三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上，三菱電機(jī)開發(fā)了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM，本章節(jié)主要介紹全SiC和混合SiC的SLIMDIP產(chǎn)品。

1全SiC、混合SiC SLIMDIP

三菱電機(jī)最新開發(fā)了全SiC、混合SiC的SLIMDIP產(chǎn)品，與超小型全SiC DIPIPM相比，全SiC、混合SiC的SLIMDIP體積更小，其電源也不再需要18V電源，可以在現(xiàn)有Si SLIMDIP封裝的PCB方案上直接替換，兩個型號產(chǎn)品的規(guī)格見下表1。

表1：全SiC、混合SiC的SLIMDIP

2全SiC、混合SiC的SLIMDIP的內(nèi)部電路和優(yōu)勢

圖1為全SiC SLIMDIP的內(nèi)部電路，內(nèi)置了新開發(fā)的SiC MOSFET芯片，其輸出功率較現(xiàn)有硅基RC-IGBT SLIMDIP模塊顯著提高，全SiC SLIMDIP模塊將功率損耗降低了79%(1)，顯著提升家電能效。當(dāng)應(yīng)用于空調(diào)壓縮機(jī)逆變器電路時，更可實(shí)現(xiàn)年功率損耗降低80%(2)。

圖2為混合SiC SLIMDIP的內(nèi)部電路，將SiC MOSFET和RC-IGBT集成到模塊中。采用同一IC來驅(qū)動并聯(lián)的SiC MOSFET和Si RC-IGBT，但是兩者的驅(qū)動時序有所差異。與目前的硅基模塊相比，混合SiC SLIMDIP能夠?qū)⒐慕档?7%(1)。當(dāng)應(yīng)用于空調(diào)壓縮機(jī)逆變器電路時，更可實(shí)現(xiàn)年功率損耗降低41%(2)。

(1) Vcc=300V，fc=5kHz，PF=0.8，M=1，fo=60Hz，三相調(diào)制，與SLIMDIP-L對比。

(2) 基于日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS C9612規(guī)定的四種基本空調(diào)模式運(yùn)行時長（額定制冷、中間制冷、額定制熱和中間制熱），運(yùn)行條件由三菱電機(jī)測算。

圖1：全SiC的SLIMDIP內(nèi)部電路

圖2：混合SiC的SLIMDIP內(nèi)部電路

3全SiC SLIMDIP與超小型全SiC DIPIPM對比

在上一篇《SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用（1）》，我們介紹了超小型全SiC DIPIPM，其與全SiC SLIMDIP的對比見表2。

表2：全SiC SLIMDIP與超小型全SiC DIPIPM對比

兩者的損耗對比（單個芯片）如下圖3所示，全SiC SLIMDIP的損耗相對更低一點(diǎn)。對比工況為：Vcc=310VDC，Io=7.5Apeak，fc=20kHz，SPWM調(diào)制，M=1，fo=50Hz，Vd=15V（PSF15SG1G6），Vd=18V（PSF15S92F6-A6）。

圖3：全SiC SLIMDIP與超小型全SiC DIPIPM損耗對比（單個芯片）

※DIPIPM、SLIMDIP是三菱電機(jī)株式會社的商標(biāo)。

正文完

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三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2025年3月31日的財(cái)年，集團(tuán)營收55217億日元（約合美元368億）。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè)，三菱電機(jī)擁有多項(xiàng)專利技術(shù)，并憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場，三菱電機(jī)從事開發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有69年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。