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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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先進的制造園區,將加速從Si硅向SiC碳化硅的產業轉型,滿足EV電動汽車和5G市場需求。
中科意創完成數千萬元A+輪融資 日前,汽車功率半導體廠商中科意創完成數千萬元A+輪融資,此次投資是創新工場的獨家投資。融資資金主要用于建設中科意創功率半...
PI推出汽車級IGBT/SiC模塊驅動器產品系列SCALE EV
Power Integrations今日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM?EV系列門極驅動板。新款驅動器同樣適...
在碳化硅材料制備技術方面:由于大口徑碳化硅鏡坯的制備過程伴隨著復雜的物理相變和化學反應,因此,在此前相當長一段時間內,國際上公認1.5米是單體碳化硅反射...
過去的一年,作為第三代半導體的典型代表,碳化硅(SiC)器件著實火了一把,其高工作溫度、高擊穿場強、高耐壓、高熱導率、高功率密度以及高可靠性,為設計師打...
功率半導體器件是日本的優勢領域。如今在這個領域,中國的實力正在快速壯大。日本要想在這個領域繼續保持強大的競爭力,重要的是大力研發SiC、GaN、組裝...
我國半導體技術的有一步發展世界上最大口徑單體碳化硅反射鏡面世
歷時15年探索攻關、9年立項研制,中國科學家打破國外技術封鎖和產品壟斷,研制成功世界上迄今公開報道的最大口徑單體碳化硅(SiC)反射鏡——直徑4.03米...
碳化硅(SiC)龍頭企業Cree年底改名為Wolfspeed
Cree方面表示,“我們的團隊對于創新和超越可能極限的承諾將始終不變。作為碳化硅SiC產業的全球引領者,我們已經做好準備,在未來賦能實現開創性的、高效節...
安森美半導體是功率電子領域的市場領導者之一,在SiC功率器件領域的地位正在迅速攀升。
SiC SBD和 MOS是目前最為常見的 SiC 基的器件,并且 SiC MOS 正在一些領域和 IGBT爭搶份額。我們都知道,IGBT 結合了 MOS...
由于基于硅材料的功率半導體器件的性能已接近物理極限,以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體憑借其優異的材料物理特性,在提升電力電子器件...
采用碳化鉭TaC涂層, 是解決邊緣問題,提高晶體生長質量,是“長快、長厚、長大”的核心技術方向之一。為了推動行業技術發展,解決關鍵材料“進口”依賴,恒普...
CIAS2024年度功率器件及模組類及優質供應商金翎獎“評選揭曉”
CIAS2024年度功率器件及模組類及優質供應商"金翎獎“評選,旨在發掘具有前瞻性、創新性和引領性的對中國功率半導體行業產生重大影響的新技術、...
科銳(Nasdaq: CREE)宣布與意法半導體(NYSE: STM)簽署多年協議,將為意法半導體STMicroelectronics生產和供應Wolf...
在圖形化、刻蝕、化學掩膜沉積、金屬鍍膜等工藝段,只需在現有設備上調整參數,基本上可以兼容適用。因此,產業上需要將 Si 基功率器件生產線轉換成 SiC ...
碳化硅SiC功率器件,全球市場總體規模,前三十大廠商排名及市場份額
本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件,功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立...
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