非常適合工業(yè)、能源、電信和LED照明市場的電源應(yīng)用
Littelfuse公司宣布推出CPC3981Z,一種800V、100mA、
45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
耗盡型MOSFET CPC3981Z
與標(biāo)準(zhǔn)SOT-223封裝相比,這款新產(chǎn)品的SOT-223-2L封裝去掉了中間引腳。這將漏極與柵極之間的引腳間距從1.386毫米增加到超過4毫米。爬電距離延長有利于開關(guān)模式電源設(shè)備(SMPS)或功率因數(shù)校正(PFC)啟動電路等更高電壓應(yīng)用,因為設(shè)計人員可以避免昂貴的保形涂料或灌封。
CPC3981Z的主要區(qū)別在于其改進型SOT-223-2L封裝,使設(shè)計人員能夠利用小型分立器件滿足更高電壓應(yīng)用所需的延長爬電距離。由于爬電距離更大,CPC3981Z提高了電路的可靠性,并有助于節(jié)約成本。CPC3981Z的800V額定阻斷電壓使其成為工業(yè)、能源、電信和LED照明應(yīng)用的理想選擇,包括:
常開開關(guān),
電源,
啟動電路,
固態(tài)繼電器,
電流調(diào)節(jié)器,以及
恒流源
耗盡型MOSFET引腳之間增加的距離簡化了寬輸入電壓電源的隔離管理,并支持緊湊的印刷電路板布局。
Littelfuse集成電路和MCU產(chǎn)品管理總監(jiān)Mark P. Smith表示:“Littelfuse很榮幸能夠提供業(yè)界最廣泛的耗盡型MOSFET產(chǎn)品組合之一,CPC3981Z進一步鞏固了我們的地位。這是我們低成本耗盡型MOSFET系列的新成員,采用新型SOT-223-2L封裝,對于要求高達800V寬輸入電壓范圍的應(yīng)用來說,是絕佳解決方案。”
審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:[新品介紹]改進型SOT-223-2L封裝的800V N溝道耗盡型MOSFET
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