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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>NAND閃存顆粒的組成

NAND閃存顆粒的組成

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求一種從NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì)方案

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NOR和NAND閃存技術(shù)

NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年
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三星與蘋果合資生產(chǎn)NAND閃存芯片談判胎死腹中

          韓國(guó)三星電子公司周一說(shuō),它和蘋果電腦公司就合資生產(chǎn)NAND閃存芯片的談判已告失敗。NAND閃存芯片是蘋果最新便攜音樂播放
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東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%,為2009年以來(lái)首次減產(chǎn)。
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東京—東芝公司 (TOKYO:6502)今天宣布,該公司在閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。
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DRAM與NAND閃存等未來(lái)五年最看俏

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Q3季度NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑,2020年NAND市場(chǎng)或?qū)⑦M(jìn)行大洗牌

今年Q1季度到Q2季度以來(lái),NAND閃存價(jià)格一直在下滑,市場(chǎng)供需情況已經(jīng)變了,本來(lái)預(yù)計(jì)Q3季度會(huì)有蘋果新機(jī)拉貨導(dǎo)致的需求提升,藉此提振下NAND價(jià)格,不過(guò)現(xiàn)在來(lái)看這些廠商想的太樂觀了,Q3季度NAND閃存價(jià)格還會(huì)繼續(xù)下滑,這種情況持續(xù)下去,不排除2020年NAND市場(chǎng)大洗牌。
2018-07-17 11:58:00681

長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層NAND閃存預(yù)計(jì)2018年內(nèi)量產(chǎn)

NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ),也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片,國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:003750

什么是閃存顆粒?2D NAND和3D NAND間的區(qū)別跟聯(lián)系又是什么?

如果用一個(gè)詞來(lái)描述2016年的固態(tài)硬盤市場(chǎng)的話,那么閃存顆粒絕對(duì)是會(huì)被提及的一個(gè)關(guān)鍵熱詞。在過(guò)去的2016年里,圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事,包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價(jià),閃存顆粒的制程問題引發(fā)的廠商競(jìng)爭(zhēng),以及“日經(jīng)貼”般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。
2018-06-12 12:13:0014755

NAND閃存將達(dá)到穩(wěn)態(tài)局面,供給產(chǎn)能將提升42.9%

今年第三季度,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài),主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢,低于預(yù)期。
2018-06-30 14:34:00362

如何從NAND閃存啟動(dòng)達(dá)芬奇EVM

 DVEVM可以啟動(dòng)或(默認(rèn)),與非門,或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)(UART)。NOR 閃存提供了一個(gè)字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)軟件讓它訪問;然而,由于它的價(jià)格低,速度快,壽命長(zhǎng),許多客戶想設(shè)計(jì)NAND閃存代替或NOR閃存
2018-04-18 15:06:579

深入解析NAND閃存

對(duì)于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言,NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案,這在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND正被證明極具
2018-06-06 12:27:009847

三星已開始生產(chǎn)第五代V-NAND閃存芯片

據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道,頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
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三星開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存,了解其性價(jià)比

面對(duì)2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況,三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒,堆棧數(shù)將超過(guò)90層。
2018-07-24 14:36:327167

美光第二代3D NAND閃存大規(guī)模量產(chǎn),容量更大成本更低

今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司,他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司,內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼,而閃存方面,美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188

NAND閃存市場(chǎng)持續(xù)走低的原因:NAND組件過(guò)于求了

2017年經(jīng)歷市況樂觀的一年后,NAND閃存(flash)市場(chǎng)在2018年將繼續(xù)明顯降溫。根據(jù)分析師表示,去年持續(xù)一整年的NAND組件短缺現(xiàn)象已經(jīng)轉(zhuǎn)為供過(guò)于求了,從而導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)走低。
2018-08-07 11:44:063572

3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)

今年第三季度,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài),主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢,低于預(yù)期。
2018-09-16 10:38:14509

NAND閃存中啟動(dòng)U

NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì) 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對(duì)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求越來(lái)越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無(wú)法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01485

聯(lián)蕓科技對(duì)外發(fā)布支持96層鎂光B27A的 3D TLC NAND閃存顆粒

11月15日, 國(guó)產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技(MAXIO)再下一城,正式對(duì)外宣布MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒,并對(duì)外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:316838

關(guān)于不同NAND閃存的種類對(duì)比淺析

由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:?jiǎn)螌訂卧⊿LC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2018-12-17 15:50:241684

你知道NAND閃存的種類和對(duì)比?

由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義,在相同
2019-04-17 16:32:345462

IDC對(duì)NAND閃存價(jià)格的最新預(yù)測(cè)

IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè),稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長(zhǎng)39%和38%。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示,2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01282

IDC調(diào)整對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)

IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè),稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長(zhǎng)39%和38%。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。
2019-03-24 10:05:26582

西數(shù)開發(fā)低延遲閃存(LLF),用于與英特爾的傲騰存儲(chǔ)競(jìng)爭(zhēng)

在本周的活動(dòng)上,西數(shù)談到了其新的低延遲閃存NAND。該技術(shù)旨在實(shí)現(xiàn)3D NAND和DRAM之間的性能。LLF閃存將具有微秒級(jí)的延遲,采用SLC或者M(jìn)LC顆粒。
2019-03-25 14:44:563061

NAND閃存連跌6個(gè)季度 上游廠商認(rèn)為5月會(huì)回暖

2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從牛市進(jìn)入了熊市,領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲(chǔ)芯片,其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價(jià),迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:222630

NAND閃存介紹及NAND閃存的優(yōu)缺點(diǎn)

NAND閃存與機(jī)械存儲(chǔ)設(shè)備一樣,默認(rèn)情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過(guò)使用專用控制器來(lái)處理。另一方面,DRAM被認(rèn)為是“非?!笨煽康摹7?wù)器通常具有錯(cuò)誤檢測(cè)(并且可能是校正)電路,但消費(fèi)者和商業(yè)機(jī)器很少這樣做。我將專注于DRAM。
2019-08-07 10:02:579805

常見NAND閃存有哪些?5G的出現(xiàn)會(huì)使QLC大規(guī)模使用嗎

我們都知道固態(tài)硬盤采用閃存顆粒NAND Flash作為存儲(chǔ)介質(zhì),所以它是固態(tài)硬盤中最重要的構(gòu)成部分,其好壞也就決定著固態(tài)硬盤質(zhì)量的好壞,而我們目前常見的NAND閃存主要有四種類型:Single
2020-01-01 09:31:003412

如何在基于NAND閃存系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)最低的故障率

任何了解SD卡,USB閃存驅(qū)動(dòng)器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識(shí)的人都知道,控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634

三星鎧俠率先擴(kuò)產(chǎn),NAND閃存市場(chǎng)要變天?

的投資額就達(dá)8萬(wàn)億韓元(約合470億元人民幣)。新冠肺炎疫情導(dǎo)致NAND市場(chǎng)的不確定性大增。然而,三星電子過(guò)往多選擇在景氣低迷時(shí)大舉投資,以此增強(qiáng)其在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力,此次再度大舉投資擴(kuò)產(chǎn),或?qū)?dòng)其他NAND閃存廠商的跟進(jìn),再掀NAND閃存的擴(kuò)產(chǎn)浪潮。
2020-06-16 10:07:173162

解析NAND閃存和NOR閃存

無(wú)論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu),大多數(shù)人在談到閃存時(shí),首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來(lái)講,NAND閃存可以說(shuō)已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度,使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751

淺談QLC閃存顆粒的固態(tài)硬盤的使用壽命

最近關(guān)于QLC閃存的消息不斷,最勁爆的莫過(guò)于武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)全球首款128層QLC 3D NAND閃存,多項(xiàng)技術(shù)世界領(lǐng)先,最快年底量產(chǎn)。
2020-07-30 11:40:1017363

NAND閃存類型機(jī)選擇技巧

通常情況下,固態(tài)硬盤(SSD)的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響,在這篇文章中,我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716

閃存顆粒的封裝形式介紹

閃存顆粒有TSOP和BGA兩種封裝形式,前者在顆粒兩側(cè)各有一排引腳,后者則在芯片底部有大量的信號(hào)觸點(diǎn)。它們二者有何區(qū)別?
2020-08-30 11:50:154274

NAND閃存芯片有哪些類型

我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng),今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

SK海力士收購(gòu)NAND閃存業(yè)務(wù)的意義

近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震,英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價(jià)格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472207

美光宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后,自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌,基于3D NAND顆粒打造

大咖來(lái)答疑欄目給出了相關(guān)技術(shù)答復(fù),讓大家更加的了解致鈦品牌固態(tài)。 背景介紹: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2014年,開始3D NAND flash的研發(fā),技術(shù)團(tuán)隊(duì)從最初開始研發(fā)相關(guān)技術(shù)到現(xiàn)在已經(jīng)有六年的時(shí)間,并在,2016年注冊(cè)公司,短短的時(shí)間內(nèi)就做到了從閃存顆粒,到X
2020-11-24 09:56:483572

不要過(guò)于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)

? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著2D NAND容量達(dá)到極限,以及晶體管越來(lái)越小,NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng),擦寫次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:492766

Intel全球首發(fā)144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒

近日,Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒,并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品,不過(guò)對(duì)于主控芯片,Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392060

Intel SSD首發(fā)144成QLC閃存顆粒

近日,Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒,并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品,不過(guò)對(duì)于主控芯片,Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:48:342354

鎧俠開發(fā)出約170層的NAND閃存

日本芯片制造商Kioxia開發(fā)了大約170層的NAND閃存,加入了與美國(guó)同行Micron Technology和韓國(guó)的SK Hynix的競(jìng)賽。
2021-02-20 11:10:002580

NAND閃存類型,如何選擇SLC/MLC和TLCSSD

NAND閃存是用于SSD和存儲(chǔ)卡的一種非易失性存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)。它的名字來(lái)源于邏輯門(NOT-AND),用于確定數(shù)字信息如何存儲(chǔ)在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918

基于Cortex?-M的MCU上的EBI的NAND閃存接口

本文檔重點(diǎn)介紹 NAND 閃存與使用靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器(Static Memory Controller,SMC)的 EBI 的接口。
2021-04-01 10:17:5510

簡(jiǎn)述NAND閃存的寫入限制與發(fā)展

寫入問題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級(jí)應(yīng)用中的一個(gè)限制么?
2021-04-01 17:50:562894

EE-344:在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器

EE-344:在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器
2021-04-13 08:02:427

在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器的EE-344

在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器的EE-344
2021-06-16 20:17:088

Arasan推出NAND閃存全I(xiàn)P解決方案

NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:561299

NAND 閃存概述

NAND 閃存內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)單元是基于 MOSFET(金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效應(yīng)晶體管), 與普通場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同之處在于,在柵極(控制柵)與漏極/源極之間存在浮置柵,利用該浮置柵存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2022-02-10 11:39:231

NAND閃存市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈

 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100

開放式NAND閃存接口規(guī)范

本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化的NAND閃存設(shè)備接口,該接口提供了以下方法:用于設(shè)計(jì)支持一系列NAND閃存設(shè)備而無(wú)需直接設(shè)計(jì)的系統(tǒng)關(guān)聯(lián)前。該解決方案還提供了系統(tǒng)無(wú)縫利用的方法在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)可能不存在的新NAND設(shè)備。
2022-09-09 16:10:2415

NAND閃存的應(yīng)用中的磨損均衡

NAND閃存的應(yīng)用中,程序/擦除周期存在一個(gè)限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊將變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND閃存控制器有什么優(yōu)勢(shì)

圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常,當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí),他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存,而忽略了單獨(dú)的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡(jiǎn)單地說(shuō),沒有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863

NAND閃存應(yīng)用中的磨損均衡介紹

NAND閃存的應(yīng)用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

開放式NAND閃存接口規(guī)范說(shuō)明書

本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化NAND閃存設(shè)備接口,該接口提供了設(shè)計(jì)的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設(shè)備,無(wú)需直接設(shè)計(jì)預(yù)關(guān)聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無(wú)縫利用在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗(yàn)證的關(guān)鍵元件

NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多位,因此位密度會(huì)增加
2023-05-25 15:36:031197

NAND閃存特點(diǎn)及決定因素

內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit,用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)(Page)(可以看到,NAND閃存的頁(yè)就類似硬盤的扇區(qū),硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983

三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報(bào)價(jià) 漲幅為15%

據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫(kù)存緩慢,很難說(shuō)服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:24762

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

Tech Talk:解讀閃存原理與顆粒類型

,NAND閃存的存儲(chǔ)方式和堆疊技術(shù)也在持續(xù)演進(jìn)。本文將圍繞閃存顆粒相關(guān)的概念以及發(fā)展趨勢(shì)做介紹。NAND閃存單元NAND閃存基于浮柵晶體管,通過(guò)其中所存儲(chǔ)的電荷量表示不同
2024-02-05 18:01:17422

三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20%

三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過(guò)低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判,目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222

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