 Windows 95 操作系統(tǒng),日本 DRAM 廠商試圖借此契機(jī)反攻,奪回王座。

結(jié)果一邊是韓國(guó)廠商一起擴(kuò)張產(chǎn)能,導(dǎo)致 DRAM 價(jià)格狂跌,日本廠商布局了個(gè)寂寞;接下來(lái),1997 年的亞洲金融危機(jī)又加重了市場(chǎng)衰退,全球 DRAM 晶圓廠都面臨虧損風(fēng)險(xiǎn)。一朝被蛇咬的日本廠商,自然不敢繼續(xù)追加投資。

日本的步伐一保守,韓國(guó)廠商就開(kāi)始高歌猛進(jìn)。1996 年時(shí),韓國(guó)三星電子的 DRAM 芯片出口額達(dá)到 62 億美元,穩(wěn)居世界第一。

從此,日本 DRAM 產(chǎn)業(yè)可說(shuō)是一蹶不振。富士通、東芝等相繼退出了 DRAM 市場(chǎng),NEC、日立、三菱則將 DRAM 部門(mén)合并成立爾必達(dá),希望以此對(duì)抗三星。

結(jié)局大家也都知道了,2012 年?duì)柋剡_(dá)的破產(chǎn),正式敲響了日本 DRAM 企業(yè)的喪鐘。

泡菜的滋味,海峽兩岸都想了解

美國(guó)的扶持,為韓國(guó)廠商帶來(lái)了崛起的機(jī)遇,也埋下了致命的隱患。

一是核心供應(yīng)鏈?zhǔn)苤朴谌恕?994 年,韓國(guó)政府推出了半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目,總預(yù)算 2000 億韓元(2.5 億美元),鼓勵(lì)韓國(guó)企業(yè)投資設(shè)廠,搭建自主的設(shè)備和原料供應(yīng)鏈。完整的產(chǎn)業(yè)鏈當(dāng)然不能一蹴而就,僅 1995 年,韓國(guó)就從美國(guó)和日本進(jìn)口了價(jià)值 25 億美元的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。

二是商業(yè)模式難以為繼。長(zhǎng)期價(jià)格戰(zhàn)的結(jié)果就是,韓國(guó) DRAM 廠商背負(fù)著巨額債務(wù)前行,自然成也資本,敗也資本。在 1997 亞洲金融危機(jī)中成功逼退日本廠商的同時(shí),韓國(guó)企業(yè)的平均負(fù)債也達(dá)到了 518%。但很快,建立在資本沙石上的韓國(guó) DRAM 產(chǎn)業(yè)也開(kāi)始搖搖欲墜,現(xiàn)代、大宇等財(cái)團(tuán)瀕臨破產(chǎn),三星也不得不裁員 30%、拋售資產(chǎn)。

在這種境況下,三星還是拒絕了歐美收購(gòu)三星電子的提議,變賣(mài)更多資產(chǎn)留住了半導(dǎo)體的火種。

神奇的事情又來(lái)了,將 16K/64K SRAM 技術(shù)轉(zhuǎn)讓給韓國(guó)現(xiàn)代電子的陳正宇博士,在 1984 年回到中國(guó)臺(tái)灣,創(chuàng)建了茂矽電子(Mosel)。此時(shí),雖然整個(gè)臺(tái)灣的半導(dǎo)體產(chǎn)值只有 3.82 億美元,但依然在積極布局產(chǎn)業(yè)板塊的下一次位移。

另一個(gè)重要的人員變動(dòng),是 1985 年,時(shí)任德州儀器副總裁的張忠謀回到臺(tái)灣設(shè)立 IC 代工廠,解決茂矽等 DRAM 廠商缺少生產(chǎn)的難題。1987 年,臺(tái)積電成立;同年,華邦電子成立,與茂矽共享技術(shù)成果。

放在現(xiàn)在來(lái)看,臺(tái)灣在當(dāng)時(shí)并不缺人,美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)敗退后,一大批硅谷華人也選擇了回臺(tái)灣創(chuàng)業(yè),這些研究人員支撐起了臺(tái)灣半導(dǎo)體的技術(shù)天定;也并不缺錢(qián),1990 年,臺(tái)灣砸 58.8 億元(約 2 億美元)啟動(dòng)了“次微米制程技術(shù)發(fā)展五年計(jì)劃”,以拿下 4M SRAM 和 16M DRAM 的生產(chǎn)能力。

產(chǎn)業(yè)界的參與熱情也十分高漲,1993 年,臺(tái)灣灣電腦主板生產(chǎn)廠力捷電腦的董事長(zhǎng)黃崇仁向日本東芝要貨(DRAM)被拒,就決定投資 4 億新臺(tái)幣成立了力晶半導(dǎo)體。1995 年,臺(tái)灣龍頭企業(yè)臺(tái)塑集團(tuán)也設(shè)立了 8 英寸 DRAM 廠。

但目前來(lái)看,臺(tái)灣 DRAM 廠商的技術(shù)主要來(lái)自于美國(guó)、日本的授權(quán),盡管生產(chǎn)成本低,但技術(shù)費(fèi)用卻很高,占到了銷(xiāo)售額 3%以上。

從日本、美國(guó)獲得制程技術(shù)授權(quán)。每年付出的技術(shù)費(fèi)用,再加上巨額進(jìn)口設(shè)備投資,使得臺(tái)灣企業(yè)根本無(wú)法與掌握自主技術(shù)研發(fā)能力的韓國(guó)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)。世界先進(jìn)的垮臺(tái),最終導(dǎo)致如同無(wú)根之木,注定了失敗命運(yùn)。

在技術(shù)方面缺乏自主研發(fā)能力,成為勒住臺(tái)灣 DRAM 產(chǎn)業(yè)脖頸的繩索。

當(dāng)然,美日韓等一系列全球 DRAM 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性變化中,中國(guó)存儲(chǔ)廠商的動(dòng)作也同樣精彩。

落地到產(chǎn)業(yè)競(jìng)逐機(jī)遇上,移動(dòng)端與大數(shù)據(jù)、AI云計(jì)算等新產(chǎn)業(yè)的興起,正在給 DRAM 領(lǐng)域帶來(lái)新的技術(shù)更迭。

比如能耗上如何滿足數(shù)據(jù)中心的綠色需求、降低移動(dòng)設(shè)備的耗電量,容量增長(zhǎng)速度滿足商用需求等等,在產(chǎn)業(yè)洗牌的同時(shí),也成為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆襲的“終南捷徑”。這部分,我們將放在本系列的單獨(dú)篇章中著重筆墨去講解。

在中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣的積極進(jìn)取之下,韓國(guó) DRAM 廠商必將在一段時(shí)間內(nèi),都處于危機(jī)感在線的緊張時(shí)期。

下一站:DRAM 的威懾紀(jì)元

至此我們不難從 DRAM 產(chǎn)品上看到半導(dǎo)體行業(yè)的破局之難:

有技術(shù)不行,沒(méi)有技術(shù)更不行。存儲(chǔ)器產(chǎn)品設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單,日本廠商作為新進(jìn)者能夠很快與技術(shù)領(lǐng)先的美國(guó)軍團(tuán)相匹敵,是國(guó)際貿(mào)易政策、國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)環(huán)境、企業(yè)文化氛圍等等共同造就的。

光投資不行,沒(méi)有投資更不行。DRAM 每一次制程的更新?lián)Q代,都需要大量的投入,所以日本、韓國(guó)等的產(chǎn)業(yè)集群上位,都離不開(kāi)“舉國(guó)體制”的資本輸血。比如日本政府就為半導(dǎo)體企業(yè)提供了高達(dá) 16 億美元的巨額資金,韓國(guó)研發(fā) 4M DRAM 時(shí)政府承擔(dān)了 57%的研發(fā)費(fèi)用,用三年時(shí)間追平了與日本的技術(shù)差距。

但即便舍得投資,在缺乏專(zhuān)利、技術(shù)自主等的背景下,追趕依然是一件難事。

價(jià)格戰(zhàn)不行,沒(méi)有價(jià)格優(yōu)勢(shì)也不行。成本可以隨著產(chǎn)量規(guī)模的來(lái)彌補(bǔ),但制程的微縮、技術(shù)的迭代,會(huì)讓價(jià)格成本搶奪出的市場(chǎng)空間逐漸縮小,長(zhǎng)期的多方位扶持是必不可少的。

三星在 90 年代連續(xù) 9 年巨虧,韓國(guó)政府和國(guó)內(nèi)財(cái)團(tuán)的資金支持(提供政策性貸款)就起到了關(guān)鍵的輸血作用。

總的來(lái)看,技術(shù)密集+資本密集的產(chǎn)業(yè)特性,企業(yè)發(fā)力+政府支撐的進(jìn)擊需求,交織出了 DRAM 集成電路產(chǎn)業(yè)群的殘酷搏殺。

在這些前提條件的基礎(chǔ)上,是否能像日本這樣有長(zhǎng)期在美國(guó)頂尖實(shí)驗(yàn)室工作的電子人才,像韓國(guó)遇到美日半導(dǎo)體爭(zhēng)端那樣的歷史窗口,像全球大型計(jì)算機(jī)興起的產(chǎn)業(yè)推動(dòng),才有可能獲得一次登上王座的機(jī)會(huì)。

十萬(wàn)年前,人類(lèi)的祖先為了留下信息,在石頭上砸出刻痕,從此,存儲(chǔ)方式就成為信息技術(shù)的支柱。而 DRAM 產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)半個(gè)世紀(jì)的區(qū)位變化,除了技術(shù)本身的競(jìng)逐,也是經(jīng)濟(jì)與政治的博弈。這是一場(chǎng)真正的,現(xiàn)代戰(zhàn)爭(zhēng)。

審核編輯 黃昊宇

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    的頭像 發(fā)表于 06-26 17:06 ?597次閱讀
    攀登<b class='flag-5'>者</b> | 中移芯昇通信<b class='flag-5'>芯片</b>設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的衛(wèi)星通信征程

    聯(lián)盟 PROFIBUS與EtherNet/IP在酒窖握手!

    在釀酒工藝對(duì)溫度、流量控制精度要求極高的場(chǎng)景下,不同通信協(xié)議設(shè)備的協(xié)同成為提升釀造品質(zhì)的關(guān)鍵。PROFIBUS DP與西門(mén)子PLC的穩(wěn)定適配,結(jié)合ETHERNET/IP對(duì)溫度傳感器、自動(dòng)閥門(mén)、流量計(jì)等設(shè)備的靈活調(diào)度需求,通過(guò)協(xié)議轉(zhuǎn)換網(wǎng)關(guān)實(shí)現(xiàn)互聯(lián)互通,為釀酒生產(chǎn)線注入數(shù)字化管理能力。 西門(mén)子PLC作為釀酒控制系統(tǒng)的“大腦”,依托PROFIBUS DP協(xié)議構(gòu)建起可靠的主從站網(wǎng)絡(luò),精準(zhǔn)控制發(fā)酵溫度、原料配比等核心工藝參數(shù)。而溫度傳感器需實(shí)時(shí)回傳發(fā)酵罐溫?cái)?shù)據(jù),
    的頭像 發(fā)表于 06-25 15:05 ?107次閱讀
    <b class='flag-5'>破</b><b class='flag-5'>壁</b><b class='flag-5'>者</b>聯(lián)盟 PROFIBUS與EtherNet/IP在酒窖握手!

    三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率

    %左右開(kāi)始,隨著進(jìn)入量產(chǎn)階段,良率會(huì)逐漸提高”。 星電子將在 12Hi HBM4 中采用 1c nm DRAM 內(nèi)存芯片4nm 邏輯芯片
    發(fā)表于 04-18 10:52

    低噪革命!FOC 算法賦能無(wú)刷機(jī)方案新飛躍

    刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)技術(shù)的引入,更是讓機(jī)在性能、效率以及用戶體驗(yàn)上實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。本文將從電機(jī)特性、功率表現(xiàn)、噪音控制等方面,深入剖析220V無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng)方案,重點(diǎn)突出低速大扭矩
    的頭像 發(fā)表于 04-14 17:04 ?459次閱讀
    低噪革命!FOC 算法賦能無(wú)刷<b class='flag-5'>破</b><b class='flag-5'>壁</b>機(jī)方案新飛躍

    其利天下·無(wú)刷機(jī)驅(qū)動(dòng)方案介紹

    隨著生活節(jié)奏的加速,現(xiàn)代人越來(lái)越注重健康飲食,料理機(jī)逐漸成為了家庭廚房中必備的一款小家電。在當(dāng)下機(jī)市場(chǎng),產(chǎn)品性能和品質(zhì)已然成為各廠商角逐市場(chǎng)份額的關(guān)鍵因素。
    的頭像 發(fā)表于 04-11 19:03 ?991次閱讀
    其利天下·無(wú)刷<b class='flag-5'>破</b><b class='flag-5'>壁</b>機(jī)驅(qū)動(dòng)方案介紹

    NV512H語(yǔ)音芯片IC用于機(jī)的應(yīng)用方案介紹

    在快節(jié)奏生活中,機(jī)成為營(yíng)養(yǎng)制造機(jī),但傳統(tǒng)機(jī)型操作復(fù)雜。家電廠商結(jié)合智能家居趨勢(shì),探索將語(yǔ)音芯片融入設(shè)計(jì)。NV512H語(yǔ)音芯片提升了
    的頭像 發(fā)表于 03-18 14:51 ?330次閱讀
    NV512H語(yǔ)音<b class='flag-5'>芯片</b>IC用于<b class='flag-5'>破</b><b class='flag-5'>壁</b>機(jī)的應(yīng)用方案介紹

    LP2178A非隔離5V0.2A豆?jié){機(jī)/機(jī)電源芯片

    ,適合健康管理人群?。 LP2178A電源芯片適用于豆?jié){機(jī)機(jī)電源上,性能好,價(jià)格優(yōu)勢(shì),實(shí)屬優(yōu)選。 LP2178A產(chǎn)品介紹: LP2178A 是一款高效率高精度的非隔離降壓開(kāi)關(guān)電源恒壓控制驅(qū)動(dòng)
    發(fā)表于 03-13 10:47

    DRAM與NAND閃存市場(chǎng)低迷,DRAM現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)下滑

    般回暖,反而持續(xù)呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢(shì)。這一趨勢(shì)直接導(dǎo)致了DDR4現(xiàn)貨價(jià)格的持續(xù)下滑,盡管市場(chǎng)上存在部分買(mǎi)家對(duì)DDR5產(chǎn)品有特殊需求,并一度引發(fā)了其價(jià)格的臨時(shí)上漲,但整體來(lái)看,DRAM市場(chǎng)的低迷氛圍并未因此得到根本性的改善。 集邦咨詢(xún)的數(shù)據(jù)顯示,目前DDR
    的頭像 發(fā)表于 02-06 14:47 ?540次閱讀

    直流無(wú)刷機(jī)解決方案

    機(jī)是集攪拌、加熱、于一體的家用電器,其機(jī)理是利用高速旋轉(zhuǎn)的刀片和機(jī)身內(nèi)壁的摩擦力,破
    的頭像 發(fā)表于 11-08 11:35 ?2025次閱讀
    直流無(wú)刷<b class='flag-5'>破</b><b class='flag-5'>壁</b>機(jī)解決方案

    TPA3113接4Ω5W喇叭,長(zhǎng)時(shí)間使用會(huì)導(dǎo)致喇叭損壞音的原因?

    TPA3113 接4Ω5W喇叭,長(zhǎng)時(shí)間使用會(huì)導(dǎo)致喇叭損壞音 請(qǐng)協(xié)助分析原因。
    發(fā)表于 10-14 06:23

    AI芯片獨(dú)角獸仞科技啟動(dòng)上市輔導(dǎo)

    近日,備受矚目的AI芯片獨(dú)角獸企業(yè)——上海仞科技股份有限公司正式在上海證監(jiān)局完成輔導(dǎo)備案登記,標(biāo)志著其向首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市的目標(biāo)邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。此次輔導(dǎo)券商選定為國(guó)泰君安,彰顯了市場(chǎng)對(duì)仞科技未來(lái)發(fā)展前景的廣泛認(rèn)可與期待
    的頭像 發(fā)表于 09-12 17:35 ?1103次閱讀

    SK海力士轉(zhuǎn)向4F2 DRAM以降低成本

    SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃,即開(kāi)發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星的步伐,標(biāo)志著SK海力士在DRAM制造領(lǐng)域的新探索。SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
    的頭像 發(fā)表于 08-14 17:06 ?1270次閱讀

    國(guó)產(chǎn)芯片原廠的出路:從風(fēng)潮到現(xiàn)實(shí)的局之路

    國(guó)產(chǎn)芯片原廠的出路:從風(fēng)潮到現(xiàn)實(shí)的局之路
    的頭像 發(fā)表于 08-12 17:54 ?1357次閱讀

    DRAM芯片的基本結(jié)構(gòu)

    如果內(nèi)存是一個(gè)巨大的矩陣,那么DRAM芯片就是這個(gè)矩陣的實(shí)體化。如下圖所示,一個(gè)DRAM芯片包含了8個(gè)array,每個(gè)array擁有1024行和256列的存儲(chǔ)單元。
    的頭像 發(fā)表于 07-26 11:41 ?1833次閱讀
    <b class='flag-5'>DRAM</b><b class='flag-5'>芯片</b>的基本結(jié)構(gòu)