格芯（GLOBALFOUNDRIES）的22nm FD-SOI（22FDX）平臺上的嵌入式磁隨機(jī)存取存儲器（eMRAM）已正式投入生產(chǎn)。同時(shí)格芯正與多家客戶共同合作，計(jì)劃于2020年實(shí)現(xiàn)多重下線生產(chǎn)。格芯樹立業(yè)界里程碑，證明了eMRAM的可擴(kuò)展性在物聯(lián)網(wǎng)、通用微控制器、邊緣AI和其他低功耗應(yīng)用在進(jìn)階制程節(jié)點(diǎn)上是經(jīng)濟(jì)有效的選擇。

格芯的eMRAM，讓設(shè)計(jì)師能夠擴(kuò)展現(xiàn)有的物聯(lián)網(wǎng)和微控制器單元架構(gòu)，以取得28nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的功耗和密度優(yōu)勢，并作為大容量嵌入式NOR快閃存儲器的替代方案。

格芯的eMRAM是廣泛使用且堅(jiān)固的嵌入式非揮發(fā)性存儲器（eNVM），已通過五項(xiàng)嚴(yán)格的實(shí)際回焊測試，在-40℃到125℃的溫度測試范圍，展現(xiàn)出10萬次循環(huán)耐久性和資料保存期限高達(dá)十年。FDX eMRAM解決方案通過AEC-Q100質(zhì)量等級2之驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)。該解決方案的開發(fā)正在進(jìn)行中，期望可以在明年通過符合AEC-Q100質(zhì)量等級1解決方案之驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)。

格芯汽車與工業(yè)多市場部門資深副總暨總經(jīng)理Mike Hogan表示，格芯致力于透過穩(wěn)定、功能多元的解決方案讓FDX平臺與眾不同，進(jìn)而讓客戶以高性能和低功耗之應(yīng)用來開發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品。格芯的差異化eMRAM，部署在業(yè)界最先進(jìn)的FDX平臺上，為易于整合的eMRAM解決方案提供獨(dú)一無二的高效能RF、低功耗邏輯和整合電源管理組合。讓客戶能夠提供新一代超高性能、低功耗的MCU和已連接的IoT應(yīng)用。

格芯與設(shè)計(jì)合作伙伴今起提供客制化設(shè)計(jì)套件，其中包含可插式套件、4到48兆位硅驗(yàn)證的MRAM巨集以及可選式MRAM支援內(nèi)建測試功能。

eMRAM是一項(xiàng)可擴(kuò)充的功能，預(yù)計(jì)將在FinFET和未來的FDX平臺上應(yīng)用，是eNVM的進(jìn)階規(guī)劃。格芯位于德國德勒斯登Fab1的先進(jìn)12吋晶圓生產(chǎn)線，將會采用MRAM來支援22FDX的批量生產(chǎn)。
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