領帶，這可是當年半導體弄潮兒的標配。
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仙童(Fairchild)讓你感慨IC業的歷史
集成電路史上最著名的10個人
于是，第一個半導體時代誕生了——集成器件制造商時代
2024-03-13 16:52:37
蓉矽半導體近日宣布，其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力，也進一步證明了其產品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30
228 意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器，這些產品不僅在設計上追求穩健性和可靠性，還致力于提供高度的系統集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 想問一下，半導體設備需要用到溫度傳感器的有那些設備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
**2SJ197-VB 產品參數：**- 絲印： VBI2658- 品牌： VBsemi- 封裝： SOT89-3- 類型： P—Channel 溝道- 額定電壓： -60V- 額定電流： -5A-
2024-02-20 11:32:28
引言：EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產業鏈市場！EV中的電機控制系統、引擎控制系統、車身控制系統均需使用大量的半導體功率器件，它的普及為汽車功率半導體市場打開了增長的窗口。充電
2024-02-19 12:28:04191 
服務范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構成的功率模塊。檢測標準l AEC-Q101分立器件認證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產品平臺，平臺采用先進的技術和設計，提供了卓越的開關特性和低導通電阻，從而實現了高效的能源轉換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49291 
安建半導體推出具有完全自主知識產權的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨特設計確保產品的卓越性能和可靠性，在國內領先的碳化硅晶圓代工廠流片，產能充裕，供應穩定，性價比高。
2024-01-20 17:54:00916 
MOSFET即金屬氧化物半導體場效應管，是電路設計中常用的功率開關器件，為壓控器件；其特點是用柵極電壓來控制漏極電流，具備驅動電路簡單，驅動功率小，開關速度快，工作頻率高、熱穩定性高于GTR等優點
2024-01-09 10:22:43111 
半導體放電管是一種采用半導體工藝制成的PNPN結四層結構器件，其伏安特性與晶閘管類似，具有典型的開關特性。當浪涌電壓超過轉折的電壓VBO時，器件被導通，這時它呈現一般PN結二極管的正向電壓降（VF
2024-01-04 16:52:07
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 場效應晶體管（Field Effect Transistor，FET）是一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件。根據導電溝道的類型，場效應晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:152269 
電子設備中。與N溝道MOS管相比，P溝道MOS管的導電溝道由P型半導體材料構成，因此其導通條件與N溝道MOS管有所不同。本文將對P溝道MOS管的導通條件進行詳細介紹。 首先，我們需要了解P溝道MOS
2023-12-28 15:39:311083 場效應晶體管（Field Effect Transistor，FET）是一種利用電場效應來控制電流的半導體器件。根據導電溝道的類型，場效應晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對n溝道MOS
2023-12-28 15:28:282843 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 “時間就是金錢”這句話在半導體器件的生產測試中尤為貼切。
2023-12-25 17:21:03285 
/引言/對于半導體功率器件來說，門極電壓的取值對器件特性影響很大。以前曾經聊過門極負壓對器件開關特性的影響，而今天我們來一起看看門極正電壓對器件的影響。文章將會從導通損耗，開關損耗和短路性能來分別
2023-12-22 08:14:02160 
型號：CES2301-VB絲印：VB2290品牌：VBsemi參數說明：- **P溝道：** 該器件是一種P溝道MOSFET，電流在P溝道中流動，通常用于不同類型的應用，如電源開關等。- **工作
2023-12-18 11:45:33
MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導體器件。它們在不同的應用場景中具有不同的特點和優勢。本文將對MOSFET和IGBT進行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 閾值電壓（Vth）：-1.6V- 封裝類型：TO252應用簡介：FDD4685-VB是一款高性能的P溝道MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），具有高電流承
2023-12-14 11:19:22
半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導體有多少了解呢？今天我們就從最基礎的半導體功率器件入手，全面了解半導體的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451 Ω @ 4.5Vgs- 閾值電壓（Vth）：-1.5V- 封裝類型：SOP8應用簡介：AO4441-VB是一款P溝道MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），
2023-12-13 17:57:43
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 根據不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態損壞可分為人體，機器設備和半導體器件這三種。
當靜電與設備導線的主體接觸時，設備由于放電而發生充電，設備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后安世半導體將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 據介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后安世半導體將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 、晶閘管等等，主要用于工業和電力系統（正因如此，早期才被稱為電力電子器件）后來，隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導體器件的迅速發展，現在功率半導體器件已經非常廣泛，在計算機、通行、消費
2023-12-03 16:33:191134 
按施敏教授的觀點，半導體器件有四個最基本的結構單元：金半接觸、PN結、異質結、MOS結構。所有的半導體器件都可以看作是這四種基本結構的組合，比如BJT由兩個背靠背的PN結構成，MOSFET由MOS結構和兩對PN結構成。
2023-11-30 15:56:171032 
MOS結構加上一對背靠背的PN結，就構成一個MOSFET。如果MOS結構在零柵壓時半導體表面不是反型的，此時由于PN結的反向截止效果，源漏之間不會導通。當外加柵壓使半導體表面反型時，源漏之間就有
2023-11-30 15:54:49398 
Transistor（金屬氧化物半導體場效應管）的縮寫。它一般有耗盡型和增強型兩種。這里我們以增強型MOS為例分析。
場效應管是由源極，漏極，柵極組成，由于襯底的摻雜不同可分為N溝道和P溝道場效應管。（溝道
2023-11-28 15:53:49
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
2023-11-24 15:51:59682 
半導體分立器件是電子元器件中的重要組成部分，它們在電子設備中發揮著重要的作用。本文將介紹半導體分立器件的基本概念、分類、應用和發展趨勢。
2023-11-23 10:12:56792 
解一下什么是溝道。溝道是在半導體材料中形成的電子流的通道。通過在材料中創建和控制溝道，我們能夠控制電流的流動，從而實現半導體器件的功能。在常見的場效應晶體管（Field-Effect Transistor, FET）中，溝道是連接源極和漏極的部分。 p溝道和
2023-11-23 09:13:422311 硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
在電子工程和微電子技術的世界里，半導體器件建模是一個核心概念。它涉及對半導體器件如晶體管、二極管等的電氣行為進行數學和物理描述。這一過程對于設計高效、可靠的電子設備至關重要。本文旨在深入探討半導體器件建模的概念、其重要性以及在現代技術中的應用。
2023-11-13 10:48:27515 
一、功率器件在半導體產業中的位置功率半導體器件，簡稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導體產品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產品有【電源管理芯片】和【各類驅動芯片
2023-11-08 17:10:15822 
型晶體管，它屬于電壓控制型半導體器件。根據導電溝道類型和柵極驅動電壓的不同，可以分為N溝道-增強型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15638 
FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開關和放大電路中，可以控制電流流動并放大信號。
2023-11-03 14:56:23293 
半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導體有多少了解呢？今天我們就從最基礎的半導體功率器件入手，全面了解半導體的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 電力電子器件(Power Electronic Device)，又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上)電子器件。可以分為半控型器件
2023-10-28 10:02:11304 
如今，半導體元器件已成為電子應用中不可或缺的一部分。半導體元器件的需求主要受生命周期較短的消費電子影響。
2023-10-24 16:43:51604 功率半導體器件與普通半導體器件的區別在于，其在設計的時候，需要多一塊區域，來承擔外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區域就是額外承擔高壓的部分。與沒有“N-drift”區的普通半導體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導體器件的有點之一。
2023-10-18 11:16:21878 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 一 F-200A-60V 半導體器件測試機專為以下測試需求研制： 二 技術參數
2023-10-12 15:38:30
根據專利摘要，該公開是關于半導體元件及其制造方法的。半導體器件包括電裝效應晶體管。電場效應晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
電子發燒友網站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 09:32:50
0 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設備中開關和放大電子信號的半導體器件。
MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經常連接到源極端子，因此使其成為類似于場效應晶體管的三端器件。
2023-09-20 15:09:28791 
在日常的電源設計中，半導體開關器件的雪崩能力、VDS電壓降額設計是工程師不得不面對的問題，本文旨在分析半導體器件擊穿原理、失效機制，以及在設計應用中注意事項。
2023-09-19 11:44:382578 
半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導體有多少了解呢？今天我們就從最基礎的半導體功率器件入手，全面了解半導體的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25889 是以半導體材料為基礎的，具有固定單一特性和功能的電子器件。半導體分立器件主要由芯片、引線/框架、塑封外殼幾部分組成，其中芯片決定器件功能，諸如整流、穩壓、開關、保護等，引線/框架實現芯片與外部電路
2023-09-08 11:06:341680 
穩定性和效率兼備，雷卯MOSFET改變您的產品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種常用的半導體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
場效應管怎么區分n溝道p溝道? 場效應管是一種常見的半導體器件，可以用于電子器件中的信號放大、開關等應用。場效應管有兩種類型：n溝道型（n-channel）和p溝道型（p-channel），它們
2023-09-02 10:05:176875 半導體器件中性能最好的是什么?? 半導體器件是現代電子技術中最為重要的組成部分之一，是連接芯片和外部電路的中間介質。通常，半導體器件的性能被評價的標準是：最大電壓、最大電流、最高工作頻率、響應速度
2023-08-29 16:19:29539 供應AP90P03Q p溝道mos管 30v 60a絲印:90P03Q-銓力半導體代理，提供AP90P03Q規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:40:01
供應AP2335 場效應管(MOSFET) SOT-23 絲印2335 P溝道 20V7A，是銓力半導體代理商，提供AP2335規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 16:24:490 ，減少人力資源消耗，為半導體行業降本增效。Novator系列全自動影像儀創新推出的飛拍測量、圖像拼接、環光獨立升降、圖像匹配、無接觸3D掃描成像等功能，多方面滿足客戶測量需求，解決各行業尺寸測量難題。
2023-08-21 13:38:06
隨著現代電子設備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態和動態性能參數,將助您的設計實現更高功率密度和轉換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
先楫半導體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
隨著半導體工藝技術的發展，芯片集成度不斷提高，封裝尺寸越來越小，半導體器件面臨著更高的熱應力挑戰。結溫過高不僅降低了器件的電氣性能，而且增加了金屬遷移率和其他退化變化，從而導致芯片老化加速、故障率
2023-08-07 15:18:381962 
列。 ? ? ? ? ? 公司汽車電子事業部總監李海鋒應邀在會上作了《汽車電氣化中國產半導體的機遇和挑戰》主題演講。 ? ? ? 士蘭微電子功率器件中，MOSFET、IGBT大功率模塊（PIM）、肖特基管、穩壓管、開關管、TVS管等產品的增長較快，公司的超
2023-08-07 11:34:091676 半導體材料是制作半導體器件和集成電路的電子材料，是半導體工業的基礎。利用半導體材料制作的各種各樣的半導體器件和集成電路，促進了現代信息社會的飛速發展。
2023-08-07 10:22:031978 
MOSFET，也稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一種常見的電子器件。它是一種半導體器件
2023-08-04 15:24:152045 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 是一種場效應晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當壓控電流源，并主要用作開關或用于放大電信號。MOSFET的控制是通過向柵極施加特定的電壓來進行
2023-08-02 14:13:11344 
功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結構劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035041 
半導體功率器件在全球半導體市場中占有重要的位置，其在新能源、工業控制、汽車電子等領域的應用越來越廣泛。然而，中國的半導體功率器件產業與全球領先的半導體產業國家相比，還存在一定的差距。本文將探討中國的半導體功率器件產業的現狀，與國際先進水平的差距以及未來的發展潛力。
2023-07-19 10:31:11603 
金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）是一種場效應晶體管（FET），由三個端子-柵極、源極和漏極組成。在MOSFET中，漏極由柵極端的電壓控制，因此MOSFET是一種電壓控制器件。施加在柵極
2023-07-07 10:13:352972 
在現今電力電子領域，高壓（HV）分立功率半導體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產品系列以滿足發展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
及產業化項目、研發中心建設及第三代半導體功率器件研發項目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業，主要產品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發及產業化項目、研發中心建設及第三代半導體功率器件研發項目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業，主要產品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
在H橋電路中實現P溝道MOSFET可能看起來既簡單又誘人，但可能需要一些嚴格的計算和參數才能實現最佳響應。
2023-06-29 15:28:02957 
在這個設計中，我們看到了使用N溝道MOSFET實現BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布擴充 NextPower 80/100 V MOSFET 產品組合的封裝系列。此前該產品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:32562 （VLSI）設備采用的設計方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導體加工工藝。金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)從70年代的初級場效應晶體管發展而來。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號。雙極結型晶體管（BJT)自身的局限性驅動了功率
2023-06-17 14:24:52591 
蘭奈梅亨--(美國商業資訊)--Nexperia(安世半導體)，分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領導者，今日宣布其已采用 Trench 11 技術實現具有史上最低導通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 日：基礎半導體器件領域的專家 Nexperia（安世半導體）推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET (ASFET) 新產品組合，重點發布的 BUK9M20-60EL 為單 N 溝道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11372 分立器件行業概況
半導體分立器件是半導體產業的基礎及核心領域之一，其具有應用領域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。
從市場需求看，分立器件受益于物聯網、可穿戴設備、智能家居、健康護理、安防電子
2023-05-26 14:24:29
為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道
2023-05-22 11:11:391173 二極管半導體器件的應用和參數對比NO.1二極管種類區別按操作特性進行比較：器件結構說明對比：肖特基二極管由金屬與半導體結結形成。在電氣方面，它由多數載波進行，具有較低的電流泄漏和正向偏置電壓(VF
2023-05-11 10:11:45221 據統計，IGBT、MOS管、電源管理IC等在儲能逆變器里占比高、數量多，是必不可少的半導體器件。
2023-05-08 15:46:30862 
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288 
意法半導體（ST）宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應協議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 制造產業的轉移、下游行業需求的拉動以及國家推出的支持政策，半導體分立器件行業已經進入快速發展通道。目前，我國已經成為全球重要的半導體分立器件制造基地和全球最大的半導體分立器件市場，根據中國半導體行業協會
2023-04-14 16:00:28
制造產業的轉移、下游行業需求的拉動以及國家推出的支持政策，半導體分立器件行業已經進入快速發展通道。目前，我國已經成為全球重要的半導體分立器件制造基地和全球最大的半導體分立器件市場，根據中國半導體行業協會
2023-04-14 13:46:39
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場效應來控制半導體（S）的場效應晶體管，其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 是一種場效應晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當壓控電流源，并主要用作開關或用于放大電信號。MOSFET的控制是通過向柵極施加特定的電壓來進行
2023-04-10 09:39:45642 
金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 是一種場效應晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當壓控電流源，并主要用作開關或用于放大電信號。MOSFET的控制是通過向柵極施加特定的電壓來進行
2023-04-06 10:06:381381 MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP
2023-03-28 22:26:41
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