電子發燒友網站提供《30V N 溝道NexFET? 功率MOSFET CSD17556Q5B數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 14:11:23
0 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 Vishay近期發布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設計的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運用Vishay領先
2024-03-08 11:45:51266 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
電子發燒友網站提供《NCE N溝道增強型功率MOSFET NCE3010S數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-24 11:06:590 功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統設計的過程中選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。
2024-01-19 15:31:54218 功率MOSFET是一種廣泛應用于電力電子轉換器的高性能開關器件。它具有高輸入阻抗、低導通電阻、快速開關速度和良好的熱穩定性等特點，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統中發揮著重要作用。 結構
2024-01-17 17:24:36294 
。按導電溝道功率MOSFET可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在導電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強型。 MOSFET的主要特
2024-01-09 10:22:43112 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 , 15mΩ @ 4.5V, 20Vgs- 閾值電壓（Vth）：0.8~2.5V- 封裝：SOP8應用簡介：PV600BA-VB是一款N溝道MOSFET，適用于多種電
2023-12-14 11:43:03
小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET *1 ，新產品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:01222 
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
N溝道MOSFET截止，電感電流下降，電感中的能量轉移到電池中。當電感電流下降到外部電流檢測電阻設置的下限時，外置N溝道MOSFET再次導通，如此循環。當BAT管腳電壓第一次達到內部設置的8.4V
2023-11-21 12:14:43
電子發燒友網站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設計更綠色、更小的電源.pdf》資料免費下載
2023-11-13 15:11:290 深圳市三佛科技有限公司供應SA2601矽塔科技600V單相半橋柵極驅動芯片SOP8，原裝現貨 半橋柵極動心片.半橋柵極驅動芯片是一種用于驅動半橋功率器件(例如電力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
型晶體管，它屬于電壓控制型半導體器件。根據導電溝道類型和柵極驅動電壓的不同，可以分為N溝道-增強型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15638 
FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開關和放大電路中，可以控制電流流動并放大信號。
2023-11-03 14:56:23293 
美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 型號 IRF830A絲印 VBM16R08品牌 VBsemi參數 頻道類型 N溝道 額定電壓 600V 額定電流 8A RDS(ON) 780mΩ @ 10V，1070mΩ @ 4.5V
2023-11-01 10:04:19
－通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機電路板尺寸－ ? 中國上海， 2023 年 10 月 26 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產品，適用于空調、空氣凈化
2023-10-27 11:13:00301 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅動應用。
2023-10-27 11:05:54657 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
汽車電子MOSFET發展的一個最終方向是提高感測、控制和保護功率開關的性能。功率器件正集成到智能化車載系統中。現在在最低功率級別，MOSFET可以與功率器件上的感測元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅動功率，且開關速度優異。可以說具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
從事半導體功率器件的研發與銷售。目前公司主要產品包括：12V-200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V-300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V-900V超結功率
2023-10-16 11:00:14
的隔離電源。
VPS8702內部集成兩個N溝道功率MOSFET和兩個P溝道功率MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片內部集成振蕩器提供一對高精度互補信號，能有效確保兩路功率MOSFET驅動的高度對稱性
2023-10-12 10:23:07
1~~2W的隔離電源。
VPS8701B內部集成兩個N溝道功率MOSFET和兩個P溝道功率MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片內部集成振蕩器提供一對高精度互補信號，能有效確保兩路功率MOSFET驅動
2023-10-12 10:04:51
、輸出功率1~2W的隔離電源。
VPS6501芯片內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免電路在工作過程發生偏磁。芯片內部設計有高精度的死區控制電路確保在各種工作條件下不出現共通現象。
2023-10-12 09:52:32
、輸出功率1~~3W的隔離電源。
VPS8505芯片內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免電路在
2023-10-12 09:49:26
、輸出功率13W的隔離電源。
VPS8504C內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免電路在工作
2023-10-12 09:43:02
VPS8504N是一款專門為小體積、低待機功耗微功率隔離電源而設計的推挽式變壓器驅動器，其外圍只需匹配簡單的輸入輸出濾波電容、隔離變壓器和整流電路，即可實現3.3V或5V輸入、3.3V~~~~24V
2023-10-12 09:38:22
電子發燒友網站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 09:32:500 電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 基于峰岹的FU6813主控芯片和智能功率模塊SPE10S60F-A（600V/10A）的波輪洗衣機控制方案，FU6813是一款集成電機控制引擎(ME)和8051內核的高性能電機驅動專用芯片，內置高
2023-09-20 17:03:22
電子發燒友網站提供《P溝道增強模式功率MOSFET G040P04M規格書.pdf》資料免費下載
2023-09-19 17:29:110 RACM600-L 系列 AC/DC 電源具有極高的市場知名度和性價比，該系列增加了 2 個新的版本，在現有 24V 輸出的基礎上，可提供 12 V 和 48 V 輸出。新產品的峰值功率高達 800 W。
2023-09-15 11:36:01593 SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
和功率水平。這些快速恢復硅基功率MOSFET的器件適用于工業和汽車應用，提供廣泛的封裝選項，包括長引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
功率器件在工業應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
雪崩強度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy]，流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
垂直導電平面結構功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應，如果把水平的溝道變為垂直溝道，從側面控制溝道，就可以消除JFET效應。
2023-08-28 10:10:392920 
功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統設計的過程中選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。
2023-08-25 10:07:56188 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
STF140N6F7內容簡介STF140N6F7 是ST/意法的一款功率MOSFET電子元器件，為廣泛的電壓范圍（30V至350V）應用提供了卓越的解決方案。采用TO-220FP封裝，以其N溝道結構
2023-08-21 16:34:33
器件描述：漏源電壓（Vdss）：600V 連續漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 柵源極閾值電壓：4.5V @ 50uA 漏源導通電阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
）二合一器件---R3T2FPHM3，為汽車應用提供新型表面貼裝解決方案。Vishay General Semiconductor R3T2FPHM3采用氧化物平面芯片結設計和共陰極電路配置，將3 A，600 V標準整流器和200 W TRANSZORB? TVS組合在
2023-08-18 15:30:38475 
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結MOS，由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要
2023-08-18 08:32:56513 
報告中介紹，隨著功率半導體應用領域逐漸擴大，當應用在計算機和航空電子等領域中時，低導通壓降能夠縮小整機的冷卻系統，從而降低整機尺寸和成本，所以用戶對器件的導通電阻提出了更高的要求。
2023-08-09 16:21:36326 電子發燒友網站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢復SJ功率MOSFET提高了效率和穩健性.pdf》資料免費下載
2023-08-01 16:09:541 OC5822 是一款內置功率 MOSFET的單片降壓型開關模式轉換器。OC5822在 6-60V 寬輸入電源范圍內實現 1.5 A 最大輸出電流，并且具有出色的線電壓和負載調整率。OC5822 采用
2023-07-29 14:13:39
這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚聲器提供超過 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級使用6個N溝道MOSFET IRFP450，即可為您提
2023-07-28 17:04:191357 
供應ID5S609SEC-R1 600V高低側柵極驅動芯片可代換IR2304，提供id5s609芯片資料關鍵參數 ，廣泛應用于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134 供應ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驅動芯片可替代ir2304，提供ID5S609SEC-R1 關鍵參數 ，廣泛應用于中小型功率電機驅動、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
供應ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:10:05
了 “R60xxVNx系列” （含7款機型）。 此外，高速開關型600V耐壓Super Junction MOSFET產品陣容中也新增了導通電阻更低的 “R60xxYNx系列” （含2款機型
2023-07-12 12:10:08437 及產業化項目、研發中心建設及第三代半導體功率器件研發項目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業，主要產品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發及產業化項目、研發中心建設及第三代半導體功率器件研發項目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業，主要產品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
功率MOSFET的類型：按導電溝道可分為P溝道和N溝道。當柵極電壓為零時，有導電通道和增強型。對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零，功率MOSFET主要是N溝道增強。
2023-07-04 16:50:23881 
。功率MOSFET的漏極之間有一個寄生二極管，當漏極與反向電壓連接時，器件連接。功率MOSFET的導通電阻具有正溫度系數，有利于并聯器件時的均流。
2023-07-04 16:46:37975 
在H橋電路中實現P溝道MOSFET可能看起來既簡單又誘人，但可能需要一些嚴格的計算和參數才能實現最佳響應。
2023-06-29 15:28:02957 
在這個設計中，我們看到了使用N溝道MOSFET實現BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布擴充 NextPower 80/100 V MOSFET 產品組合的封裝系列。此前該產品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:32562 80/100 V MOSFET產品組合的封裝系列。此前該產品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務器
2023-06-21 09:21:57595 
Vishay 新型 Power DFN 系列?DFN3820A 封裝 汽車級 200V、400V 和 600V 器件高度僅為 0.88 mm 采用可潤濕側翼封裝 改善熱性能并提高效率 Vishay
2023-06-21 07:35:00509 
（VLSI）設備采用的設計方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導體加工工藝。金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)從70年代的初級場效應晶體管發展而來。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號。雙極結型晶體管（BJT)自身的局限性驅動了功率
2023-06-17 14:24:52591 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。
2023-06-16 09:03:30228 
PTS4842 N溝道高功率MOSFET規格書
PTS4842采用溝槽加工技術設計，實現極低的導通電阻。并且切換速度快，傳輸效率提高。這些特征結合在一起，使這種設計成為一種適用于各種DC-DC應用的高效可靠的設備。
2023-06-14 16:55:480 中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列
2023-06-13 16:38:50712 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認證 開關速度和開路輸出電壓（8.5V）達到業內先進水平 Vishay? 推出一款業內先進的新型汽車級光伏 MOSFET 驅動器
2023-06-08 19:55:02374 
Vishay ?MCB ISOA 器件通過 AEC-Q200 認證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達 120 W Vishay? 推出一款通過
2023-06-03 08:25:02533 
ZXGD3114N7產品簡介 DIODES 的 ZXGD3114N7 是一款 600V 有源 OR-ing MOSFET 控制器，設計用于驅動極低 RDS(ON) 功率 MOSFET 作為
2023-06-02 16:15:17
為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道
2023-05-22 11:11:391173 Limited?（AOS,?納斯達克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺，旨在滿足服務器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:15664 
，
邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯
輸出電平。 高速風筒專用電機驅動芯片其浮動通道可
用于驅動高壓側 N 溝道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作電壓可達 700V。高速風筒專用電機驅動芯片采用
SOIC8 封裝，可以在-40℃至 125℃溫度范圍內工作
2023-05-10 10:05:20
功率MOSFET怎樣關斷？能否用PWM實現？怎樣實現？
2023-05-08 16:16:27
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288 
有助于配備小型電機的設備減少抗噪聲設計工時和部件數量，并降低功率損耗 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場效應來控制半導體（S）的場效應晶體管，其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 OC5822 是一款內置功率 MOSFET的單片降壓型開關模式轉換器。OC5822在6-60V 寬輸入電源范圍內實現 1.5 A最大輸出電流，并且具有出色的線電壓和負載調整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
OC5864 是一款內置功率 MOSFET0.6A 的峰值輸出電流的單片降壓型開關模式轉換器。OC58640.9Q 的內部功率 MOSFET在 5.5-60V 寬輸入電源范圍內實現 0.6 A峰值
2023-04-07 16:43:02
MRF171A RF MOSFET 系列 45W，150MHz，28V主要設計用于 30-200 MHz 的寬帶大信號輸出和驅動級。 特征N 溝道增強型
2023-03-31 11:32:41
MRF275G RF MOSFET 系列 150W，500MHz，28V主要設計用于 100 – 500 MHz 的寬帶大信號輸出和驅動級。 特征N 溝道
2023-03-31 11:27:29
的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產品。ROHM的1,200V
2023-03-29 15:06:13
ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片，可兼容代換IR2104，應用領域于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、照明鎮流器、半橋驅動
2023-03-29 09:24:35930 
600V N溝道MOSFET
2023-03-28 12:45:13
600V N溝道MOSFET
2023-03-28 12:45:13
600V N溝道MOSFET
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600V N溝道MOSFET
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600V N溝道MOSFET
2023-03-28 12:45:06
600V N溝道MOSFET
2023-03-28 12:44:57
LTC7001 是一款快速、高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，選用高達 135V 的輸入電壓作業。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關的內部充電泵，因此使其可以無限期地堅持導通。
2023-03-23 09:46:45514
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