完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>
電子發燒友網技術文庫為您提供最新技術文章，最實用的電子技術文章，是您了解電子技術動態的最佳平臺。
氧化鋁是一種化學化合物，由鋁和氧元素組成，化學式為Al2O3。它是一種非導電的陶瓷材料，具有高熔點、高硬度和優異的耐腐蝕性。氧化鋁廣泛應用于陶瓷制品、磨料、催化劑、絕緣材料等領域。在工業上，氧化鋁常用于制備金屬鋁的原料。...
該產品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態陽極電壓上升率（dv/dt）高、開通陽極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強等特點。...
8英寸SiC晶體生長的難點在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻和氣相原料分布和輸運效率問題。...
該產品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態陽極電壓上升率（dv/dt）高、開通陽極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強等特點。...
該產品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽極脈沖峰值電流大、斷態陽極電壓上升率（dv/dt）高、開通陽極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強等特點。...
IGBT單胞結構參數：溝道長度4.3μm，溝道寬度2E4μm，多晶硅區半寬度13μm，窗口區半寬度12μm...
在學習運放選型前，我們需要先來透測的學習運放電路的內部結構和原理，對于我們來說是模擬電路中十分重要的元件，它能組成放大、加法、減法、轉換等各種電路，我們可以運用運放的"虛短"和"虛斷"來分析電路，然后應用歐姆定律等電流電壓關系，即可得輸入輸出的放大關系等。...
同等電流情況下，一是可以選擇更低壓降的肖特基，可以保證VF稍微低0.2-0.3V，可以保證功耗情況下，比如選擇雷卯的SS34LVFA 壓降為0.3V。...
具體的鍺二極管參數可能會因不同的制造商和型號而有所差異。在選擇和使用鍺二極管時，建議參考具體型號的規格表，并根據應用需求選擇合適的參數。...
切割出片數量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數量增加了37.5%。...
IGBT的開關特性是通過對門極電容進行充放電來控制的，實際應用中經常使用＋15V的正電壓對IGBT進行開通，再由-5V…-8V…-15V的負電壓進行關斷。...
車規級功率器件未來發展趨勢 材料方面: SiC和GaN是必然趨勢，GaAs在細分領域有可能 ●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●評測方面:多應力綜合測試方法、新型結溫測試方法和技術 ●進展方面:國產在趕超進口(參數和性能)，可靠性還需要時間沉淀...
前面章節，給大家介紹過運放增益帶寬積GBW和-3dB帶寬的概念，可以用來初步換算運放電路在某一增益下，所能達到的-3dB帶寬是多少。但在實際應用中，為了保證所需帶寬內增益盡可能平坦，我們不可能將-3dB帶寬設置為我們的截止頻率。...
今天我們來討論一個三極管放大電路的問題，起因是在網上看到了一個“壓控電流源模型”比“流控電流源模型”更好的說法...
砷化鎵芯片的制造工藝相對復雜，需要使用分子束外延（MBE）或金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）等專門的生長技術。而硅芯片的制造工藝相對成熟和簡單，可以使用大規模集成電路（VLSI）技術進行批量制造。...
關注我們的微信
下載發燒友APP
電子發燒友觀察
版權所有 ? 湖南華秋數字科技有限公司
長沙市望城經濟技術開發區航空路6號手機智能終端產業園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發燒友 （電路圖） 湘公網安備43011202000918
工商網監
湘ICP備2023018690號-1
