安建半導體(JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺,平臺采用先進的技術(shù)和設計,提供了卓越的開關(guān)特性和低導通電阻,從而實現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作,不僅可以顯著提高應用系統(tǒng)的整體效率,更能降低能源成本并延長系統(tǒng)的工作壽命。該平臺廣泛應用于通信和數(shù)據(jù)中心服務器電源、叉車和輕型電動車低壓電機驅(qū)動器以及電池管理系統(tǒng)(BMS)。作為這些應用系統(tǒng)中最關(guān)鍵的零部件之一,MOSFET的性能對系統(tǒng)的性能和效率具有決定性的影響。
1.產(chǎn)品性能
1. 優(yōu)化FOM (Figure of Merit):極低導通及開關(guān)損耗,適用于高載頻及高功率工況,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和節(jié)能效果。
2. 高可靠性:卓越的可靠性與耐用性,全面滿足工業(yè)級標準。
3. 高抗沖擊能力:低熱阻,高雪崩能力,滿足高電流及瞬間關(guān)斷時的要求。
4. 良好一致性:支持多管并聯(lián)應用。
2.競品對比
在選擇MOSFET器件時,了解和比較其FOM值是非常重要。FOM (Figure of Merit)是MOSFET的一個重要指標,用于評估其性能。
FOM包括了MOSFET最關(guān)鍵的性能指標: 導通電阻( RDS(on)) 及閘極電荷( Qg )。較低的導通電阻代表MOSFET在導通狀態(tài)下具有更低的功耗和更高的效率。較低的閘極電荷代表MOSFET可以更快地在導通和截止之間切換,從而減少功耗和提高性能。
JSAB 150V產(chǎn)品與國內(nèi)外品牌規(guī)格對比,JSAB 150V SGT MOSFET FOM 可以達到約300 m?·nC,對比其他國內(nèi)外品牌最新代產(chǎn)品低6 - 27%不等,這一結(jié)果清晰地展示了JSAB 150V SGT MOSFET作為出色替代方案或新開發(fā)方案的有力競爭者的能力。
3.技術(shù)特點
JSAB 150V SGT MOSFET采用深溝槽技術(shù),透過優(yōu)化漂移區(qū) (Drift region) 及基板 (Substrate) 阻抗,能以相同芯片大小,達到更低的FOM (RDS(on) x Qg),大幅降低開關(guān)損耗及導通損耗,媲美國外一流頂尖品牌規(guī)格。此外JSAB 150V SGT MOSFET 除了使用傳統(tǒng)直插式封裝,如TO-220及TO-247,更推出了貼片式封裝,如TO-LL及TO-263,大幅提高功率密度及PCB設計靈活度,使得JSAB 150V SGT MOSFET 非常適合用于電源系統(tǒng),電池管理系統(tǒng),及電機控制器等高功率工業(yè)應用。
綜上所述,JSAB 150V SGT MOSFET產(chǎn)品能夠完全媲美國外一流進口品牌的性能,非常適用于工業(yè)電機驅(qū)動或電池管理系統(tǒng)等應用領(lǐng)域。JSAB有能力也有信心接受客戶嚴苛的測試和檢驗,如需樣品,歡迎與我司聯(lián)系。
審核編輯:湯梓紅
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原文標題:安建半導體推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺
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