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標簽 > sk海力士
SK海力士(Hynix)是一家源自韓國的半導體芯片制造商,主要生產DRAM和NAND閃存等存儲芯片。它是全球最大的半導體公司之一,也是全球DRAM市場的領導者之一。
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據韓國媒體報道,全球領先的半導體制造商SK海力士正與芯片代工巨頭臺積電緊密合作,共同構建一個強大的AI芯片聯盟。這一戰略舉措旨在匯聚雙方在下一代人工智能...
HBM3E內存(也可以說是顯存)主要面向AI應用,是HBM3規范的擴展,它有著當前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優化。
韓國交易所近日發布的數據顯示,三星電子與SK海力士的市值份額差距已經縮小至近13年來的最低水平。
據報道,業內人士透露,由于DRAM、NAND等存儲半導體市場嚴重低迷,三星電子和SK海力士這兩家全球主要的存儲芯片制造商已向韓國的一些存儲半導體零部件供...
近期,科技界傳來重要消息,三星、SK海力士及美光三大半導體巨頭正全力推進高帶寬內存(HBM)的產能擴張計劃。據預測,至2025年,這一領域的新增產量將激...
電子芯聞早報:希捷或攜手SK海力士合攻SSD 疑似樂Max3手機曝光
早報時間:希捷或與SK海力士攜手組公司合攻 SSD;CMOS影像傳感器供不應求 市場價格止跌;三星考慮分拆其晶圓代工業務部門;Facebook決定重組O...
近日,全球存儲解決方案領導者SK海力士宣布,他們已成功完成了高性能HBM3E(High-Bandwidth Memory 3rd Generation ...
預計,存儲器元件的成本上升影響將從第4季度開始逐漸轉移到消費者部門,因此筆記本電腦、手機等終端機的價格將會有所上升。
傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備
數據顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產能力,并啟動大規模HBM設備采購;此外,三星...
“LPDDR5T是最大限度發揮智能手機性能的最佳內存。我們將繼續擴大該產品的應用范圍,引領移動DRAM領域的換代。”SK海力士在一份聲明中表示。隨著JE...
三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設備,深度蝕刻到晶片內部,用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的...
sk海力士表示:“以唯一批量生產hbm3的經驗為基礎,成功開發出了世界最高性能的擴展版hbm3e。“將以業界最大規模的hbm供應經驗和量產成熟度為基礎,...
SK海力士:HBM3E量產時間縮短50%,達到大約80%范圍的目標良率
據報道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
在全球AI芯片領域的激烈競爭中,英偉達以其卓越的技術實力和市場影響力,始終保持著領先地位。最近,這家AI芯片大廠再次展現出了其獨特的戰略眼光和強大的資金...
以往半導體產業的競爭要素在產能擴大與降低成本,但制程愈趨于先進,研發難度提高,投資規模擴大不保證能帶來對等獲利。面對產業環境改變,SK海力士(SK Hy...
2017-07-25 標簽:SK海力士 1183 2
SK海力士引領未來:全球首發12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術格局
今日,半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業界矚目的技術里程碑,該公司已成功在全球范圍內率先實現12層HBM3E芯片的規模化生產,此舉不僅將HBM存儲器的...
sk海力士負責市場營銷的管理人員表示:“一臺ai服務器至少需要500gb的hbm高帶寬內存和2tb的ddr5內存。人工智能是拉動內存需求的強大力量。”s...
實現HBM的關鍵所在為多層DRAM堆疊,市場主要采用兩種鍵合作程: SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM,后...
SK海力士近日宣布了一項重要計劃,即開發采用4F2結構(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標志著SK海力士在DRAM制造領域的新探索...
近日,半導體行業迎來了一項重大技術突破。據BUSINESSKOREA報道,在6月16日至6月20日于美國夏威夷舉行的半導體盛會“VLSI 2024”上,...
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