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三星和SK海力士在DRAM生產導入EUV,美光不跟進

21克888 ? 來源:電子發燒友 ? 作者:Norris ? 2020-10-09 10:34 ? 次閱讀


日前,據韓國媒體報道,三星電子和SK海力士都將在DRAM生產中導入EUV技術,以建立更高的技術壁壘。對此,美光(Micron)企業副總裁、中國臺灣美光董事長徐國晉表示,美光不打算跟進,目前并無采用 EUV 計劃。


目前,三星電子、SK海力士和美光科技占據全球DRAM市場約94%的份額,而三星電子和SK海力士約占74%的份額。

據ETNEWS報道,三星電子上個月開發出的EUV DRAM是基于該公司的第三代10nm級(1z)工藝構建的16Gb LPDDR5 DRAM。該移動DRAM的速度為6,400 Mb / sis,比當今大多數旗艦智能手機中的12Gb LPDDR5(5,500 Mb / s)快16%。當DRAM制成16GB封裝時,它能夠在一秒鐘內處理51.2GB。

不過,EUV光刻機需要大量投資,因為單個EUV光刻機的成本為1.29億美元。該技術還具有很高的技術壁壘。但是,三星電子做出了一項大膽的決定,就是將EUV DRAM商業化。三星電子的下一個目標是將EUV技術應用于基于第四代10nm級(1a)工藝的DRAM,該產品是三星電子的下一代產品。
SK海力士也在致力于EUV DRAM的開發。該公司的未來技術研究所成立EUV光刻研發的工作團隊,并且正在研究EUV光刻所需的必要技術,例如光刻、蝕刻和掩模制造。

SK海力士的目標是將EUV工藝應用于明年年初生產的1a DRAM,該公司還正在制定接下來的路線圖,包括在2022年完成1b EUV DRAM的開發。

預計SK海力士未來將在其M16晶圓廠批量生產EUV DRAM,該工廠被認為是該公司的下一代DRAM生產基地。據悉,該公司已在其利川園區放置了兩臺EUV光刻機。一旦M16晶圓廠的建設在今年年底完成,SK Hynix將開始在M16晶圓廠建造和部署與EUV光刻相關的必要設施和設備。

本文由電子發燒友綜合報道,內容參考自IT之家,網易新聞,轉載請注明以上來源。

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