2018年6月15-16日，第三屆MOS-AK器件模型國際會議（北京）順利閉幕。 本次會議由清華大學主辦，中國仿真協會集成微系統建模和仿真專委會、XMOD共同協辦。MOS-AK（北京）也得到了華大九天，Maury, Platform-Da, Cogenda, 杭州電子科技大學的贊助。本次為期二天的會議吸引了來自設計公司、半導體廠、EDA廠商、學校和研究所等科研單位人員來參加。 會議共包含了6篇邀請報告，14篇演講報告，給大家留下了深刻印象。MOS-AK（北京）的報告注重質量，而且產學研的路線貫徹到底，得到 了參會人員的好評。

中國仿真協會集成微系統建模與仿真專業委員會副主任委員、國際期刊Journal of Computational Electronics副主編、清華大學王燕教授致開幕詞，熱烈歡迎大家到來，提出了模型產業在半導體產業的重要性，并預祝本次活動圓滿成功。 接下來，XMOD作為協辦方介紹了本年度各地MOS-AK會議的安排，也回顧了前幾年的活動情況。另外，對于當前的模型產業細分的狀況，希望通過MOS-AK平臺互相交流，取長補短。

作為邀請報告部分，香港科技大學對于存儲器件的仿真和大規模產業應用給出了指導性的意見。德國Fraunhofer IAF和Ondosense的III-V族方面的報告，讓大家意識到，和歐洲先進工藝和技術相比，差距還是比較大的。清華大學帶來了Angelov模型方面的實戰應用，通過開發統一等效電路，解析公式以及創建的參數抽取方法獲得了測試和仿真非常匹配的結果，有很不錯的借鑒作用。 華大九大的OLED器件的模型介紹，讓大家意識到一個好的模型開發，要經歷各種挑戰和瓶頸，需要不斷從工業界的反饋中把模型做的更接近實際結果。中科院半導體所的報告，從非?；A的第一性原理出發，對新材料、新結構的器件做了前瞻的分析，給后續的研究、應用打好了基礎。Qorvo帶來的關于TCAD用于III-V器件仿真的報告，從器件的真實材料、結構以及物理現象出發，對于TCAD可能的不一致性提出了自己的觀點。

此次活動，除了上述邀請報告，也吸引到了其他半導體廠，設計公司，EDA廠商，科院院所和學校的報告和文章。他們分別是Cadence、 Synopsys、 中科院微系統所、中科院微電子所、中國工程物理研究院、Cogenda,、Platform-Da、華中科技大學、西安電子科大、成都電子科大、杭州電子科大、澳大利亞Macquarie 大學、蘇州能訊、海威華芯、MOS-AK等（以上次序不分先后）。 在這里，特別要提到中科院下面的幾個研究所，分別作了非常基礎的研究，比如半導體所和微電子所，他們通過最基礎的物理，電子方程給國內模型產業發展提供了借鑒作用，對后續產業應用的模型開發起了非常好的輔助作用。微系統所在總劑量模型方面，介紹了總劑量模型軟件, 為宇航芯片研發提供了設計支持。中國工程物理研究院對70nm GaAs mHEMT 工藝，提出了自己的一套Design oriented Model 方法，使之能夠在220GHz 范圍內做到理想的匹配。這些經驗對應用和產業化，提供了很好的知識儲備。 當然，EDA廠商，半導體服務企業，國內外的幾所大學的報告也同樣精彩，后續我們會在網站上和大家一起分享。

最后， 會議在MOS-AK 2019的主辦方成都電子科大的精彩介紹中順利閉幕，大家共同期待2019年成都再次相見。

開幕詞：

邀請報告（不分先后）：

演講嘉賓（不分先后）：

部分參與人員合影：

當然，MOS-AK會議前期的培訓部分也非常精彩，6月14日，Dr. Franz Sischka 的RF測試和建模一天課程，很多培訓者給了大大的贊，連贊助商的參展人員，也說，這么多干貨的培訓確實難得，對于明年再次贊助MOS-AK活動表達了強烈的意愿。

RF器件測量模型培訓（6月14日）：

MOS-AK 北京器件模型國際會議結束后，我們會和演講者一起解讀幾篇有特色的報告給大家。對會議PPT感興趣的朋友，由于演講報告和最終報告有區別（有些報告需要刪除敏感內容），需要些時間，請耐心等待。

最后再次感謝本次MOS-AK活動的組織方和贊助方：

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