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屏蔽柵側壁氧化層厚度:0.7um屏蔽柵底部氧化層厚度:0.5um屏蔽柵隔離氧化層厚度:0.3um...
①靜態dV/dt:會引起MOSFET柵極電壓變化,導致錯誤開通。在柵源間并聯電阻,可防止誤開通。...
肖特基整流二極管具有工作頻率高、工作電流大、正向壓降低、反向漏電小、可靠性高等特點,廣泛用于開關電源及功率變換器中。...
晶閘管(SCR)由于其深回滯輸出特性曲線,低導通電阻,高ESD泄流能力的特點,在ESD保護中得到越來越廣泛的應用。...
模數轉換器ADC1001CCJ特性概述 ADC1001CCJ是一款12位精度、1MSPS速率的模數轉換器。ADC1001CCJ具有較高的抗干擾能力和穩定性,能夠滿足各種復雜環境下的應用需求。 其主要技術參數包括: 1. 分辨率:12位 2. 采樣速率:1MSPS 3. 工作電壓范圍:4.5V至5.5...
BLDC電機不管在工業用還是家用領域的滲透率都在持續提升,除傳統的電動工具、吸塵器、小家電外,還有汽車、電動兩輪車、高速風筒等都是不斷在提升的。...
寄生電容和開關時間:功率MOS具有極快的開關速度,器件導通或關斷前需要對寄生電容進行充放電,而電容的充放電需要一定時間...
階段1(0—t1):在此階段,柵極電流開始對柵電容CGE充電,但是VGE<Vth,溝道未開啟。...
晶閘管(SCR)由于其深回滯輸出特性曲線,低導通電阻,高ESD泄流能力的特點,在ESD保護中得到越來越廣泛的應用。...
寄生電容和開關時間:功率MOS具有極快的開關速度,器件導通或關斷前需要對寄生電容進行充放電,而電容的充放電需要一定時間,其開關速度要受器件的寄生電容限制。...
IGBT是雙極型三極管和MOS管結合在一起的產物,雙極型三極管具有低頻(10KHz以下)大電流能力,MOSFET具有高頻(100KHz以上)小電流特點。...
IGBT是雙極型三極管和MOS管結合在一起的產物,雙極型三極管具有低頻(10KHz以下)大電流能力,MOSFET具有高頻(100KHz以上)小電流特點。...
TO-220-2L封裝散熱效果最佳,但是相對來說占用空間; TO-252-2L封裝具備優秀的散熱能力,體積上也有一定的優勢,在應用場景上的利用率較高。...
根據實際電參數指標要求,在25℃室溫情況下,當測試電流IR=5μA時,器件反向重復峰值電壓(VRRM)需高于1200V。...