新能源汽車已上升為國家戰(zhàn)略。來自中國汽車工業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)顯示，2016年，國內(nèi)新能源汽車產(chǎn)銷分別達到51.7萬輛和50.7萬輛，同比增長51.7%和53%，連續(xù)兩年保持全球第一，中國已然成為全球第一大新能源汽車市場。據(jù)悉，到2020年，要新增集中式充電站超過1.2萬座、分散式充電樁超過480萬個，以滿足全國500萬輛電動汽車充電需求。

功率半導體作為新能源汽車、開關電源、馬達驅動、LED驅動和智能電網(wǎng)等電源系統(tǒng)的核心器件，是降低功耗的關鍵。隨著新能源汽車火熱發(fā)展，功率器件的需求必將大幅提升，華虹集團旗下上海華虹宏力半導體制造有限公司（以下簡稱“華虹宏力”）對此已有全面布局。華虹宏力現(xiàn)已推出第三代深溝槽超級結（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）工藝平臺，技術參數(shù)達業(yè)界一流水平，它的超低導通電阻，超高開關速度的特性可以幫助客戶實現(xiàn)超低功耗和超小體積的電源管理系統(tǒng)，高度契合當前熱門的大功率新能源汽車充電樁、快充電源以及LED照明電源的應用需求。
作為全球首家提供FS IGBT量產(chǎn)技術的200mm代工廠，華虹宏力憑借不斷研發(fā)創(chuàng)新，陸續(xù)推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工藝，并擁有背面薄片、離子注入、激光退火等一系列特色工藝，其IGBT工藝平臺的技術參數(shù)完全可與國際領先者的相比肩。憑借國內(nèi)最全、最先進的全套IGBT背面制程代工技術，華虹宏力可為綠色能源應用提供從低電壓到高電壓的全系列解決方案，并可根據(jù)客戶要求定制各種功率器件，在晶圓代工領域具有絕對優(yōu)勢。
華虹宏力執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示，華虹宏力在汽車電子領域有著長期的經(jīng)驗積累和獨具特色的工藝能力，并建立了零缺陷管理模式，自2005年起就通過了ISO/TS16949認證和多家客戶的VDA 6.3（德國汽車質量流程審計標準）標準審計，公司客戶的MOSFET、DT-SJ（深溝槽超級結）都已成功應用到汽車電子領域。

華虹宏力執(zhí)行副總裁孔蔚然博士

持續(xù)改進的產(chǎn)品制造流程加上嚴格的質量管控，不僅讓華虹宏力的功率器件享譽市場，也鑄就了其嵌入式存儲器工藝平臺的高可靠性與高性價比。憑借著在eNVM技術領域的深厚積累，華虹宏力可支持包括物聯(lián)網(wǎng)、汽車、消費電子等各領域的8~32位MCU產(chǎn)品。
現(xiàn)在終端產(chǎn)品的功能愈來愈多，芯片設計需要愈來愈復雜，對低功耗的要求也愈來愈高，因此MCU面臨不少挑戰(zhàn)。而華虹宏力經(jīng)創(chuàng)新、優(yōu)化后的成熟技術，實現(xiàn)了嵌入式存儲器技術與低成本CMOS射頻技術的結合，通過將快閃存儲器技術和高壓技術做整合，進一步降低了成本和縮短了產(chǎn)品上市時間，使華虹宏力贏得了客戶的充分認可。
孔蔚然博士強調，華虹宏力不僅擁有全球領先的嵌入式存儲器技術，還可提供經(jīng)驗豐富的嵌入式存儲器IP設計和測試團隊，助力客戶發(fā)展高規(guī)格的MCU產(chǎn)品線，以積極響應MCU在物聯(lián)網(wǎng)及車用電子等市場應用的巨大商機。
華虹宏力極具競爭力的0.11微米超低漏電 (Ultra-Low-Leakage，ULL) 嵌入式閃存（eFlash）工藝平臺，其N/P管靜態(tài)漏電<1pA/μm，達到業(yè)界先進水平，面對物聯(lián)網(wǎng)應用，提供低電壓操作模式，兼顧動態(tài)功耗和靜態(tài)功耗。
作為國內(nèi)唯一享有汽車級eFlash工藝平臺的純晶圓代工廠，華虹宏力擁有符合汽車電子AEC-Q100 Grade-I標準的高可靠性eFlash技術，可配合EEC糾正電路，自帶BIST/BISR測試；可支持AEC-Q100 Grade-I標準的汽車電子產(chǎn)品設計。此外，公司嵌入式存儲器平臺上的代工產(chǎn)品已廣泛應用于安全氣囊、引擎控制、 信息娛樂系統(tǒng)、 車載動力等領域。
孔蔚然博士表示，華虹宏力在中國半導體產(chǎn)業(yè)版圖上，定位細分市場，專注于差異化特色工藝，汽車電子無疑是我們的戰(zhàn)略重點之一。未來，華虹宏力將攜手客戶及合作伙伴，以期通過更具特色的技術、更廣泛的服務、更優(yōu)的品質，贏得汽車電子領域的信賴與支持。