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干貨 | 從器件的結溫角度探討產(chǎn)品的可靠性

AGk5_ZLG_zhiyua ? 來源:YXQ ? 2019-08-06 18:01 ? 次閱讀
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工程師在設計一款產(chǎn)品時用了一顆9A的MOS管,量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高,經(jīng)重新計算后,換成5A的MOS管,問題就解決了。為什么使用電流裕量更小的MOS管,產(chǎn)品可靠性卻提高了呢?本文將從器件的結溫角度跟你說說產(chǎn)品的可靠性。

工程師在設計的過程中非常注意元器件性能上的裕量,卻很容易忽視熱耗散設計,案例分析我們放到最后說,為了幫助理解,我們先引入一個公式:

其中Tc為芯片的外殼溫度,PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率,Tj表示芯片的結點溫度,目前大多數(shù)芯片的結點溫度為150℃,Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻,Rcs表示外殼至散熱片的熱阻,Rsa表示散熱片到空氣的熱阻,一般功率器件用Rjc進行計算即可。

圖1 功率器件熱阻分布示意圖

舉個例子來說,大家常用的S8050在25℃(Tc)的最大耗散功率是0.625W,額定電流為0.5A,最高結點溫度為150℃,此代入公式有:

從上面公式可以推算出Rja為200℃/W(Rja表示結點到空氣的熱阻)。

假設芯片殼溫(Tc)為55℃,熱耗散功率有0.5W時,此刻芯片結點溫度為:Tj=Tc+PD*Rjc代入得到155℃,已經(jīng)超過了最高結溫150℃了。故需要降額使用,然而降額曲線在數(shù)據(jù)手冊中并未標注,所以小編只能自行計算。

在25℃(Tc)時有公式:

恒成立。

把線性降額因子設為F,則在任意溫度時有:

代入已知參數(shù)得到F>5mW/℃。一般為了滿足裕量要求,降額因子往往取得更大才能滿足可靠性設計要求。

由于小晶體管和芯片是不帶散熱器的,這時就要考慮殼體到空氣之間的熱阻。一般數(shù)據(jù)手冊會給出Rja(結到環(huán)境之間的熱阻)。那么三極管S8050,其最大功率0.625W是在其殼溫25℃時取得的。倘若環(huán)境溫度剛好為25℃,芯片自身又要消耗0.625W的功率,那么為了滿足結點不超過150℃,唯一的辦法就是讓其得到足夠好的散熱,如下圖所示。

圖2 場效應管散熱片

好了,我們把問題轉回到最初的場效應管為什么需要從9A變成5A性能更可靠的問題上。

場效應管的損耗通常來自導通損耗與開關損耗兩種,但在高頻小電流條件下以開關損耗為主,由于9A的場效應管在工藝上決定了其柵極電容較大,需要較強的驅動能力,在驅動能力不足的情況下導致其開關損耗急劇上升,特別在高溫情況下由于熱耗散不足,導致結點溫度超標引發(fā)失效。

如果在滿足設計裕量的條件下?lián)Q成額定電流稍小的場管以后,由于兩種場管在導通內(nèi)阻上并不會差距太大,且導通損耗在高頻條件下相比開關損耗來說幾乎可以忽略不計,這樣一來5A的場管驅動起來就會變得容易很多,開關損耗降下去了,使用5A場管在同樣的溫度環(huán)境下結點溫度降低在可控范圍,自然就不會再出現(xiàn)熱耗散引起的失效了,當然遇到這種情況增強驅動能力也是一個很好的辦法。

圖3 開關器件損耗分析示意圖

通常大多數(shù)芯片的結點溫度是150℃,只要把結點溫度控制在這個范圍內(nèi)并保持一定裕量,從熱耗散的設計角度來說都是沒有問題的。如果下次你找遍了芯片的器件性能指標均發(fā)現(xiàn)有一定裕量卻無法找到失效原因時,不妨從熱耗散的角度來發(fā)現(xiàn)問題,興許能幫上大忙。

總結:電源模塊在實際應用中,通常面臨著高溫環(huán)境,因此在在設計電源時,本文只通過場效應管的結溫來開題,真正的電源產(chǎn)品可靠性需要考慮所有器件的結溫與可靠性,如果選用成品電源,不管是模塊電源、普通開關電源、電源適配器等,這部分的工作一般都由電源設計廠家完成。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:如何通過結溫評估器件的可靠性?

文章出處:【微信號:ZLG_zhiyuan,微信公眾號:ZLG致遠電子】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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