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采用OptiMOS 7 技術的40V車規MOSFET產品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。...
砷化鎵是一種半導體材料。它具有優異的電子輸運性能和能帶結構，常用于制造半導體器件，如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小，使得它在電子和光學應用中具有重要的地位。...
AD9280 是 ADI 公司生產的一款單芯片、8 位、32MSPS（Million Samples Per Second，每秒采樣百萬次）模數轉換器，具有高性能、低功耗的特點。...
ADC即模擬數字轉換器（英語：Analog-to-digital converter）是用于將模擬形式的連續信號轉換為數字形式的離散信號的一類設備。...
在大多數情況下，10位的分辨率就足夠了。但在某些情況下需要更高的精度。采用特殊的信號處理技術可以提高測量的分辨率。...
IGBT （絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導體器件，廣泛應用于軌道交通、智能電網、工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。具有節能、安裝方便、維護方便、散熱穩定等特點。它是能量轉換和傳輸的核心裝置。簡單概括一下，IGBT可以說是MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT的結合體（雙極結型晶...
二極管的限幅與鉗位看上去似乎都是限制輸出電壓。其實，他們有本質上的區別，限幅電路是限制輸出信號的最大或最小電壓，鉗位電路則是將輸出信號的直流電壓鉗位在某一設定值上；限幅電路改變輸入信號的形態，而鉗位電路并不改變輸入信號形態。...
二極管作為最基礎的晶體管，在電子電路應用中無所不在，博主在電路小課堂專欄里面的電路總結，不管是電平轉換電路，電源自動切換電路，防反接電路，都有二極管的影子。...
MOS管防反接電路相比二極管防反接電路最大的優勢是幾乎零壓降，二極管的壓降一般都0.5V~1V左右，但是MOS管就不一樣了，MOS管的內阻很小，小的只有幾mΩ。 假如5mΩ的內阻，經過1A的電流壓降只有5mV，10A電流壓降也才50mV。...
功率元件具有較大的承載能力和較低的內阻，以應對較高的功率需求，并保證能量傳輸的效率。例如，功率晶體管（如MOSFET、BJT）和功率放大器模塊屬于典型的功率元件。...
該芯片是一款單通道低側GaN FET和邏輯電平MOSFET驅動器，可應用于LiDAR、飛行時間、面部識別和低側驅動的功率轉換器等領域。...
IGBT的VGE的耐壓值為±20V，在IGBT模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場合，由于會導致損壞的危險，因而在柵極-發射極之間不能超出耐壓值的電壓，這點請注意。...
本文旨在幫助設計人員了解DC-DC補償的工作原理、補償網絡的必要性以及如何使用正確的工具輕松獲得有效的結果。...
功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導通損壞和VGS尖峰誤觸發導通損壞。...
GaN開始為人所知是在光電LED市場，廣為人知則是在功率半導體的消費電子快充市場。但實際上，GaN最初在功率半導體領域的目標據說是新能源汽車市場，而非消費電子市場。...
信號是將數據從一個系統或網絡傳輸到另一系統或網絡的電磁或電流。在電子設備中，信號通常是隨時間變化的電壓，也是攜帶信息的電磁波，當然也可以是電流等其他形式。電子設備中使用的信號主要有兩種類型：模擬信號和數字信號。本文將討論模擬信號與數字信號的特性、用途、優缺點以及典型應用。...
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