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FD-SOI爆發的唯一短板是IP?

YCqV_FPGA_EETre ? 來源:YXQ ? 2019-08-06 16:13 ? 次閱讀

論壇的圓桌論壇環節,FD-SOI產業鏈大佬們集聚一堂共話FD-SOI未來,當然,大家對FD-SOI未來都很樂觀,但是對于FD-SOI工藝真正大爆發稍有異議,Handel Jones認為需要3年左右會有大爆發,他的觀點是一年IP ,一年設計,一年制造迎來這個工藝爆發。

不過SOI晶圓主要提供者Soitec CEO Paul Boudre則表示他認為后年1Q左右就可以迎來FD-SOI工藝大爆發,也許他有三星和GF晶圓的forecast所以比較樂觀吧,在我會后對Soitec高管的采訪中,他們都表示三星相比GF更激進,對晶圓有很大的需求,同時他們也表示,SOI晶圓供應充足,足以應付 即將到來的大爆發。

在私下與本土IC業者的交流中,很多人表示已經在GF或者三星流片基于FD-SOI工藝的芯片,但是在FD-SOI工藝遷移中也發現一些問題,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。

在論壇上的多位專家也談到FD-SOI工藝的IP問題,怎么辦呢?芯原微電子戴偉民博士表示FD-SOI生態系統還需要加快建設,尤其在IP方面,目前芯原和GF、三星聯合開發了很多FD-SOI接口,如IMIPI、USB等接口IP,也包括ADC、收發器模擬產品,還包括PLL甚至溫度傳感器IP等?!暗@是一個過程,FD-SOI聯盟都有制定計劃,這兩年的目標都是完成的。”他表示。

作為FD-SOI工藝最熱心的推手之一,戴博士一直希望本土IC公司能利用這個工藝實現差異化突破,他說芯原幫助客戶設計的用于汽車自動駕駛的L4 ADAS SoC芯片已經流片,由于采用了FD-SOI工藝,這顆芯片功耗大大降低!

他認為物聯網時代本土IC廠商的機會很大,通過FD-SOI工藝可以獲得成本性能的競爭優勢,“FD-SOI可以集成RF部件,又有低功耗優勢,利用這個工藝可以實現完整的物聯網方案,大家不一定都要去采用FinFET工藝,可以兩條腿走路?!彼麖娬{。目前在中國已經形成了FD-SOI完整產業鏈。

在論壇上,我感覺到大家都還是希望FD-SOI領域出現一只領頭羊,尤其在中國(因為中美貿易戰的緣故),目前格芯成都12寸廠被大家寄予厚望,這座投資百億美元的晶圓廠預計2019年將開始量產FD-SOI器件,因此與會者都迫切希望知道這個計劃是不是可以如期進行,GF的Morgenstern在演講中也特別談到了GF在中國的戰略,特別指出GF將于成都緊密合作促進22FDX中國順利量產!

可以說,隨著FD-SOI逐漸被產業接受,目前全球FD-SOI都在看中國,而中國在看GF格芯廠!不過,據老張私下消息,近日就將有關于格芯成都廠的利好消息發布,大家靜候佳音!

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原文標題:FD-SOI:萬事俱備,只欠IP?

文章出處:【微信號:FPGA-EETrend,微信公眾號:FPGA開發圈】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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