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當晶閘管的門極接收到足夠的正向觸發脈沖時，晶閘管會從堵塞狀態變為導通狀態。此時，晶閘管的陽極和陰極之間會形成一個低阻抗通路，允許電流流經晶閘管。...
MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡稱，有時候我們也會簡寫成MOS。下面是一個典型的MOSFET結構。...
直流電路是指電流方向不變的電路，電源可以是電池或直流發電機。直流電路中的電器元件包括電阻、電容、電感等。 交流電路是指電流方向不斷變化的電路，電源可以是交流發電機。...
引言：BJT內部含有兩個背靠背，互相影響的PN結，當這兩個PN結的偏置條件（正偏還是反偏）不同時，BJT將呈現出不同的特性和功能，對應四種工作狀態：放大、飽和、截止、倒置。...
IGBT作為電力電子領域的核心元件之一，其結溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設計，還會影響IGBT可靠性和壽命。...
對于對稱IGBT結構，N基區寬度為200μm，通態集電極電流密度為100Acm-2，P+集電區/N基區結處空穴濃度(P0)，計算得到空穴載流子密度。...
數據采集和通用測試測量設備中使用的精密信號鏈必須適應寬廣的輸入電平范圍。信號鏈可能需要提供高輸入阻抗，同時支持增益和衰減，并調整共模電平以確保信號落在ADC的適當輸入范圍內。...
碳化硅的禁帶寬度是硅的2-3倍，在高溫下電子不易發生躍遷，可耐受更高的工作溫度，且碳化硅的熱導率是硅的4-5倍，使得器件散熱更容易，極限工作溫度更高。耐高溫特性可以顯著提升功率密度，同時降低對散熱系統的要求，使終端更加輕量和小型化。...
AD623是一款具有軌至軌功能的儀表放大器。它還以 550nA 的極低電流運行，使其適合電池供電的應用。 儀表放大器：儀表放大器是一種差分放大器，其輸入引腳連接有緩沖放大器。這消除了阻抗匹配的需要，從而使其實際上適用于測量和測試設備。...
在現今電力電子領域，高壓（HV）分立功率半導體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產品系列以滿足發展中的需求。...
IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線，斷開時當做開路。三大特點就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領域非常理想的開關器件。 編輯：黃飛...
MOSFET作為OBC，電調，BMS和Charger，各類數字電源的核心功率器件，想必大家是耳熟能詳了。...
器件溝道長度為1μm，HFO2柵介質厚度為4.88nm；SiO2柵介質厚度為2nm；P襯底摻雜濃度4E15cm^-3；柵電極為鋁金屬。...
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