江波龍2款DDR3產(chǎn)品開始量產(chǎn)
隨著5G物聯(lián)網(wǎng)的大范圍普及，使得智能終端設(shè)備領(lǐng)來了大幅發(fā)展。如今的智能電子終端設(shè)備正朝著更便捷、可穿戴、低功耗的趨勢飛速發(fā)展。
嵌入其中的存儲產(chǎn)品自然也趁勢而行，在日新月異的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、家庭智能應(yīng)用等終端中自如發(fā)揮，施展特長。根據(jù)最新消息報道，江波龍的FORESEE微存儲產(chǎn)品正式量產(chǎn)2款DDR3產(chǎn)品，符合JEDEC標準，容量2Gbit/4Gbit，封裝FBGA 96，已通過對DDR功能、性能、兼容性和可靠性等全方位的高品質(zhì)測試驗證，讀寫速率滿足主流應(yīng)用1866Mbps需求，最高可達2133Mbps。
江波龍表示，每一顆DDR的生產(chǎn)情況都能夠做到來源可查，以保證穩(wěn)定的產(chǎn)品質(zhì)量。這款產(chǎn)品可應(yīng)用于各種智能電子終端設(shè)備當(dāng)中，包括：IPC、執(zhí)法儀、無人機、機頂盒、AI音箱、GPON、POS和智能電視等。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
物聯(lián)網(wǎng)
+關(guān)注
關(guān)注
2931文章
46251瀏覽量
392622 -
DDR
+關(guān)注
關(guān)注
11文章
732瀏覽量
66830
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
在Vivado調(diào)用MIG產(chǎn)生DDR3的問題解析
下面是調(diào)用的DDR3模塊的，模塊的倒數(shù)第二行是，模塊的時鐘輸入，時鐘源來自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時鐘的倍頻。
TPS51116 完整的DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR
TPS51216-EP 增強型產(chǎn)品 完整的 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存電源解決方案 同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （
DDR3 SDRAM配置教程
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DD
燦芯半導(dǎo)體推出DDR3/4和LPDDR3/4 Combo IP
燦芯半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持DDR3
江波龍在MWC 2025首秀，存儲產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新激活移動通信潛力
西班牙時間3月3日，江波龍首次亮相巴塞羅那MWC2025，以“PTM賦能世界移動通信”為主題，攜一系列創(chuàng)新存儲產(chǎn)品參展，引發(fā)廣泛關(guān)注。作為半
三大內(nèi)存原廠或?qū)⒂?025年停產(chǎn)DDR3/DDR4
，DDR5內(nèi)存已成為市場主流，并逐步取代DDR4內(nèi)存。值得注意的是，消費級平臺已不再支持DDR4，這使得DDR4內(nèi)存開始加速向
全球首款NFC PSSD亮相CES 2025，江波龍創(chuàng)新產(chǎn)品備受業(yè)界矚目
1月7日至10日，2025 CES全球消費電子展在美國拉斯維加斯開幕。本屆CES的主題為“Dive In”，聚焦人工智能、可持續(xù)發(fā)展、移動科技和人類安全等前沿領(lǐng)域。江波龍攜全球首款NF
發(fā)表于 01-08 14:43
?300次閱讀
攜手共進，江波龍與電子五所在中山展開深度交流
經(jīng)驗和深厚的技術(shù)實力，其在存儲技術(shù)與產(chǎn)品測試方面的創(chuàng)新成果已廣泛應(yīng)用于多個行業(yè)。電子五所作為國內(nèi)領(lǐng)先的質(zhì)量可靠性共性技術(shù)服務(wù)平臺，一直是江波龍在追求卓越質(zhì)量道路上的重要合作伙伴。雙方強
發(fā)表于 12-31 09:53
?224次閱讀
DDR3、DDR4、DDR5的性能對比
通常在800MHz到2133MHz之間，最新的技術(shù)可以達到8400MHz，但并非普遍標準。其帶寬相比DDR2提高了近30%。 DDR4 ：速度通常在2133MHz到4266MHz之間，傳輸速率比DDR3
江波龍自研SLC NAND Flash出貨量破億
推出5種容量的自研SLC NAND Flash存儲芯片，涵蓋512Mb至8Gb，均采用先進的4xnm和2xnm工藝，并實現(xiàn)量產(chǎn)。這些產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信、安防監(jiān)控、物聯(lián)網(wǎng)及便攜設(shè)備等消費、工業(yè)及汽車領(lǐng)域，為客戶提供多種電壓、封
如何選擇DDR內(nèi)存條 DDR3與DDR4內(nèi)存區(qū)別
隨著技術(shù)的不斷進步，計算機內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR（Double Data Rate）內(nèi)存條作為計算機的重要組成部分，其性能直接影響到電腦的運行速度和穩(wěn)定性。DDR3和DDR4是目前市場上最常
江波龍自研SLC NAND Flash累計出貨突破1億顆
近日，江波龍宣布其自研的SLC NAND Flash存儲器產(chǎn)品累計出貨量已突破1億顆大關(guān)。這一里程碑式的成就，標志著江
江波龍發(fā)布2xnm SLC NAND Flash
在近期于深圳舉行的ELEXCON 2024國際電子展上，江波龍電子以創(chuàng)新姿態(tài)亮相，首次提出了PTM（存儲產(chǎn)品技術(shù)制造）這一前沿商業(yè)模式。該模式深度融合了
DDR3寄存器和PLL數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3寄存器和PLL數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 08-23 11:06
?2次下載
工商網(wǎng)監(jiān)
評論