等歐洲主要市場的需求。”
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Soitec 首席執行官 Paul Boudre 表示:“對于我們專注的充滿活力的市場，FD-SOI 是一項重要技術，對于我們行業和客戶，它是一個重要的增長動力
2022-04-21 17:18:48
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臺灣半導體制造公司的董事長兼首席執行官張忠謀在上周五表示，預計該公司將在2013年得到幾乎全部的28nm制程的市場份額
2013-01-18 16:25:28999 意法半導體宣布，其28納米FD-SOI技術平臺在測試中取得又一項重大階段性成功:其應用處理器引擎芯片工作頻率達到3GHz，在指定的工作頻率下新產品能效高于其它現有技術。
2013-03-13 09:40:241436 
Analog Devices， Inc. （NASDAQ：ADI），沉痛地宣布ADI公司首席執行官Jerald G. Fishman先生因心臟病突發于美國當地時間3月28日晚辭世，享年67歲。
2013-04-01 13:56:27912 意法半導體獨有的FD-SOI技術配備嵌入式存儲器，有望突破更高性能，以實現更低工作功耗和更低待機功耗。
2013-11-09 08:54:091358 美元。##目前，IBM與ST在32nm與28nm上提供FD SOI工藝，IBM的產能最大，ST的產能小。##對于FinFet，完成一個14/16nm的設計，成本高達2.127億美元。
2014-10-20 11:03:1018267 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體廠商應該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術。
2015-07-07 09:52:223877 半導體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開發出支援4種技術制程的22nm FD-SOI平臺，以滿足新一代物聯網（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導體
2015-10-08 08:29:221033 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯網（IoT）與汽車市場取代鰭式場效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對于許多人來說，業界主導廠商代表出席一場相關領域的業界活動，象征著為這項技術背書。
2016-04-18 10:16:033258 
芯片制造的重點永遠是成本。從28nm HKMG工藝轉換到14nm FinFET工藝，將會增加50%的成本，這個代價值得嗎？雖然FinFET能實現令人印象深刻的性能數據。
2016-05-11 09:33:191432 
Globalfoundries技術長Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發后續制程。
2016-05-27 11:17:321232 Samsung Foundry行銷暨業務開發負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該公司的技術藍圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發性記憶體將分兩階段發展，首先是在
2016-07-28 08:50:141138 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當14納米節 點，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設計成本也低25%左右，并降低了需要重新設計的風險。
2016-09-14 11:39:022000 
晶體管（FinFET）制程技術外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場，并推出22納米及12納米FDX制程平臺，搶攻物聯網商機。
2016-11-17 14:23:22970 5G時代將對半導體的移動性與對物聯網時代的適應性有著越來越高的要求。此時，FD-SOI與RF-SOI技術的優勢日漸凸顯，人們對SOI技術的關注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5712561 全球領先的半導體知識產權（IP）供應商Imagination科技有限公司（以下簡稱Imagination）今日宣布：李力游博士（Dr. Leo Li）正式接任該公司的首席執行官（CEO）。
2018-04-03 15:22:1612671 格芯Fab1廠總經理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當前戰略中心與創新的源泉。
2018-09-20 09:30:199783 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品，包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA
2021-07-07 11:22:416234 在工藝進程方面，i.MX RT500使用了28nm FD-SOI耗盡型絕緣硅工藝，該工藝的優勢在于能夠在提升處理器主頻性能的同時，盡可能控制功耗。
2021-12-23 11:10:331849 
絕緣體上硅(FD-SOI)技術開發10納米低功耗工藝技術模塊，該技術未來將進一步向7納米拓展，這也是浸沒式DUV光刻技術的極限。該機構透露，FD-SOI新一代工藝將與18、22和28nm的現有設計兼容，并且還將包括嵌入式非易失性存儲器(eNVM)工藝。該項目由法國政府獨立于《歐盟芯片法案》提供資金。
2023-07-20 10:54:19480 即便不考慮RF設備和工藝類型的變革，當今RF市場的挑戰也足以令人望而生畏。Cavendish Kinetics公司總裁兼首席執行官Paul Dal Santo表示：“幾年前，RF還是一項相當簡單
2017-07-13 08:50:15
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術是一種新的工藝技術，有望成為其30納米以下的技術節點中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
工藝節點中設計，但是 FD-SOI 技術提供最低的功率，同時可以承受輻射效應。與體 CMOS 工藝相比，28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數據轉換器需要同時具有高帶寬和低功耗，以
2023-02-07 14:11:25
即便不考慮RF設備和工藝類型的變革，當今RF市場的挑戰也足以令人望而生畏。Cavendish Kinetics公司總裁兼首席執行官Paul Dal Santo表示：“幾年前，RF還是一項相當簡單
2017-07-13 09:14:06
1月22日，Altera 在北京展示了號稱業界最全面的28nm 最新技術及強大解決方案。Altera公司的多位工程師為在京的媒體人士進行了講解。
2019-08-21 07:37:32
半導體為代表的歐洲半導體科研機構和公司相繼迎來技術突破，快速發展，為MRAM的商業化應用埋下了伏筆。 2014年，三星與意法半導體簽訂28nm FD-SOI技術多資源制造全方位合作協議，授權三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術優勢？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應用？
2021-06-26 07:14:03
如何開始著手學習或者說有哪些相關的書籍
2017-08-01 16:30:30
急求，有沒有大佬可以分享一下GF的45nm SOI RF庫？
2021-06-22 06:49:40
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
之前只用過tsmc 65nm的，在設置電感時候是有indcutor finder的工具的，28nm下沒有了嗎？只能自己掃描參數一個一個試？28nm下是沒有MIM電容了嗎？相關的模擬射頻器件（比如
2021-06-24 06:18:43
請問工程師，C2000系列產品的制程是45nm還是28nm？同一款新片可能采用不同的制程生產嗎？
2020-06-17 14:41:57
CSA集團新任總裁兼首席執行官訪華
CSA集團新任總裁兼首席執行官Ash Sahi先生近日開始了他在中國為期一周的訪問，這是Ash Sahi先生就任新職后首次訪問中國。CSA集
2009-12-12 09:24:55929 Altium任命沈宇豪為大中國區首席執行官
Altium日前宣布任命沈宇豪為大中國區的地區首席執行官（Regional CEO）。同時，大中國區從銷售區域提升為地區性業務部門。
2010-01-06 10:52:451146 Altium任命沈宇豪為大中國區首席執行官
Altium日前宣布任命沈宇豪為大中國區的地區首席執行官（Regional CEO）。同時，大中國區從銷售區域提升為地區性業務部門。&nb
2010-01-04 17:10:01657 22nm以后的晶體管技術領域，靠現行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術都不需要向通
2010-06-23 08:01:42661 22nm以后的晶體管技術領域，靠現行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421600 IBM、ARM同一批半導體生產商正在進行一項關于小功率SOI芯片組的研究計劃，打算將采用體硅制成的CMOS設計轉換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56488 NVIDIA首席執行官黃仁勛在與分析師的電話會議當中表示，該公司將在最近的幾個月里有不斷增加資本支出，伴隨著低于預計的季度毛利率。NVIDIA同時指責臺積電28nm工藝代工的開普勒芯片
2012-02-20 08:39:14842 意法半導體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實驗室和設計公司將可透過CMP的硅中介服務採用意法半導體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501288 Intersil公司今天宣布總裁兼首席執行官Dave Bell辭職,Intersil董事會已任命董事會成員James Diller先生為臨時總裁兼首席執行官，立即生效。
2012-12-11 16:22:55731 日前，意法半導體（ST）宣布位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術，這證明了意法半導體以28奈米技術節點提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術的能力。
2012-12-14 08:45:27886 16/10nm之間搗鼓了一個12nm，其實就是16nm的深度改良版，號稱可帶來更高的晶體管集成度、更好的性能、更低的功耗，可以更好地競爭三星14nm、GlobalFoundries 12nm FD-SOI。
2017-05-13 01:07:141307 AMD剝離出來的代工廠GlobalFoundries(經常被戲稱為AMD女友)近日迎來好消息，上海復旦微電子已經下單采納其22nm FD-SOI工藝(22FDX)。
2017-07-11 08:56:221008 據報道,意法半導體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術領導力，格芯FDX技術將賦能ST為新一代消費者和工業應用提供高性能、低功耗的產品。
2018-01-10 16:04:426147 集微網消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導體供應商意法半導體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術平臺，以支持用于工業及消費性
2018-01-10 20:44:02840 GlobalFoundries的FD-SOI技術已經略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導體（ST）的大單進補，在第二代FD-SOI技術解決方案領域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031517 集中在28nm，但是下一代的18nm將不會太遠。FD SOI工藝將以28FDS和18FDS為基礎，提供基礎的工藝服務，未來將開發RF和eMRAM技術。
2018-04-10 17:30:001842 ST表示，與傳統的塊狀硅技術相較，FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性，而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容；此外該技術能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:00803 物聯網FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術，除了即將量產的7奈米FinFET尖端制程，以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術的5奈米制程節點，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002508 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術取得了36項設計訂單，其中有超過十幾項設計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競爭對手三星則預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134718 格羅方德半導體今日發布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖，從而延續了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
2018-05-14 15:54:002574 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術平臺已通過AEC-Q100(2級)認證，準備投入量產。作為業內符合汽車標準的先進FD-SOI
2018-05-25 11:20:001590 微軟首席執行官Satya Nadella在最近的一次投資者會議上表示：“人工智能將成為未來技術發展的重要趨勢之一。”
2018-06-08 14:27:553154 生產FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產），三星代工廠（28納米工藝投產中，18納米工藝計劃投產），以及格芯代工廠（22納米工藝投產中，12納米計劃投產）。
2018-08-02 11:35:244601 晶圓代工大廠格芯在28日宣布，無限期停止7納米制程的投資與研發，轉而專注現有14/12納米FinFET制程，及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002271 今天，Globalfoundries（簡稱GF）宣布無限期停止7nm工藝的投資研發，轉而專注現有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:012998 日前，格羅方德宣布停止7nm工藝的投資研發，轉而專注現有14/12nm FinFET工藝和22/12nm FD-SOI工藝。
2018-09-03 16:41:425341 昨天Globalfoundries公司宣布退出7nm及未來的先進工藝之爭，專注14/12nm FinFET及22nm FD-SOI工藝，雖然他們還提到了未來某天有可能殺回來，但是這對市場已經沒什么影響了。
2018-09-04 11:08:362282 Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應，滿足當下及未來消費品、物聯網和汽車應用等領域的需求，確保FD-SOI技術大量供應。
2019-01-22 09:07:00610 隨著FD-SOI技術在系統芯片(SoC)設備的設計中越發受到關注，Soitec的業務也迎來了蒸蒸日上的發展，從其最新的財務報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122934 公司首席財務官及7個月的英特爾臨時首席執行官，是英特爾50年歷史上第七位首席執行官。Swan先生還被選為英特爾董事會成員。 Robert（Bob）Swan上任首日發表了致英特爾員工、客戶和合作伙伴的公開信。在信中他提到自己很榮幸被任命為英特爾的首席執行官： “我熱愛此前首席財務官的角色
2019-02-01 16:13:01212 昨（28）日，Lumileds 宣布任命 Jonathan Rich 為首席執行官。
2019-03-01 15:15:001451 三星宣布已經開始大規模生產首款商用EMRAM產品，該產品基于28nm FD-SOI工藝技術，并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:581078 當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結深已仍不能很好的改善短溝道效應。在SOI絕緣層上的平面硅技術基礎上提出FD-SOI晶體管。研究發現要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
12 值得注意的是，去年6月，格芯開始全球裁員，在建的成都12寸晶圓廠項目招聘暫停。去年8月，格芯宣布無限期停止7nm工藝的投資研發，轉而專注現有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2019-04-24 16:23:213807 為求低功耗、高能效及高性價比之元件，市場逐漸開發出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結構；而FD-SOI構造主要以SOI晶圓為核心，透過傳統Si芯片制程方式，進而以水平式晶體管架構，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204501 
日前，格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個長期的300 mm SOI芯片長期供應協議以滿足格芯的客戶對于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術平臺日益增長的需求。建立在兩家公司現有的密切關系上，此份協議即刻生效，以確保未來數年的高水平大批量生產。
2019-06-11 16:47:333582 事實勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優勢相比，本次論壇多家公司以已經采用FD-SOI工藝的產品說明其優勢，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:453578 長期跟蹤研究半導體工藝和技術趨勢的IBS CEO Handel Jones發表演講，并對FD-SOI未來走勢做出預測。
2019-08-06 16:25:003745 在FD-SOI工藝遷移中也發現一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444488 三星宣布已經開始大規模生產首款商用EMRAM產品，該產品基于28nm FD-SOI工藝技術，并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591184 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。作為業界最先進的嵌入式內存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費領域、工業控制器、數據中心、物聯網及汽車等廣泛應用提供優越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16802 今年3月份，三星宣布全球第一家商業化規模量產eMRAM（嵌入式磁阻內存），基于28nm FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）成熟工藝，內存容量8Mb，可廣泛應用于MCU微控制器、IoT物聯網、AI人工智能領域。
2019-12-27 08:57:08559 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術平臺，發布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現場可程序化邏輯門數組）產品。
2020-02-12 22:57:17962 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術平臺，發布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現場可程序化邏輯門數組）產品。
2020-02-27 14:54:38801 據外媒報道稱，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術開發，而這項技術用于生產嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282542 Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術，該公司正在與幾個客戶合作，計劃在2020年實現多個流片。
2020-03-03 15:10:302366 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產。
2020-03-11 10:54:37810 新的優步首席執行官與通用電氣（General Electric）前首席執行官杰弗里·里·伊梅爾特（Jeffrey RImmelt）和惠普（Hewlett Packard Enterprise）前
2020-04-03 15:17:282415 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯網等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec
2020-07-06 17:03:362136 
“FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯網等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec
2020-07-07 16:04:043594 重點 ● 雙方在技術賦能方面的緊密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ （12nm FinFET） 以及22FDX （22nm FD-SOI） 平臺釋放最佳PPA潛能
2020-10-23 16:17:092210 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品，包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445922 Holtzman由Cipia董事會任命，是一位資深企業家兼首席執行官，在私營和上市科技公司有著豐富經驗，將接替即將退任的首席執行官David Tolub。David Tolub曾帶領Cipia成功轉向汽車市場
2022-05-11 09:47:52965 
12nm這個詞，要是關注手機的人一定會很熟悉，因為很多手機的處理器都采用過12nm芯片，那么12nm芯片究竟是什么意思呢？難道是指芯片大小為12nm？ 原來12nm芯片并不是指芯片大小為12nm
2022-07-01 09:46:569219 GF也為數字IC制造提供了28nm Planar CMOS FET的替代品，如12nm和14nm FinFET和22nm FD-SOI工藝，該公司也將大量精力和研發資金集中在為其舊的Planar CMOS工藝節點尋找新的、有趣的能力。該公司稱這些額外的處理能力為“模塊”。
2022-08-30 10:07:382927 有了極富遠見的繼任方案之后，在TracoPower工作超過35年的現任首席執行官MarkusDallaMonta于2021年7月退休。StefanSchaffhauser于2021年4月1日新
2022-01-12 17:59:11618 
于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請到國內外幾乎所有FD-SOI生態內的重要企業專家參與。三年內國內外的科技環境發生了巨大的變化，FD-SOI的產業格局和技術又有哪些變化？ ? 半導體工藝在2001年的新工藝技術的兩條路
2023-11-01 16:39:041745 
，在AI時代下邊緣端設備會出現高速發展，而FD SOI制造工藝對于AI邊緣芯片市場增長來說非常重要。 ? 圖：IBS CEO Handel Jones在論壇上致詞發表對全球半導體產業的預測和看法 到
2023-11-21 17:39:111384 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46393 
來源：半導體芯科技編譯 新任首席執行官加入Nordic（北歐半導體）接替前任首席執行官Svenn-Tre Larsen后，將在CES 2024上，與重要客戶和合作伙伴會面。 繼最近被北歐半導體董事會
2024-01-15 17:34:56423 
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:361376 
據悉，FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術，能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制，相較于現有的 40nm EPM 技術，新工藝大幅度提高了性能指標：能效提升 50%，數字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數。
2024-03-21 14:00:23515 電子發燒友網報道（文/吳子鵬）2024年10月23日，第九屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店召開，芯原股份創始人、董事長兼總裁戴偉民博士做開幕致辭，并分享了過往和當前FD-SOI發展的一些情況
2024-10-23 10:02:4222 
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