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兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結構，對其導通電阻的構成進行簡單的分析介紹。...
橫向型MOSFET，又稱之為橫向導電型的MOSFET，結構如下圖所示。這里橫向的意思是指電流的流動方向與晶圓襯底之間的方向。...
某產品EMC輻射騷擾測試超標，通過近遠場掃描配合定位分析，逐步找出騷擾源、傳播路徑，最終通過修改 PCB 走線切斷傳播路徑解決此問題。...
電容器是以靜電形式儲存能量的基本電子元件。它們有無數的用途，包括大量的能量儲存、平滑電子信號，以及作為計算機的存儲單元。...
MOS管開關電路 但是這個電路的缺點也是顯而易見，由于MOS管有一個寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過大，或者后端有別的電壓串進來，會把前端給燒壞！...
繼電器的選用原則參見表 1，在表中“必須確定”欄中有“”號的項目被確定之后，就可選定一款繼電器。如果有進一步的要求，需要進一步考慮“參考”欄中有“”號的相應項目。...
碳化硅是寬禁帶半導體器件制造的核心材料，SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優勢，是目前硅和砷化鎵等半導體材料所無法比擬的，應用前景十分廣闊，是核心器件發展需要的關鍵材料，由于其加工難度大，一直未能得到大規模推廣應用。...
本期，我們接著介紹運放關鍵指標最后一部分，主要分為開環電壓增益、增益帶寬積和-3dB帶寬、壓擺率和建立時間。...
對于任何一個器件，在使用之前，無論是生產方還是使用方都會進行充分的驗證，以確定產品的性能是否符合相應的需求。...
Ga2O3技術成熟的一個主要障礙是器件過熱。對于Ga2O3溝槽器件，盡管與[010]溝槽側壁相比，[100]溝槽側壁的熱導率（kT[010]）更高，但具有[100]溝槽的Ga2O3溝槽器件很少被采用。...
由低電容規格決定的變容二極管或變電容二極管的高頻應用領域很少是可調帶通濾波器、自動頻率控制器件、參數放大器和FM調制器。...
變容二極管，也稱為變電容，VVC（電壓可變電容或調諧二極管），是一種半導體二極管，當器件反向偏置時，其p-n結上具有可變電壓相關電容。...
MOS管開關電路在分立設計里面應用非常廣泛，包括邏輯控制，電源切換，負載開關等，在一些電路巧妙設計上具有非常大的創新性。...
讓該管工作在放大狀態，測Ube電壓（基極與發射極的電壓），如果電壓Ube=0.2~0.3V（歐姆檔指針偏轉了4/5）則是鍺管，如果Ube=0.6~0.7V（歐姆檔指針偏轉了1/2--3/5）則是硅管。...
三極管是電流型元件，利用偏置電阻產生大于0.7V的Vbe電壓，然后通過控制電流大小，使晶體管工作在不同的區。...
國產芯熾SC7508是一款超高速電流反饋型放大器，壓擺率高達5500V/μs，上升時間僅為545ps，因而非常適合用作脈沖放大器。...
負載串聯型開關相比于上節講到的接地型和跟隨型開關，使用更加廣泛，無論是輕負載還是重負載，電路幾乎沒有額外電流損耗。...
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