據(jù)韓媒etnews報道,在“Tech Week 2020 LIVE”活動上,三星電子和SK海力士宣布了各自關(guān)于下一代半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展戰(zhàn)略。其中,三星電子計劃量產(chǎn)業(yè)界首批采用3納米環(huán)繞式棧極(gate-all-around,簡稱GAA)工藝制造的尖端芯片;SK海力士則正準備生產(chǎn)基于極紫外光刻 (EUV)技術(shù)的DRAM。
三星電子表示,該公司計劃通過IBM和英偉達的下一代CPU和GPU的訂單,在全球代工市場上利用GAA技術(shù)開拓下一代產(chǎn)品市場。
三星代工的執(zhí)行董事Kang Moon-soo稱,“我們計劃大規(guī)模生產(chǎn)行業(yè)第一批基于GAA技術(shù)的半導(dǎo)體”。
韓媒指出,截至目前,三星電子和臺積電是業(yè)界僅有的開始開發(fā)GAA工藝的兩家公司。
這也意味著,如果三星電子能夠在量產(chǎn)時程上超越臺積電,三星將能夠抓住機遇,甚至在全球代工市場上領(lǐng)先臺積電。
而SK海力士也將很快量產(chǎn)基于EUV工藝的DRAM。SK海力士未來技術(shù)研究所負責(zé)人Lim Chang-moon表示,“我們計劃從第4代10nm (1a) DRAM開始應(yīng)用EUV工藝。同時我們計劃明年初開始大規(guī)模生產(chǎn)”。
數(shù)據(jù)顯示,全球DRAM市場約94%的份額分別由三星、SK海力士和美光壟斷,兩家韓國公司約占74%的市場份額。
因而,若GAA和EUV DRAM成功落地商業(yè)化,韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的地位將進一步提升。同時,報道指出,EUV DRAM將能進一步擴大韓國半導(dǎo)體企業(yè)與中國半導(dǎo)體企業(yè)之間的差距。鑒于EUV設(shè)備的昂貴成本以及有限的供應(yīng)量,韓國企業(yè)將更有別于中國企業(yè)。
責(zé)任編輯:tzh
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
335文章
28686瀏覽量
233806 -
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15885瀏覽量
182184 -
臺積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5742瀏覽量
169109 -
gpu
+關(guān)注
關(guān)注
28文章
4920瀏覽量
130772
發(fā)布評論請先 登錄
SK海力士增產(chǎn)HBM DRAM,應(yīng)對AI芯片市場旺盛需求
SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準備
SK海力士考慮提供2.5D后端工藝服務(wù)
SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預(yù)計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴大到 16~17 萬片

評論